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다층 구조의 박막 트랜지스터 제조방법 및 상기 박막트랜지스터를 포함하는 능동 구동 표시 소자

  • 기술번호 : KST2015046011
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라스틱 기판을 사용한 다층 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 및 상기 제조 방법으로 제조된 박막 트랜지스터를 포함하는 능동 구동 표시 소자에 관한 것으로, 본 트랜지스터 제조방법은 플라스틱 기판을 준비하는 단계; 상기 플라스틱 기판 상에 완충 절연층을 형성하는 단계; 상기 완충 절연층 상에 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 실리콘층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연층 상에 복수의 게이트 금속층을 적층하는 단계; 상기 복수의 게이트 금속층을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 게이트 금속층 중 상기 게이트 절연층 상에 형성된 최하층 게이트 금속층의 외곽 영역을 식각하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 본 발명에서는 다층 구조의 게이트 금속층을 포함하며 모서리 영역이 식각된 게이트 금속을 형성함으로써, 전기장을 완화시켜 TFT 소자의 누설전류를 완화시킬 수 있다.플라스틱 기판, 박막 트랜지스터, 다층 구조의 게이트 금속
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01)
출원번호/일자 1020060123955 (2006.12.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0817746-0000 (2008.03.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080331) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.07)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용해 대한민국 경기 성남시 분당구
2 정중희 대한민국 대전 서구
3 문제현 대한민국 대전 유성구
4 송윤호 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 경기도 과천시 관문
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0908483-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058615-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0565720-97
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0924762-23
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0924759-96
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0153426-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
플라스틱 재질의 기판을 준비하는 단계;상기 플라스틱 기판 상에 완충 절연층을 형성하는 단계;상기 완충 절연층 상에 실리콘층을 형성하는 단계;상기 실리콘층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 복수의 게이트 금속층을 적층하는 단계; 상기 복수의 게이트 금속층을 패터닝하는 단계; 및상기 패터닝된 게이트 금속층 중 상기 게이트 절연층 상에 형성된 최하층 게이트 금속층의 외곽 영역을 식각하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트 금속층이 세 층 이상인 경우, 최상층의 게이트 금속층의 외곽 영역을 식각하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 복수의 게이트 금속층 중 최상층은 나머지 게이트 금속층보다 반사도가 높은 물질을 이용하여 적층하는 박막 트랜지스터 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 최상층은 Al, Ag, Al합금 및 Ag합금 중 하나를 이용하는 박막트랜지스터 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 복수의 게이트 금속층 중 상기 최하층과 직접 접촉하는 게이트 금속층은 상기 최하층과 다른 재료로 형성되는 박막 트랜지스터 제조방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터 제조방법을 이용하여 제조된 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 캐패시터 및 발광소자를 포함하는 능동 구동 표시소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07642143 US 미국 FAMILY
2 US20080135837 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008135837 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7642143 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.