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제1기판과; 상기 제 1 기판의 내측면 전체에 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 기판과 마주하는 제 2 기판과; 상기 제 2 기판의 내측면에서 서로에 대해 제1거리만큼 이격되어 형성된 제2전극과; 상기 제2전극을 덮도록 형성된 절연막과; 상기 절연막상에 상기 제2전극과 중첩되며, 서로에 대해 제2거리만큼 이격되어 형성된 제3전극과;상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성된 액정층과;상기 제1기판과 제2기판 사이에 형성되며, 상기 제3전극과 중첩되는 영역에 형성되는 컬럼스페이서를 포함하는 액정렌즈
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청구항 제 1 항에 있어서, 상기 제1전극 상부에 형성되는 제1배향막과;상기 제3전극 상부에 형성되는 제2배향막을 더욱 포함하는 액정렌즈
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3 |
3
청구항 제 2 항에 있어서,상기 제3전극과 제2배향막 사이에 형성되는 보호막을 더욱 포함하는 액정렌즈
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4 |
4
청구항 제 1 항에 있어서,상기 제1거리는 제2거리보다 작은 거리인 것을 특징으로 하는 액정렌즈
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5 |
5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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6 |
6
청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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7 |
7
청구항 제 1 항에 있어서,상기 컬럼스페이서는 수지로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정렌즈
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8
청구항 제 7 항에 있어서,상기 수지는 감광성의 유기수지인 것을 특징으로 하는 액정렌즈
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9
청구항 제 1 항에 있어서,상기 컬럼스페이서의 유전율은 상기 액정층에 포함된 액정분자의 장축 유전율보다 작고 또한 상기 액정분자의 단축 유전율보다 큰 것을 특징으로 하는 액정렌즈
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10
청구항 제 1 항에 있어서,상기 컬럼스페이서의 유전율(εc/s)은, 수식 εc/s = 1/3(εL + 2εS)(여기서, εL은 액정분자의 장축 유전율, εS는 액정분자의 단축 유전율)과 같이 나타나는 것을 특징으로 하는 액정렌즈
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11
청구항 제 1 항에 있어서,상기 컬럼스페이서의 굴절율은 상기 액정층에 포함된 액정분자의 단축 굴절율과 같은 것을 특징으로 하는 액정렌즈
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