맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양전지

  • 기술번호 : KST2015046263
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 태양전지는 제1 도전형 반도체 기판, 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 형성되고 상기 제1 도전형 반도체 기판과 반대 도전형을 가지는 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체 기판과 제2 도전형 반도체층 사이의 계면에 형성된 p-n 접합으로 이루어진 p-n 구조; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성되고, 실리콘옥시나이트라이드를 포함하여 이루어지며, 굴절률이 1.45~1.70인 부동층; 상기 부동층 상에 형성되고, 실리콘나이트라이드를 포함하여 이루어지는 반사방지막; 상기 부동층 및 반사방지막의 일부분을 관통하여 상기 제2 도전형 반도체층과 연결되며 외부로 노출되도록 형성되는 전면전극; 및 상기 제1 도전형 반도체 기판을 사이에 두고 상기 전면전극과 반대측에, 상기 제1 도전형 반도체 기판과 연결되도록 형성된 후면전극;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지는 실리콘옥시나이트라이드 부동층 및 실리콘나이트라이드 반사방지막이 순차적으로 적층된 이중막을 포함함으로써, 빛에 대한 반사율이 감소되고 반사방지막에 의한 물성 저하가 없으며 증가된 FF를 가져 향상된 광전변환효율을 갖는다. 또한, 상기 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘나이트라이드 층은 in-situ로써 연속 형성이 가능하여 생산 단가를 감소시킬 수 있는 장점이 있다. 태양전지, 광기전력효과, 반도체, p-n 접합, 반사방지막, 광전변환효율
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020060127389 (2006.12.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0974220-0000 (2010.07.30)
공개번호/일자 10-2008-0054807 (2008.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20100806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.03)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박현정 대한민국 대전 유성구
2 김성진 대한민국 서울 노원구
3 김진호 대한민국 대전 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0924458-13
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0159686-52
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0283983-97
8 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 취하 (Withdrawal) 1-1-2010-0284359-95
9 선행기술조사의뢰 취소
Revocation of Request for Prior Art Search		 2010.05.04 수리 (Accepted) 9-1-0000-0000000-00
10 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0290648-71
11 [우선심사신청 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Request for Accelerated Examination] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0301045-19
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0300405-74
13 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
14 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0030139-76
15 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0307807-79
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 반도체 기판, 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 형성되고 상기 제1 도전형 반도체 기판과 반대 도전형을 가지는 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체 기판과 제2 도전형 반도체층 사이의 계면에 형성된 p-n 접합으로 이루어진 p-n 구조; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성되고, 실리콘옥시나이트라이드를 포함하여 이루어지며, 굴절률이 1
2 2
제1항에 있어서, 상기 반사방지막은 1
3 3
제1항에 있어서, 상기 부동층은 10 ~ 50 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 반사방지막은 50 ~ 100 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 부동층은 플라즈마 화학기상증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 반사방지막은 플라즈마 화학기상증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판이고, 상기 제2 도전형 반도체층은 n형 이미터층인 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 기판과 상기 후면전극의 계면에는 p+층이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101611497 CN 중국 FAMILY
2 EP02095430 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02095430 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 TW200834945 TW 대만 FAMILY
5 TWI355752 TW 대만 FAMILY
6 US20100059114 US 미국 FAMILY
7 WO2008072828 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101611497 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101611497 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2095430 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2095430 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2095430 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 TW200834945 TW 대만 DOCDBFAMILY
7 TWI355752 TW 대만 DOCDBFAMILY
8 US2010059114 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2008072828 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.