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태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조되는 태양전지

  • 기술번호 : KST2015045791
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요약 본 발명은 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조되는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 태양전지의 제조방법은 (S1) 제1 도전형 반도체 기판 상에 이온주입(implantation)에 의해 그에 반대 도전형의 제2 도전형 반도체층을 형성하여, 그 계면에 p-n 접합을 형성하는 단계; (S2) 상기 제2 도전형 반도체층 위를 알칼리 용액으로 처리하여 텍스쳐링하는 단계; (S3) 텍스쳐링된 상기 제2 도전형 반도체층 상에 반사방지막을 형성하는 단계; (S4) 상기 반사방지막의 일부 영역을 관통하며 상기 제2 도전형 반도체층의 일부와 연결되는 전면전극을 형성하는 단계; 및 (S5) 상기 제1 도전형 반도체 기판을 사이에 두고 상기 전면전극과 반대측에, 상기 제1 도전형 반도체 기판과 연결되도록 후면전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지 제조방법에 따르면, 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 이온 주입에 의한 에미터층 형성 후에 진행함으로써, 에미터층이 식각정지층으로 기능하여 웨이퍼의 균일한 표면 구현이 가능하여 태양광에 대한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 제조방법에 따르면, PSG 제거 공정 및 에지 아이솔레이션 공정을 거칠 필요가 없어, 공정을 간소화하고 제조 단가를 감소시킬 수 있다. 태양전지, 광기전력효과, p-n 접합, 이온주입법 반사방지막, 텍스쳐링
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020060115892 (2006.11.22)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0964153-0000 (2010.06.09)
공개번호/일자 10-2008-0046439 (2008.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20100617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.13)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성은 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0857179-29
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0814131-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0159794-85
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2009-0017988-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0280151-35
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0537244-97
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0537239-68
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2009.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0510667-66
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0069019-44
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0069059-60
16 등록결정서
Decision to grant
2010.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0210781-28
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
제1 도전형 반도체 기판의 한 면에 이온주입(implantation)에 의해 이온이 주입된 제1 부분과 상기 제1 부분보다 높은 이온 농도를 갖는 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형을 갖는 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제2 도전형 반도체층의 상기 제1 부분을 식각하여 텍스쳐링하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층에 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 도전형 반도체 기판에 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계 를 포함하고 상기 제2 도전성 반도체층의 표면으로부터 상기 제1 부분까지의 거리는 상기 표면으로부터 상기 제2 부분까지의 거리보다 짧은 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 텍스쳐링 단계는 알칼리 용액을 사용하여 상기 제1 부분을 식각하고, 상기 알칼리 용액은 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 수산화암모늄으로 이루어진 군에서 선택되는 알칼리를 포함하여 이루어지는 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 텍스쳐링된 상기 제2 도전형 반도체층 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 반사 방지막의 일부 영역을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층의 일부와 연결되는 태양전지의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 알칼리 용액에 의한 처리 시간은 10 내지 90 분인 태양전지의 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 반사 방지막은 실리콘나이트라이드로 형성되는 태양전지의 제조방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 반사 방지막은 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 또는 화학기상증착(CVD)으로 형성되는 태양전지의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형은 p형이고, 상기 제2 도전형은 n형인 태양전지의 제조방법
8 8
제1 도전형 반도체 기판, 상기 제1 도전형 반도체 기판에 형성되고, 이온이 주입된 제1 부분과 상기 제1 부분보다 높은 이온 농도를 갖는 제2 부분을 포함하고 상기 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형을 갖는 제2 도전형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층에 연결되는 제1 전극, 그리고 상기 제1 도전형 반도체 기판에 연결되는 제2 전극 을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층의 표면으로부터 상기 제1 부분까지의 거리는 상기 표면으로부터 상기 제2 부분까지의 거리보다 짧고, 상기 제1 부분은 텍스쳐링된 태양전지
9 9
제8항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층 위에 위치하는 반사 방지막을 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 반사 방지막의 일부를 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층에 연결되는 태양 전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02092574 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 TW200830566 TW 대만 FAMILY
3 US07838761 US 미국 FAMILY
4 US08426723 US 미국 FAMILY
5 US20100018573 US 미국 FAMILY
6 US20110017290 US 미국 FAMILY
7 WO2008062953 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2092574 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2092574 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 TW200830566 TW 대만 DOCDBFAMILY
4 TWI353065 TW 대만 DOCDBFAMILY
5 US2010018573 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2011017290 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US7838761 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8426723 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2008062953 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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