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세정 장치, 세정 방법, 세정 시스템 및 이의 운용 방법

  • 기술번호 : KST2015046049
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이물을 완전히 제거할 수 있는 세정 장치, 세정 방법, 세정 시스템 및 이의 운용 방법이 개시된다.본 발명의 세정 장치는, 플라즈마 소스를 생성하는 플라즈마 유닛; 및 상기 플라즈마 유닛의 주변에 배치되어 상기 플라즈마 소스에 의한 반응으로 대상물의 이물로부터 이탈된 부산물을 배기하는 배기 유닛을 포함한다.따라서, 본 발명은 플라즈마 소스를 이용하여 화학적 및 물리적 반응을 일으켜 이물을 완전하게 제거함으로써, 반도체 소자나 표시 패널의 패턴 간의 쇼트 불량이나 이물에 의한 패턴 형성 불량 등을 방지할 수 있으므로, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.세정, 플라즈마, 상압, 이물, 플라즈마 건, 배기
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC H01L 21/67028(2013.01) H01L 21/67028(2013.01) H01L 21/67028(2013.01)
출원번호/일자 1020060119958 (2006.11.30)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1319154-0000 (2013.10.10)
공개번호/일자 10-2008-0049427 (2008.06.04) 문서열기
공고번호/일자 (20131017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.22)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오재영 대한민국 경기 의왕시 내

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0891043-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0922475-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0066510-69
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0710874-93
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0672593-23
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0004487-45
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0004486-00
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0230397-71
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0473557-10
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0473559-12
16 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0526159-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마 소스를 생성하는 플라즈마 유닛; 및 상기 플라즈마 유닛의 주변에 배치되어 상기 플라즈마 소스에 의한 반응으로 대상물의 이물로부터 이탈된 부산물을 배기하는 배기 유닛을 포함하고,상기 플라즈마 유닛은, 상기 플라즈마 소스를 생성하여 분사하는 플라즈마 건; 소정의 주파수와 전압을 상기 플라즈마 건으로 공급하는 전원 공급부; 및소정의 가스 혼합물을 상기 플라즈마 건으로 공급하는 가스 공급부를 포함하고,상기 플라즈마 건은, 서로 대향하는 제1 및 제2 전극을 포함하고 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 상기 플라즈마 소스를 생성하는 전극부; 상기 전극의 길이 방향으로 연결되어 상기 플라즈마 소스를 상기 길이 방향으로 유도하는 유도부; 및상기 유도부의 길이 방향으로 연결되어 상기 플라즈마 소스를 고압으로 분사하는 분사부를 포함하는 세정 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 가스 혼합물은 반응성 가스와 불활성 가스를 포함하는 세정 장치
5 5
제4항에 있어서, 상기 반응성 가스는 공기, 산소 및 산화질소 중 적어도 하나 이상을 포함하는 세정 장치
6 6
제4항에 있어서, 상기 불활성 가스는 헬륨, 네온 및 아르곤 중 적어도 하나 이상을 포함하는 세정 장치
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극은 소정의 절연 물질에 의해 절연되는 것을 특징으로 하는 세정 장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 유도부는 적어도 1단 이상의 구성에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 세정 장치
9 9
제1항에 있어서, 상기 전극부, 상기 유도부 및 상기 분사부의 순서로 직경이 작아지는 것을 특징으로 하는 세정 장치
10 10
제1항에 있어서, 상기 분사부의 직경은 10um 내지 100um의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 세정 장치
11 11
제1항에 있어서, 상기 유도부와 상기 분사부는 쿼츠 재질, 세라믹 재질 및 스테인레스 스틸 재질 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세정 장치
