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분할 노광을 위한 마스크, 이를 이용한 패터닝 방법 및액정표시장치의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015045748
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요약 본 발명은 분할 노광을 위한 마스크 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 분할 노광을 위한 마스크는 복수 개의 화소 영역이 정의된 기판, 상기 기판 상의 각 화소 영역 내에 형성되며 적어도 한 번 꺾인 형상의 복수 개의 전극 패턴, 및 상기 기판의 일측 및 타측에 최인접한 일렬의 상기 화소 영역들에 대응되어 형성되며, 상기 전극 패턴이 형성되지 않는 가장자리 부위를 가리도록 형성된 제 1 및 제 2 더미패턴을 포함하여 구성됨에 그 특징이 있다.횡전계방식, 분할노광, 마스크, 액정표시장치
Int. CL G02F 1/13 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 1/38(2013.01) G03F 1/38(2013.01) G03F 1/38(2013.01)
출원번호/일자 1020060116248 (2006.11.23)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1274690-0000 (2013.06.05)
공개번호/일자 10-2008-0046800 (2008.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20130612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.25)
심사청구항수 25

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원대현 대한민국 경북 구미시
2 최선영 대한민국 경기도 군포시 산본천로***번길 **, ***호 (

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0859576-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0833787-80
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0065949-19
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0644778-72
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-1082125-39
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0081511-93
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0081512-38
13 등록결정서
Decision to grant
2013.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0349102-87
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수 개의 화소 영역이 정의된 기판;상기 기판 상에, 적어도 한번 꺽인 형태로 각각 형성되는 복수 개의 전극 패턴;상기 기판 상에, 상기 복수 개의 전극 패턴 중 상기 기판 내의 일측 가장자리 영역에서 분리되는 일부 각각을 메우도록 형성되는 제 1 더미 패턴; 및상기 기판 상에, 상기 복수 개의 전극 패턴 중 상기 기판 내의 타측 가장자리 영역에서 분리되는 다른 일부 각각을 메우도록 형성되는 제 2 더미 패턴을 포함하고,상기 제 1 더미 패턴의 테두리 중 일측 가장자리는 상기 일부의 전극 패턴에 매칭되도록 적어도 한번 꺾인 형태이며, 다른 일측 가장자리는 상기 기판의 일측 가장자리에 매칭되고,상기 제 2 더미 패턴의 테두리 중 일측 가장자리는 상기 기판의 타측 가장자리에 매칭되며, 다른 일측 가장자리는 상기 다른 일부의 전극 패턴에 매칭되도록 적어도 한번 꺾인 형태임을 특징으로 하는 분할 노광을 위한 마스크
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전극 패턴은 공통 전극 패턴, 데이터 라인 패턴 및 화소 전극 패턴 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 분할 노광을 위한 마스크
3 3
