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로딩 챔버; 및 상기 로딩 챔버에 연결되어 적어도 하나의 기판을 대상으로 이온 주입 공정을 수행하는 이온 주입 챔버를 포함하고, 상기 로딩 챔버는 상기 이온 주입된 기판을 대상으로 어닐링 공정을 수행하고,상기 로딩 챔버는,바디의 상부 내면에 배치되는 다수의 열 발생부; 및상기 다수의 열 발생부로부터 하부 방향으로 이격되어 배치되는 셔터를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치
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제1항에 있어서, 상기 로딩 챔버는, 상기 바디의 측부 내면에 배치된 다수의 또 다른 열 발생부를 포함하는 이온 주입 장치
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제2항에 있어서, 상기 로딩 챔버는, 상기 바디의 하부 내면에 배치된 반사판을 더 포함하고, 상기 반사판은 상기 열 발생부와 상기 또 다른 열 발생부로부터 공급된 열을 반사시키는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치
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제3항에 있어서, 상기 로딩 챔버는, 상기 바디의 하부 내면에 배치된 다수의 가스 주입구를 더 포함하고, 상기 각 가스 주입구는 상기 로딩 챔버의 내부로 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치
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제7항에 있어서, 상기 각 가스 주입구는 상기 반사판을 관통하여 배치되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 발생부는 열 전달 물질로 이루어진 히터 및 적외선 램프 중 하나인 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치
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제1항에 있어서, 상기 셔터는 상기 기판의 진행 방향을 따라 왕복 운동하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치
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제1항에 있어서, 상기 로딩 챔버는, 상기 바디의 측부 내면에 배치된 제1 반사판; 상기 바디의 하부 내면에 배치된 제2 반사판을 포함하고, 상기 제1 및 제2 반사판은 상기 열 발생부로부터 공급된 열을 반사시키는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치
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제1항에 있어서, 상기 열 발생부는 열 전달 물질로 이루어진 히터 및 적외선 램프 중 하나인 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치
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제1항에 있어서, 상기 로딩 챔버와 상기 이온 주입 챔버 사이에 배치된 게이트 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치
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제1항 내지 제3항, 제7항 내지 제8항, 제10항, 제20 내지 제21항, 제25항 및 제31항의 어느 하나의 항에 의한 이온 주입 장치에 있어서, 상기 로딩 챔버로 기판을 이송하는 단계;상기 기판을 상기 이온 주입 챔버로 이송하는 단계;상기 이온 주입 챔버에서 상기 기판에 이온 주입 공정을 수행하여 비정질 실리콘을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘이 형성된 기판을 상기 로딩 챔버로 이송하는 단계;상기 로딩 챔버에서 소정의 온도로 상기 비정질 실리콘이 형성된 기판을 어닐링하는 단계를 포함하는 이온 주입 방법
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제32항에 있어서, 상기 어닐링 온도는 300도 내지 500도의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 이온 주입 방법
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제32항에 있어서, 상기 기판을 상기 이온 주입 챔버로 이송하기 전에, 상기 로딩 챔버에서 상기 기판을 소정의 온도로 프리히팅하는 단계를 더 포함하는 이온 주입 방법
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제34항에 있어서, 상기 프리히팅 온도는 100도 내지 200도의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 이온 주입 방법
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제34항에 있어서, 상기 프리히팅 온도는 상기 이온 주입 챔버의 공정 온도보다 적어도 낮은 것을 특징으로 이온 주입 방법
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제32항에 있어서, 상기 어닐링하는 단계에서, 상기 비정질 실리콘이 형성된 기판을 대상으로 소정의 가스가 분사되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 방법
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제1항 내지 제3항, 제7항 내지 제8항, 제10항, 제20 내지 제21항, 제25항 및 제31항의 어느 하나의 항에 의한 이온 주입 장치에 의해 제조된 액정표시장치
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제1항 내지 제3항, 제7항 내지 제8항, 제10항, 제20 내지 제21항, 제25항 및 제31항의 어느 하나의 항에 의한 이온 주입 장치에 의해 액정표시 장치를 제조하는 방법에 있어서, 이온 주입 공정을 수행하여 기판에 비정질 실리콘을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘을 포함하는 기판을 소정의 온도로 어닐링하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조 방법
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제40항에 있어서, 상기 어닐링 온도는 300도 내지 500도의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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