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ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ） ｐａｒｔｉｃｌｅ 의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015046275
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 흡수층에 사용되는 CuInSe2(CIS) particle을 유기용매열 반응을 이용하여 합성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 CuInSe2(CIS) particle 의 제조방법은 톨루엔과 에틸렌다이아민이 혼합된 혼합용매에 CuCl분말, InCl3분말, Se분말을 화학량 몰비가 1:1:2 가 되도록 혼합한 혼합분말을 상기 용매에 혼입하고, 상기 혼합용매와 상기 혼합분말을 반응시키는 것을 특징으로 한다. 특히 본 발명의 상기 혼합용매는 톨루엔과 에틸렌다이아민의 배합비율을 1:1 또는 2:1로 하고 180℃의 온도에서 18~24시간에서 반응시키는 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면, 에틸렌다이아민(ethylenediamine)에 톨루엔을 혼합한 용매를 이용하여 용매열 반응을 이용한 CIS합성을 하여, 유독성이 강하고 고가의 에틸렌다이아민 사용양을 현격하게 줄일 수 있는 효과가 있다. 특히, 반응온도와 반응시간을 줄임으로써 CuInSe2(CIS) particle 의 제조비용감축과 생산효율을 증진 시킬 수 있는 효과도 있다태양전지, 흡수층, 에틸렌다이아민(ethylenediamine), 톨루엔(toluene)
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0749 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020060127386 (2006.12.13)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1185053-0000 (2012.09.17)
공개번호/일자 10-2008-0054805 (2008.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120921) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤희경 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0924445-20
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0696852-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0745210-72
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0065982-16
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0499658-33
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지 흡수층에 사용되는 CuInSe2(CIS) particle을 유기용매열 반응을 이용하여 합성하는 방법에 있어서,톨루엔과 에틸렌다이아민이 혼합된 혼합용매에CuCl분말, InCl3분말, Se분말을 화학량 몰비가 1:1:2 가 되도록 혼합한 혼합분말을 상기 용매에 혼입하고,상기 혼합용매와 상기 혼합분말을 반응로에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 CuInSe2(CIS) particle 의 합성방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 혼합용매는 톨루엔과 에틸렌다이아민의 배합비율을 1:1로 하여 혼합된 것을 특징으로 하는 CuInSe2(CIS) particle 의 합성방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 혼합용매는 톨루엔과 에틸렌다이아민의 배합비율을 2:1로 하여 혼합된 것을 특징으로 하는 CuInSe2(CIS) particle 의 합성방법
4 4
청구항 2 또는 3에 있어서,상기 혼합용매와 상기 혼합분말의 반응온도를 180℃인 것을 특징으로 하는 CuInSe2(CIS) particle 의 합성방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 혼합용매와 상기 혼합분말의 반응시간을 18~24시간으로 하는 것을 특징으로 하는 CuInSe2(CIS) particle 의 합성방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 혼합용매의 톨루엔과 에틸렌다이아민의 혼합용액의 양의 합이 상기 반응로의 테프론 용기의 80%를 차지하도록 하는 것을 특징으로 하는 CuInSe2(CIS) particle 의 합성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.