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태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015045715
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요약 본 발명은 태양전지의 제조공정에서 pn 접합 기재의 전면 및/또는 후면에 전극 배선용 금속 패턴 또는 금속층을 형성함에 있어서, 기재필름 상의 금속 패턴 또는 금속층이 pn 접합 기재에 대면한 상태에서 가압 롤로 기재필름에 압력을 가하여 상기 금속 패턴 또는 금속층을 pn 접합 기재 상에 코팅함으로써, 건조 공정을 거치지 않는 등 전반적인 제조공정이 크게 단축된 태양전지의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/188(2013.01) H01L 31/188(2013.01) H01L 31/188(2013.01)
출원번호/일자 1020060111349 (2006.11.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1244787-0000 (2013.03.12)
공개번호/일자 10-2008-0042959 (2008.05.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.02)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유재성 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0825645-11
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0415916-91
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2012-0054962-56
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0465872-67
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0811429-80
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0811428-34
12 등록결정서
Decision to grant
2013.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0109251-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 제조시 pn 접합 기재의 전면에 전극 배선용 금속 패턴 또는 금속층을 형성하거나 상기 pn 접합 기재의 후면에 전극 배선용 금속 패턴 또는 금속층을 형성함에 있어서, 코팅용 기재필름 상의 금속 패턴 또는 금속층이 pn 접합 기재에 대면한 상태에서 가압 롤로 기재필름에 압력을 가하여 상기 금속 패턴 또는 금속층을 pn 접합 기재 상에 코팅하는 과정을 포함하는 것으로 구성되며,pn 접합 기재의 전면에는 전극 배선용 금속 패턴 또는 금속층을 형성하여 전면전극을 만들고, pn 접합 기재의 후면에는 전극 배선용 금속 패턴 또는 금속층을 형성하여 후면전극을 만드는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 pn 접합 기재는, 제 1 도전형 반도체 기판 상에 그에 반대 도전형의 제 2 도전형 반도체 층이 형성되어 있고 그 계면에 pn 접합을 포함하는 태양전지의 기본 작동 구조체인 것을 특징으로 하는 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도전형 반도체 기판은 p-형 실리콘 기판이고, 상기 제 2 도전형 반도체 층은 n-형 이미터(emitter) 층인 것을 특징으로 하는 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전면전극은 Ag 패턴으로서 형성되며, 상기 Ag 패턴의 형성을 위해, 코팅용 기재필름 상에는 Ag 버스 바와 Ag 핑거가 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 기재필름 상에 부가되어 있는 Ag 버스 바와 Ag 핑거 사이의 적어도 일부에 접착제가 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 후면전극은 Al 층으로서 형성되며, 솔더링을 용이하게 하기 위한 하나 또는 둘 이상의 Ag 패드를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 후면전극의 형성을 위해, 코팅용 기재필름 상에는 다공성의 Al 층 및 상기 Al 층의 외면에 도포된 접착층이 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 후면전극의 형성을 위해, 코팅용 기재필름 상에는 다수의 관통구들이 형성되어 있는 Al 층 및 상기 관통구의 적어도 일부에 충진된 접착제가 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 후면전극의 형성을 위해, 코팅용 기재필름 상에는 다수의 그루브들(grooves)이 격자형으로 형성되어 있는 Al 층 및 상기 그루브의 적어도 일부에 충진된 접착제이 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 제조방법
11 11
제 1 항 내지 제 3항 및 제5항 내지 제10 항 중 어느 하나에 따른 방법으로 제조된 금속 패턴 및 금속층 중 적어도 하나를 전극으로서 포함하는 것으로 구성된 태양전지
12 12
제 11 항에 있어서, 전면전극은 실리콘 pn 접합 기재 상에 1 내지 30 ㎛의 두께로 형성된 Ag 패턴을 포함하고 있으며, 후면전극은 실리콘 pn 접합 기재 상에 0
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.