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태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조되는 태양전지

  • 기술번호 : KST2015046227
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조되는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 태양전지의 제조방법은 (S1) 제1 도전형 반도체 기판에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계; (S2) 상기 제1 도전형 반도체 기판의 제2 도전형 반도체층이 형성되지 않은 면에 소정 패턴으로 후면전극 형성용 페이스트를 인쇄하는 단계; (S3) 상기 후면전극 형성용 페이스트를 열처리하는 단계; (S4) 상기 제2 도전형 반도체층 위에 반사방지막을 형성하는 단계; (S5) 상기 반사방지막 위에 소정 패턴으로 전면전극 형성용 페이스트를 인쇄하는 단계; 및 (S6) 상기 전면전극 형성용 페이스트를 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지 제조방법에 따르면, 후면전극에 대한 열처리 후에 반사방지막 또는 부동층을 형성하고 그 후에 전면전극에 대한 열처리를 함으로써, 반사방지막 또는 부동층에 가해지는 열적 부담을 줄여 태양전지의 성능을 향상시킬 수 있다. 태양전지, 광기전력효과, 반도체, p-n 접합, 반사방지막, 광전변환효율
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01) H01L 31/1864(2013.01)
출원번호/일자 1020060127374 (2006.12.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1223055-0000 (2013.01.10)
공개번호/일자 10-2008-0054798 (2008.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20130117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박현정 대한민국 대전광역시 유성구
2 이성은 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0924418-08
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0159686-52
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0451723-19
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2012-0036350-13
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0392725-74
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0676296-14
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0676297-60
13 등록결정서
Decision to grant
2012.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0795266-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) 제1 도전형 반도체 기판에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;(S2) 상기 제1 도전형 반도체 기판의 제2 도전형 반도체층이 형성되지 않은 면에 소정 패턴으로 후면전극 형성용 페이스트를 인쇄하는 단계;(S3) 상기 후면전극 형성용 페이스트를 열처리하는 단계;(S4) 상기 후면전극 형성용 페이스트를 열처리한 이후, 상기 제2 도전형 반도체층 위에 반사방지막을 형성하는 단계;(S5) 상기 반사방지막 위에 소정 패턴으로 전면전극 형성용 페이스트를 인쇄하는 단계; 및 (S6) 상기 전면전극 형성용 페이스트를 열처리하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
2 2
(S1) 제1 도전형 반도체 기판에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;(S2) 상기 제1 도전형 반도체 기판의 제2 도전형 반도체층이 형성되지 않은 면에 소정 패턴으로 후면전극 형성용 페이스트를 인쇄하는 단계;(S3) 상기 후면전극 형성용 페이스트를 열처리하는 단계;(S4) 상기 후면전극 형성용 페이스트를 열처리한 이후, 상기 제2 도전형 반도체층 위에 부동층을 형성하는 단계;(S5) 상기 부동층 위에 반사방지막을 형성하는 단계;(S6) 상기 반사방지막 위에 소정 패턴으로 전면전극 형성용 페이스트를 인쇄하는 단계; 및 (S7) 상기 전면전극 형성용 페이스트를 열처리하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 후면전극 형성용 페이스트의 열처리 온도는 800 ~ 920 ℃인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전면전극 형성용 페이스트의 열처리 온도는 730 ~ 800 ℃인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 후면전극 형성용 페이스트의 열처리 시간은 5 ~30 초인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전면전극 형성용 페이스트의 열처리 시간은 5 ~30 초인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판이고, 상기 제2 도전형 반도체층은 n형 이미터층인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 반사방지막은 실리콘나이트라이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
9 9
제2항에 있어서,상기 부동층은 실리콘나이트라이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
10 10
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