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반도체의 결정화방법

  • 기술번호 : KST2015045912
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요약 본 발명은 균일도를 높이도록 한 반도체의 결정화방법에 관한 것이다. 이 반도체의 결정화방법은 레이저 빔을 제1 이동피치만큼 이동시키면서 비정질 실리콘 박막에 상기 레이저 빔을 1차 조사하는 단계; 및 상기 레이저 빔을 제2 이동피치만큼 이동시키면서 상기 비정질 실리콘 박막에 상기 레이저 빔을 2차 조사하여 상기 비정질 실리콘 박막의 결정화를 유도하여 상기 비정질 실리콘 박막으로부터 상기 비정질 실리콘 박막을 얻는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01)
출원번호/일자 1020060116962 (2006.11.24)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1340837-0000 (2013.12.05)
공개번호/일자 10-2008-0047076 (2008.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20131211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최수홍 대한민국 경기도 남양주시 도농로 **,
2 손원소 대한민국 경북 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0865202-25
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0606934-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0914256-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0711228-97
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0012833-36
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0197281-64
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0446013-73
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0446017-55
14 등록결정서
Decision to grant
2013.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0641534-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 실리콘 박막에 레이저 빔을 제1 이동피치만큼 이동시키면서 1차 조사하는 단계; 및 상기 1차 조사된 비정질 실리콘 박막에 상기 레이저 빔을 제2 이동피치만큼 이동시키면서 2차 조사하여 상기 비정질 실리콘 박막의 결정화를 유도하여 폴리 실리콘 박막을 얻는 단계를 포함하며,상기 제1 이동피치 및 제2 이동피치는 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체의 결정화방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 레이저 빔은 이동 전후에 한 샷씩 상기 비정질 실리콘 박막에 조사되며, 상기 2차 조사시 샷과 샷사이에서 상기 레이저빔의 중첩폭은 상기 1차 조사시 샷과 샷사이에서 상기 레이저빔의 중첩폭과 다른 것을 특징으로 하는 반도체의 결정화방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 1차 조사시의 레이저 빔 이동방향과 상기 2차 조사시의 레이저 빔 이동방향은 동일한 것을 특징으로 하는 반도체의 결정화방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 1차 조사시의 레이저 빔 이동방향은 상기 2차 조사시의 레이저 빔 이동방향과 역 방향인 것을 특징으로 하는 반도체의 결정화방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 2차 조사시 사용되는 레이저 빔의 빔폭은 상기 1차 조사시 사용되는 레이저 빔의 빔폭과 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체의 결정화방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.