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태양전지의 제조방법 및 태양전지

  • 기술번호 : KST2015045976
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요약 본 발명은 태양전지의 제조방법 및 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 제조방법은 (S1) 제1 도전형 실리콘 웨이퍼의 전 표면에 제2 도전형 도전층을 형성하는 단계; (S2) 상기 제2 도전형 도전층의 전 표면에 실리콘옥사이드층을 형성하는 단계; (S3) 상기 제2 도전형 도전층 및 실리콘옥사이드층이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼의 일면에 마스크를 위치시키고, 플라즈마 에칭으로 후면전극이 로컬 컨텍트되는 영역의 제2 도전형 도전층 및 실리콘옥사이드층과 상기 실리콘 웨이퍼의 측단에 도포된 상기 제2 도전형 도전층 및 실리콘옥사이드층을 에칭하는 단계; (S4) 상기 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭된 면과 반대면의 실리콘옥사이드층 위에 실리콘나이트라이드층을 형성하는 단계; (S5) 상기 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭된 면에 후면전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계; (S6) 상기 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭된 면의 반대면에 소정 패턴에 따라 전면전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계; 및 (S7) 상기 전면전극 및 후면전극 형성용 페이스트를 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 태양전지의 제조공정을 간소화하고 제조단가를 낮출 수 있다 태양전지, 광기전력효과, 반도체, 플라즈마 에칭, 마스크, 반사방지막
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020060121710 (2006.12.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1223021-0000 (2013.01.10)
공개번호/일자 10-2008-0050863 (2008.06.10) 문서열기
공고번호/일자 (20130117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.15)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이대용 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0898959-20
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0159686-52
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0451712-17
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0042217-34
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0378307-74
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0643935-29
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0643936-75
13 등록결정서
Decision to grant
2012.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0784457-71
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) 제1 도전형 실리콘 웨이퍼의 전후면 및 측면을 포함하는 표면 전체에 제2 도전형 도전층을 형성하는 단계;(S2) 상기 실리콘 웨이퍼의 전후면 및 측면에 위치하는 제2 도전형 도전층의 표면 전체에 실리콘옥사이드층을 형성하는 단계;(S3) 상기 제2 도전형 도전층 및 실리콘옥사이드층이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼의 일면에 마스크를 위치시키고, 플라즈마 에칭으로 후면전극이 로컬 컨텍트되는 영역의 제2 도전형 도전층 및 실리콘옥사이드층과 상기 실리콘 웨이퍼의 측단에 도포된 상기 제2 도전형 도전층 및 실리콘옥사이드층을 에칭하는 단계;(S4) 상기 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭된 면과 반대면의 실리콘옥사이드층 위에 실리콘나이트라이드층을 형성하는 단계;(S5) 상기 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭된 면에 후면전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계;(S6) 상기 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭된 면의 반대면에 소정 패턴에 따라 전면전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계; 및(S7) 상기 전면전극 및 후면전극 형성용 페이스트를 열처리하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 실리콘 웨이퍼는 p형 실리콘 웨이퍼이고, 상기 제2 도전형 도전층은 n형 도전층인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (S2) 단계는 산소 분위기에서 열처리함에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 (S2) 단계에서의 열처리는 800 내지 1200℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (S4) 단계는 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링(sputtering)으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
6 6
(S1) 제1 도전형 실리콘 웨이퍼의 전후면 및 측면을 포함하는 표면 전체에 제2 도전형 도전층을 형성하는 단계;(S2) 실리콘 웨이퍼의 전면에 위치하는 제2 도전형 도전층 및 상기 실리콘웨이퍼의 후면에 위치하는 제2 도전형 도전층의 각 표면에 실리콘나이트라이드층을 형성하는 단계;(S3) 상기 제2 도전형 도전층 및 실리콘나이트라이드층이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼의 일면에 마스크를 위치시키고, 플라즈마 에칭으로 후면전극이 로컬 컨텍트되는 영역의 제2 도전형 도전층 및 실리콘나이트라이드층과 상기 실리콘 웨이퍼의 측단에 도포된 상기 제2 도전형 도전층 및 실리콘나이트라이드층을 에칭하는 단계;(S4) 상기 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭된 면에 후면전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계;(S5) 상기 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭된 면의 반대면에 소정 패턴에 따라 전면전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계; 및(S6) 상기 전면전극 및 후면전극 형성용 페이스트를 열처리하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 실리콘 웨이퍼는 p형 실리콘 웨이퍼이고, 상기 제2 도전형 도전층은 n형 도전층인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (S2) 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
9 9
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