12 12
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 소스는 상기 대상물의 이물질과 화학적 및 물리적으로 반응하는 것을 특징으로 하는 세정 장치
13 13
제1항에 있어서, 상기 배기 유닛은, 상기 부산물을 유입하는 배기부; 및 상기 배기부의 부산물을 신속히 배기하는 펌프를 포함하는 세정 장치
14 14
제1항에 있어서, 상기 플라즈마 소스는 상압 플라즈마 방식에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 세정 장치
15 15
플라즈마 소스를 생성하는 플라즈마 유닛과 상기 플라즈마 유닛 주변에 배치된 배기 유닛을 포함하고,상기 플라즈마 유닛은, 상기 플라즈마 소스를 생성하여 분사하는 플라즈마 건; 소정의 주파수와 전압을 상기 플라즈마 건으로 공급하는 전원 공급부; 및소정의 가스 혼합물을 상기 플라즈마 건으로 공급하는 가스 공급부를 포함하고,상기 플라즈마 건은, 서로 대향하는 제1 및 제2 전극을 포함하고 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 상기 플라즈마 소스를 생성하는 전극부;상기 전극의 길이 방향으로 연결되어 상기 플라즈마 소스를 상기 길이 방향으로 유도하는 유도부; 및 상기 유도부의 길이 방향으로 연결되어 상기 플라즈마 소스를 고압으로 분사하는 분사부를 포함하는 세정 장치에 있어서, 상기 플라즈마 유닛에서 상기 플라즈마 소스를 분사하는 단계; 상기 플라즈마 소스를 대상물의 이물과 반응하는 단계; 및 상기 배기 유닛에서 상기 반응에 의해 생성된 부산물을 배기하는 단계를 포함하는 세정 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 플라즈마 소스는 소정의 가스 혼합물로부터 생성되는 것을 특징으로 하는 세정 방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 가스 혼합물은 반응성 가스와 불활성 가스를 포함하는 세정 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 반응성 가스는 공기, 산소 및 산화질소 중 적어도 하나 이상을 포함하는 세정 방법
19 19
제17항에 있어서, 상기 불활성 가스는 헬륨, 네온 및 아르곤 중 적어도 하나 이상을 포함하는 세정 방법
20 20
제15항에 있어서, 상기 플라즈마 소스는 상기 대상물의 이물질과 화학적 및 물리적으로 반응하는 것을 특징으로 하는 세정 방법
21 21
대상물에 제1 및 제2 이물을 포함하고 상기 제1 이물을 제거하기 위한 전처리 세정을 수행하는 전처리 세정부; 및 상기 전처리 세정에 의해 제거되지 않은 상기 제2 이물을 플라즈마 소스를 이용한 반응으로 세정하는 플라즈마 세정 장치을 포함하고,상기 플라즈마 세정 장치는,플라즈마 세정 유닛을 포함하고,상기 플라즈마 세정 유닛은,상기 플라즈마 소스를 생성하는 플라즈마 유닛과 상기 플라즈마 유닛 주변에 배치된 배기 유닛을 포함하고,상기 플라즈마 유닛은, 상기 플라즈마 소스를 생성하여 분사하는 플라즈마 건; 소정의 주파수와 전압을 상기 플라즈마 건으로 공급하는 전원 공급부; 및소정의 가스 혼합물을 상기 플라즈마 건으로 공급하는 가스 공급부를 포함하고,상기 플라즈마 건은, 서로 대향하는 제1 및 제2 전극을 포함하고 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 상기 플라즈마 소스를 생성하는 전극부;상기 전극의 길이 방향으로 연결되어 상기 플라즈마 소스를 상기 길이 방향으로 유도하는 유도부; 및 상기 유도부의 길이 방향으로 연결되어 상기 플라즈마 소스를 고압으로 분사하는 분사부를 포함하는 세정 시스템
22 22
제21항에 있어서, 상기 플라즈마 세정 장치는, 상기 제2 이물의 위치를 검출하는 자동 검사기; 및상기 플라즈마 세정 유닛을 제어하는 제어부를 더 포함하는 세정 시스템
23 23
제22항에 있어서, 상기 자동 검사기는 이물의 위치를 검출하기 이한 레이저 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 시스템
24 24
전처리 세정부 및상기 전처리 세정부에서 제거되지 않은 이물을 제거하는 플라즈마 세정 장치를 포함하고,상기 플라즈마 세정 장치는,플라즈마 소스를 생성하는 플라즈마 유닛과 상기 플라즈마 유닛 주변에 배치된 배기 유닛을 포함하는 플라즈마 세정 유닛을 포함하고,상기 플라즈마 유닛은, 상기 플라즈마 소스를 생성하여 분사하는 플라즈마 건; 서로 대향하는 제1 및 제2 전극 사이에서 상기 플라즈마 소스를 생성하는 전극부로 소정의 주파수와 전압을 공급하는 전원 공급부; 및소정의 가스 혼합물을 상기 전극부로 공급하는 가스 공급부를 포함하고,상기 플라즈마 건은, 서로 대향하는 제1 및 제2 전극을 포함하고 상기 제1 및 제2 전극 사이에서 상기 플라즈마 소스를 생성하는 전극부;상기 전극의 길이 방향으로 연결되어 상기 플라즈마 소스를 상기 길이 방향으로 유도하는 유도부; 및 상기 유도부의 길이 방향으로 연결되어 상기 플라즈마 소스를 고압으로 분사하는 분사부를 포함하는 세정 시스템에 있어서, 대상물은 제1 및 제2 이물을 포함하고 상기 제1 이물을 제거하기 이한 전처리 세정을 수행하는 단계; 상기 제2 이물을 검출하는 단계; 상기 제2 이물로 상기 플라즈마 소스를 분사하여 상기 제2 이물과 상기 플라즈마 소스와의 반응에 의해 부산물을 생성하는 단계; 및 상기 부산물을 외부로 배기하는 단계를 포함하는 세정 시스템의 운용 방법
25 25
제1 항에 있어서,상기 플라즈마 유닛과 상기 배기 유닛은 수평 및 틸트(Tilt) 이동이 가능한 세정장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.