복수 개의 화소 영역이 정의된 기판;상기 기판 상에, 일방향으로 형성되는 게이트라인 패턴;상기 기판 상에, 상기 게이트라인 패턴으로부터 돌출되어 형성되는 게이트전극 패턴;상기 기판 상에, 상기 게이트라인 패턴과 평행하게 형성되는 공통라인 패턴; 상기 기판 상에, 상기 복수 개의 화소영역에 대응하여 상기 공통라인 패턴으로부터 돌출되고 가운데가 적어도 한번 꺾인 형태로 각각 형성되는 복수 개의 공통전극 패턴; 상기 기판 상에, 상기 복수 개의 공통전극 패턴 중 상기 기판 내의 일측 가장자리 영역에서 분리되는 일부 각각을 메우도록 형성되는 제 1 더미 패턴; 및 상기 기판 상에, 상기 복수 개의 공통전극 패턴 중 상기 기판 내의 타측 가장자리 영역에서 분리되는 다른 일부 각각을 메우도록 형성되는 제 2 더미 패턴을 포함하고,상기 제 1 더미 패턴의 테두리 중 일측 가장자리는 상기 일부의 공통전극 패턴에 매칭되도록 적어도 한번 꺾인 형태이며, 다른 일측 가장자리는 상기 기판의 일측 가장자리에 매칭되고,상기 제 2 더미 패턴의 테두리 중 일측 가장자리는 상기 기판의 타측 가장자리에 매칭되며, 다른 일측 가장자리는 상기 다른 일부의 공통전극 패턴에 매칭되도록 적어도 한번 꺾인 형태임을 특징으로 하는 분할 노광을 위한 마스크
4 4
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 1 더미 패턴은 ◀ 모양을 갖고 상기 기판의 일측 가장자리를 따라 일렬로 나열되어 형성되고, 상기 제 2 더미 패턴은 모양을 갖고 상기 기판의 타측 가장자리를 따라 일렬로 나열되어 형성됨을 특징으로 하는 분할 노광을 위한 마스크
5 5
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 제 1 더미 패턴은 모양을 갖고 상기 기판의 일측 가장자리를 따라 일렬로 나열되어 형성되고, 상기 제 2 더미 패턴은 ▶ 모양을 갖고 상기 기판의 타측 가장자리를 따라 일렬로 나열되어 형성됨을 특징으로 하는 분할 노광을 위한 마스크
6 6
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 일측은 좌측이고, 상기 타측은 우측인 것을 특징으로 하는 분할 노광을 위한 마스크
7 7
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 일측은 상측이고, 상기 타측은 하측인 것을 특징으로 하는 분할 노광을 위한 마스크
8 8
기판 상에 금속 물질을 증착하고, 상기 기판 전면에 포토 레지스트를 도포하는 단계;가운데가 적어도 한번 꺾인 형태를 갖는 복수 개의 전극 패턴을 포함한 마스크를 상기 기판의 일측 영역에 대응시킨 상태에서, 상기 포토 레지스트를 노광하는 단계;상기 마스크를 상기 기판의 타측으로 쉬프트시켜 상기 기판의 타측 영역에 대응시킨 상태에서, 상기 포토 레지스트를 노광하는 단계;상기 노광된 포토 레지스트를 현상하는 단계; 및상기 현상된 포토 레지스트를 이용하여 상기 금속 물질을 식각하는 단계를 포함하고,상기 마스크는,상기 복수 개의 전극 패턴 중 상기 마스크 내의 일측 가장자리 영역에서 분리되는 일부 각각을 메우도록 형성되는 제 1 더미 패턴; 및상기 복수 개의 전극 패턴 중 상기 마스크 내의 타측 가장자리 영역에서 분리되는 다른 일부 각각을 메우도록 형성되는 제 2 더미 패턴을 더 포함하며,상기 제 1 더미 패턴의 테두리 중 일측 가장자리는 상기 일부의 전극 패턴에 매칭되도록 적어도 한번 꺾인 형태이고, 다른 일측 가장자리는 상기 마스크의 일측 가장자리에 매칭되며,상기 제 2 더미 패턴의 테두리 중 일측 가장자리는 상기 마스크의 타측 가장자리에 매칭되고, 다른 일측 가장자리는 상기 다른 일부의 전극 패턴에 매칭되도록 적어도 한번 꺾인 형태임을 특징으로 하는 패터닝 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 전극 패턴은 공통 전극 패턴, 데이터 라인 패턴 및 화소 전극 패턴 중 어느 하나인 것을 특징으로 패터닝 방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 기판의 일측 영역과 상기 기판의 타측 영역은 적어도 일부 오버랩함을 특징으로 하는 패터닝 방법
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 포토 레지스트를 현상하는 단계 이전에,상기 마스크를 상기 기판의 서로 다른 영역에 대응시킨 상태에서 상기 포토 레지스트를 노광하는 단계를 복수 회 더 포함함을 특징으로 하는 패터닝 방법
12 12
삭제
13 13
제 8 항에 있어서,상기 제 1 더미 패턴은 ◀ 모양을 갖고 상기 마스크의 일측 가장자리를 따라 일렬로 나열되어 형성되고, 상기 제 2 더미 패턴은 모양을 갖고 상기 마스크의 타측 가장자리를 따라 일렬로 나열되어 형성됨을 특징으로 하는 패터닝 방법
14 14
제 8 항에 있어서,상기 제 1 더미 패턴은 모양을 갖고 상기 마스크의 일측 가장자리를 따라 일렬로 나열되어 형성되고, 상기 제 2 더미 패턴은 ▶ 모양이 마스크의 타측 가장자리를 따라 일렬로 나열되어 형성됨을 특징으로 하는 패터닝 방법
15 15
제 8 항에 있어서,상기 일측은 좌측이고, 상기 타측은 우측인 것을 특징으로 하는 패터닝 방법
16 16
제 8 항에 있어서,상기 일측은 상측이고, 상기 타측은 하측인 것을 특징으로 하는 패터닝 방법
17 17
