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유기전계발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015045839
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 제 1 기판; 제 1 기판 상에 위치하는 스캔 배선, 데이터 배선, 제 1 전원 배선 및 제 2 전원 배선을 포함하는 신호 배선들; 제 1 기판 상에 위치하는 게이트 전극, 하나 이상의 절연막층, 반도체층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 구동 트랜지스터; 제 1 기판과 대향 하는 제 2 기판; 제 2 기판 상에 위치하는 제 1 전극; 제 1 전극 상에 위치하며, 제 1 전극의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀 및 개구부와 동일공정에 의해 패턴된 제 1 및 제 2 스페이서들을 포함하는 화소정의막; 개구부 내에 위치하는 유기 발광층; 및 제 1 스페이서 상에 위치하여 제 1 전극에 연결된 제 1 연결 전극과, 제 2 스페이서 및 유기 발광부 상에 위치하는 제 2 연결 전극을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.유기전계발광소자, 스페이서, 제조방법
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H05B 33/26 (2006.01)
CPC H01L 51/525(2013.01) H01L 51/525(2013.01) H01L 51/525(2013.01) H01L 51/525(2013.01) H01L 51/525(2013.01)
출원번호/일자 1020060117719 (2006.11.27)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1258257-0000 (2013.04.19)
공개번호/일자 10-2008-0047814 (2008.05.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상근 대한민국 서울 노원구
2 전애경 대한민국 서울특별시 금천구
3 유인선 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0872881-60
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0709596-18
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0919857-72
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.09.05 수리 (Accepted) 9-1-2012-0070327-59
10 등록결정서
Decision to grant
2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0139890-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 기판;상기 제 1 기판 상에 위치하는 스캔 배선, 데이터 배선, 제 1 전원 배선 및 제 2 전원 배선을 포함하는 신호 배선들;상기 제 1 기판 상에 위치하는 게이트 전극, 하나 이상의 절연막층, 반도체층, 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 구동 트랜지스터;상기 제 1 기판과 대향 하는 제 2 기판;상기 제 2 기판 상에 위치하는 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 위치하며, 상기 제 1 전극의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀 및 개구부와 동일공정에 의해 패턴된 제 1 및 제 2 스페이서들을 포함하는 화소정의막;상기 개구부 내에 위치하는 유기 발광층; 및상기 제 1 스페이서 상에 위치하여 상기 제 1 전극에 연결된 제 1 연결 전극과, 상기 제 2 스페이서 및 상기 유기 발광부 상에 위치하는 제 2 연결 전극을 포함하는 유기전계발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 스페이서는,상기 제 2 기판 상에 위치하는 화소정의막 상에 돌출되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
3 3
제1항에 있어서,상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 외곽에 위치하는 실란트를 포함하며,상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판이 상기 실란트에 의해 합착시,상기 제 1 연결 전극은, 상기 제 1 전원 배선과 연결되며, 상기 제 2 연결 전극은 상기 구동 트랜지스터의 소오스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나와 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
4 4
제 1 기판 상에, 게이트 전극, 스캔 배선, 제 1 전원 배선 및 제 2 전원 배선을 포함하는 신호 배선들을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 및 신호 배선들을 포함한 제 1 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 전극과 일정 영역이 대응되도록 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하며, 상기 제 1 전원 배선에 연결되는 제 1 금속 전극과, 상기 제 2 전원 배선에 연결되는 제 2 금속 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 기판과 대향 하는 제 2 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 화소정의막을 형성하고, 상기 제 1 전극의 일부를 노출시키는 제 1 콘택홀 및 개구부와, 제 1 및 제 2 스페이서들을 동시에 형성하는 단계;상기 개구부 내에 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 스페이서 상에 상기 제 1 전극에 연결되는 제 1 연결 전극과, 상기 제 2 스페이서 및 상기 유기 발광층 상에 제 2 연결 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 스페이서는,상기 제 2 기판 상에 위치하는 화소정의막 상에 돌출 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 제 1 연결 전극과 상기 제 2 연결 전극 형성단계 이후에는,상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판의 외곽에 실란트를 형성하고 합착하는 단계를 포함하며,상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판을 합착하는 단계에서, 상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 1 연결 전극은 상기 제 1 기판 상에 형성된 상기 제 1 전원 배선과 연결되며, 상기 제 2 기판 상에 형성된 상기 제 2 연결 전극은 상기 제 1 기판 상에 형성된 상기 소오스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나와 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
7 7
제4항에 있어서, 상기 반도체층, 소오스 전극, 드레인 전극, 제 1 금속 전극 및 제 2 금속 전극을 형성하는 단계 이후에는,상기 제 1 금속 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극 상에서, 상기 제 1 금속 전극의 일부와, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극의 일부가 노출되도록 패시베이션막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기전계발광소자의 제조방법
8 8
제4항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 제 1 전원 배선과 상기 제 2 전원 배선을 노출시키는 제 1 및 제 2 비어홀을 포함하며,상기 제 1 금속 전극과 상기 제 2 금속 전극은,상기 제 1 및 제 2 비어홀을 통해 상기 제 1 전원 배선과 상기 제 2 전원 배선에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
9 9
제4항에 있어서, 상기 제 1 연결 전극은,상기 제 1 콘택홀을 통해 연결되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.