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모듈기판에 칩 부품이 실장된 고주파 모듈의 전자파 차폐장치에 있어서,상기 모듈기판 위에 형성되어 상기 칩 부품을 보호하는 몰드부재;상기 모듈기판에 본딩되고 상기 몰드부재의 측면 또는 상면에 노출된 하나 이상의 그라운드 기구물;상기 몰드부재의 상면 및 측면에 형성되어, 상기 그라운드 기구물에 전기적으로 연결되는 금속막을 포함하는 전자파 차폐장치
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제 1항에 있어서,상기 그라운드 기구물은 다단으로 절곡된 판, П, ∧, ∩ 형상의 금속판 중에서 적어도 하나의 판으로 형성되는 전자파 차폐장치
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 그라운드 기구물은 일단이 커팅된 단면으로 형성된 금속판을 포함하는 전자파 차폐장치
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제 1항에 있어서,상기 몰드부재의 상면 또는 측면과 노출된 그라운드 기구물의 단면이 동일 평면에 형성되는 전자파 차폐장치
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하나 이상의 그라운드 기구물을 갖고 하나 이상의 칩 부품이 탑재된 모듈기판;상기 칩 부품의 보호를 위해 상기 모듈기판 위에 일정 높이로 형성되는 몰드부재;상기 몰드부재의 상면 및 측면에 형성되어, 상기 그라운드 기구물에 전기적으로 연결되는 금속막을 포함하는 고주파 모듈
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제 5항에 있어서,상기 그라운드 기구물은 다단으로 절곡된 판, П, ∧, ∩ 형상의 금속판 중에서 적어도 하나의 판으로 형성되는 고주파 모듈
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 그라운드 기구물은 일단이 커팅된 단면으로 형성된 금속판을 포함하는 고주파 모듈
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제 6항에 있어서,상기 몰드부재의 상면 또는 측면 및 그라운드 기구물의 노출된 단면이 동일 평면에 형성되는 고주파 모듈
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제 6항에 있어서,상기 모듈기판의 칩 부품은 플립 칩 본딩 및 표면부품실장 방식으로 탑재되는 고주파 모듈
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제 6항에 있어서,상기 금속막은 서로 다른 금속이 한 층 이상 형성되는 고주파 모듈
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제 6항에 있어서,상기 금속막은 Cu, Ni, Au 및 도전성을 갖는 재료 중에서 적어도 하나의 재료가 한 층 이상 적층되는 고주파 모듈
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모듈기판에 하나 이상의 칩 부품을 탑재하고, 고주파 모듈 기판 사이를 하나 이상의 그라운드 기구물로 연결하는 단계;상기 칩 부품의 보호를 위해 상기 모듈기판 위에 몰드부재를 형성하는 단계;상기 고주파 모듈 기판 사이를 커팅하여 상기 그라운드 기구물을 노출 또는/및 커팅시켜 주는 단계;상기 몰드부재의 상면 및 측면에 금속막을 형성하여, 상기 금속막이 상기 그라운드 기구물에 전기적으로 연결되는 단계를 포함하는 고주파 모듈 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 고주파 모듈기판 사이의 커팅 단계는 상기 모듈기판 경계 영역에 대해 몰드부재의 상면에서 모듈기판의 일부분까지 커팅하는 고주파 모듈 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 금속막 형성시 모듈기판의 상면까지 금속막을 형성해 주는 고주파 모듈 제조방법
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제 12항 또는 제 14항에 있어서, 상기 금속막 형성 후, 고주파 모듈기판 단위로 커팅하는 단계를 포함하는 고주파 모듈 제조방법
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제 15항에 있어서, 상기 고주파 모듈기판 단위의 커팅은 금속막 및 모듈기판에 대해 스텝 커팅 방식으로 커팅하는 고주파 모듈 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 그라운드 기구물은 칩 부품의 표면실장되는 고주파 모듈 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 금속막은 서로 다른 금속이 한 층 이상 형성되는 고주파 모듈 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 금속막은 Cu, Ni, Au 및 도전성을 갖는 재료 중에서 적어도 하나의 재료로 한 층 이상이 적층되는 고주파 모듈 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 몰드부재는 그라운드 기구물의 높이 이상으로 형성되는 고주파 모듈 제조방법
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