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일자형 전극 2개가 연결봉에 의해 연결되고, 그 연결봉 중심에 고주파 전원을 균일하게 제공하기 위한 급전점이 형성되는 다수의 전극부재와;상기 전극부재에 고주파 전원을 공급하는 급전회로부를 포함하고;상기 전극부재는, 동일 평면상에 복수 개 제공된 상태에서 어느 하나의 전극부재가 이웃하는 전극부재와는 서로 반대방향에서 고주파 전원을 공급받도록 상기 급전점이 서로 다른 방향을 향하도록 엇갈려서 배열되고, 상기 일자형 전극 각각은 이웃하는 일자형 전극과 각각 일정 간격 이격된 상태가 되도록 위치되고;상기 급전회로부는, 상기 고주파 전원을 발생하는 한 쌍의 고주파 전원공급부와, 상기 고주파 전원공급부에 의해 발생된 전원과 상기 전극부재의 임피던스를 일치시키는 한 쌍의 임피던스 정합회로부, 상기 임피던스 정합된 전원이 상기 전극부재의 급전점에 공급되도록 하는 전력분배부, 그리고 상기 한 쌍의 고주파 전원공급부를 서로 교번적으로 온/오프 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 1 항에 있어서,상기 전극부재는 콤(comb) 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 2 항에 있어서, 상기 일자형 전극은 봉 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 일자형 전극은 아노다이징된 알루미늄, SUS, 금속봉 주위에 절연물질이 코팅된 재질 등을 튜브 상태로 씌운 구조 중 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 4 항에 있어서,상기 절연물질은 Si02, 수정, 테프론 등인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 1항에 있어서,상기 전극부재의 연결봉에서 먼 단부는 전기적으로 오픈(open) 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 1 항에 있어서,상기 전극부재의 연결봉에서 먼 단부는 전기적으로 접지(ground) 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 1 항에 있어서,상기 제어부는 상기 고주파 전원공급부를 동시에 온 구동하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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10
일자형 전극 2개가 연결봉에 의해 연결되고, 그 연결봉 중심에 고주파 전원을 균일하게 제공하기 위한 급전점이 형성되는 다수의 전극부재와;상기 전극부재에 고주파 전원을 공급하는 급전회로부를 포함하고;상기 전극부재는, 동일 평면상에 복수 개 제공된 상태에서 어느 하나의 전극부재가 이웃하는 전극부재와는 서로 반대방향에서 고주파 전원을 공급받도록 상기 급전점이 서로 다른 방향을 향하도록 엇갈려서 배열되고, 상기 일자형 전극 각각은 이웃하는 일자형 전극과 각각 일정 간격 이격된 상태가 되도록 위치되고;상기 급전회로부는, 상기 고주파 전원을 발생하는 고주파 전원공급부와, 상기 발생된 고주파 전원을 서로 다른 경로로 제공하도록 스위칭 동작하는 스위칭부, 상기 스위칭부 온 동작시 공급되는 상기 고주파 전원을 상기 전극부재로 공급하는 한 쌍의 전력분배부, 그리고 상기 고주파 전원공급부와 상기 스위칭부의 스위칭 동작을 제어하는 제어부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 10 항에 있어서,상기 전력분배부는 트리(tree) 구조인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 10 항에 있어서,상기 전력분배부는 대칭 구조인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 10 항에 있어서,상기 고주파 전원은 13
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제 13 항에 있어서,상기 고주파 전원은 펄스(pulse) 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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제 10 항에 있어서,상기 일자형 전극은 플라즈마 성막 및 에칭장치에서 챔버내로 가스를 도입할 수 있도록 일정 토출공이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치
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챔버 내부에 제공된 기판을 일정 온도로 가열하는 단계,상기 챔버 내부에 제 1 항의 전극배열구조를 갖는 전극봉의 토출공을 통해 혼합가스를 공급하는 단계,상기 혼합가스가 공급되면 상기 전극배열구조에서 각각 다른 방향으로 배열되어 있는 다수의 전극부재로 고주파 전원을 균일하게 교대로 공급하는 단계,상기 전극부재 주변에서 플라즈마가 교대로 발생하는 단계,상기 발생된 플라즈마에 의해 기판 상부에 박막을 형성하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 발생방법
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박막형성된 기판이 설치된 챔버 내부로 전극봉에 형성된 토출공을 통해 에칭가스를 공급하는 단계,상기 에칭가스가 공급되면 제 1 항의 전극배열구조에서 각각 다른 방향으로 배열되어 있는 다수의 전극부재로 고주파 전원을 균일하게 교대로 공급하는 단계,상기 고주파 공급에 의해 발생된 플라즈마에 의하여 기판상에 형성된 박막을 에칭하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 발생방법
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제 16항 또는 제 17항에 있어서,상기 서로 다른 방향으로 배열된 전극부재에 시간 간격을 두고 교대로 고주파 전원을 공급하여 정재파 발생을 방지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생방법
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제 16항 또는 제 17항에 있어서,상기 전극부재는 이웃하는 전극부재와 전기적으로 오픈(open)되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생방법
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제 16항 또는 제 17항에 있어서,상기 고주파 전원 공급시 정재파가 발생되면 반대편 고주파 전원을 추가로 공급하여 상기 발생된 정재파를 보상하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생방법
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제 16항 또는 제 17항에 있어서,상기 고주파 전원 공급에 의해 박막의 불균일성이 발생하면 두 고주파 전원을 동시에 온(on)시켜 임의의 위치에 정재파를 형성하여 박막 또는 에칭의 불균일성을 추가로 보상하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생방법
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