복수 개의 화소 영역이 정의된 기판 상에 제 1 금속물질을 증착하고, 기판 전면에 포토 레지스트를 도포하는 단계;일방향의 게이트라인 패턴, 상기 게이트라인 패턴으로부터 돌출되는 게이트 전극 패턴, 상기 게이트 라인 패턴에 평행한 공통라인 패턴, 및 상기 공통라인 패턴으로부터 돌출되고 가운데가 적어도 한번 꺾인 형태를 갖는 둘 이상의 공통전극 패턴을 포함한 마스크를 상기 기판의 일측 영역에 대응시킨 상태에서, 상기 포토 레지스트를 노광하는 단계;상기 마스크를 상기 기판의 타측으로 쉬프트시켜 상기 기판의 타측 영역에 대응시킨 상태에서, 상기 포토 레지스트를 노광하는 단계;상기 노광된 포토 레지스트를 현상하는 단계;상기 기판 상에, 일방향의 게이트라인, 상기 게이트라인으로부터 돌출되는 게이트전극, 상기 게이트라인과 평행한 공통라인, 및 상기 복수 개의 화소 영역에 대응하여 상기 공통라인으로부터 돌출되고 가운데가 적어도 한번 꺾인 형태를 갖는 복수 개의 공통전극이 형성되도록, 상기 현상된 포토 레지스트를 이용하여 상기 제 1 금속물질을 식각하는 단계;상기 게이트라인, 게이트 전극, 공통라인 및 공통전극을 포함한 기판 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극 상부에 반도체층을 형성하는 단계;상기 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 라인 및 이로부터 반도체층 상부로 돌출된 소스 전극 및 이와 이격된 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막에 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 콘택홀을 통해 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 공통전극과 교번하도록 화소전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 마스크는,상기 둘 이상의 공통전극 패턴 중 상기 마스크 내의 일측 가장자리 영역에서 분리되는 일부 각각을 메우도록 형성되는 제 1 더미 패턴; 및상기 둘 이상의 공통전극 패턴 중 상기 마스크 내의 타측 가장자리 영역에서 분리되는 다른 일부 각각을 메우도록 형성되는 제 2 더미 패턴을 더 포함하며,상기 제 1 더미 패턴의 테두리 중 일측 가장자리는 상기 일부의 공통전극 패턴에 매칭되도록 적어도 한번 꺾인 형태이고, 다른 일측 가장자리는 상기 마스크의 일측 가장자리에 매칭되며,상기 제 2 더미 패턴의 테두리 중 일측 가장자리는 상기 마스크의 타측 가장자리에 매칭되고, 다른 일측 가장자리는 상기 다른 일부의 공통전극 패턴에 매칭되도록 적어도 한번 꺾인 형태임을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 마스크가 대응되는 부위는 기판의 액티브 영역인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
19 19
제 17 항에 있어서,상기 기판의 일측을 노광하는 단계와 상기 기판의 타측을 노광하는 단계는 오버랩되어 일어나는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
20 20
제 17 항에 있어서, 상기 마스크를 쉬프트시켜 노광하는 단계는 복수 회 쉬프트 시켜 노광하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
21 21
제 17 항에 있어서,상기 기판의 일측을 노광하는 단계에서 사용하는 마스크와 상기 기판의 타측을 노광하는 단계에서 사용하는 마스크는 동일한 마스크인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
22 22
제 17 항에 있어서,상기 기판의 일측을 노광하는 단계에서 사용하는 마스크와 상기 기판의 타측을 노광하는 단계에서 사용하는 마스크는 서로 다른 패턴을 가진 마스크인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
23 23
제 17 항에 있어서,상기 제 1 더미 패턴은 ◀ 모양이 마스크의 일측 가장자리를 따라 일렬로 형성되고, 상기 제 2 더미 패턴은 모양이 마스크의 타측 가장자리를 따라 일렬로 형성된 마스크를 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
24 24
제 17 항에 있어서,상기 제 1 더미 패턴은 모양이 마스크의 일측 가장자리를 따라 일렬로 형성되고, 상기 제 2 더미 패턴은 ▶ 모양이 마스크의 타측 가장자리를 따라 일렬로 형성된 마스크를 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
25 25
제 17 항에 있어서,상기 일측은 좌측이고, 상기 타측은 우측인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
26 26
제 17 항에 있어서,상기 일측은 상측이고, 상기 타측은 하측인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.