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제 1 기판;상기 제 1 기판 전면에 배치되어 이격공간으로부터 잔류수분 또는 잔류산소를 제거하는 게터부재(getter member);상기 게터부재 상에 형성된 박막트랜지스터;상기 제 1 기판과 상기 이격공간을 가지며 합착된 제 2 기판; 및상기 제 2 기판 상에 형성되고, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 유기발광다이오드를 포함하고, 상기 게터부재 상에 형성된 박막트랜지스터는,상기 게터부재 상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극이 형성된 게터부재 상에 배치되고 상기 게터부재를 보호하는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막에 배치된 반도체층; 및상기 반도체층 상에 서로 이격하여 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치
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제 1 항에 있어서,상기 게터부재는 바륨, 칼슘, 알루미늄, 철, 티타늄, 바나듐, 니오븀, 탄탈, 텅스텐, 토륨, 황산리튬, 황산나트륨, 황산칼슘, 황산마그네슘
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제 1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터 및 상기 유기발광다이오드 사이에 개재되어, 상기 박막트랜지스터 및 상기 유기발광다이오드를 서로 전기적으로 연결하는 연결부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치
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제 3 항에 있어서,상기 연결부재는 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며, 상기 박막트랜지스터를 덮는 보호막상에 배치된 제 1 연결부재; 및상기 유기발광다이오드의 제 2 전극과 접촉하며, 상기 제 1 기판을 향하여 돌출되어 상기 제 1 연결부재와 접촉하는 제 2 연결부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치
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제 4 항에 있어서,상기 보호막상에 배치되며, 상기 제 1 연결부재를 노출하는 제 1 보조 게터부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치
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제 5 항에 있어서,상기 보호막 및 상기 제 1 보조 게터부재사이에 개재되는 접착부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치
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제 4 항에 있어서,상기 제 2 전극상에 배치되며, 상기 제 2 연결부재를 노출하는 제 2 보조 게터부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치
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게터부재를 제 1 기판 전면에 형성하는 단계;상기 게터부재상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 유기발광다이오드를 제 2 기판상에 형성하는 단계; 및상기 박막트랜지스터 및 상기 유기발광다이오드를 서로 전기적으로 연결시키며, 상기 제 1 및 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하고,상기 게터부재상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,상기 게터부재 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 게터부재 상에 상기 게터부재를 보호하는 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 상에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 게터부재는 진공 증착법 또는 스퍼터링법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 덮는 보호막상에 제 1 보조 게터부재를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 유기발광다이오드를 구성하는 제 2 전극상에 제 2 보조 게터부재를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법
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