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기판과;기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 버퍼층에 구리를 증착하여 구리막을 형성하는 단계와;상기 구리막이 형성되는 기판을 열처리(어닐링)하는 동시에, 상기 구리막의 표면을 플라즈마 질화이온 처리하여, 결정립이 작고 조밀하게 결정화된 구리막을 형성하는 단계를 포함하는 구리막 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 티타늄, 지르코늄을 포함하는 4족 원소 그룹 중 선택된 하나 이거나, 상기 4족 원소그룹 중 선택된 하나의 합금으로 형성하는 것을 특징으로 구리막 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 4족 원소 그룹 중 선택된 하나와 합금되는 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 바나듐(V), 탄탈륨(Ta)등을 포함하는 5족과 6족 원소그룹 중 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 구리막 형성방법
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제 3 항에 있어서,상기 합금에 있어서, 4족 원소 그룹은 5%~30%의 비율로 합금되는 것을 특징으로 하는 구리막 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 질화이온 처리단계는, 암모니아 가스(NH3) 또는 질소가스(N2)와 암모니아 가스(NH3)의 혼합기체를 플라즈마화 하여 활성화된 N3-이 구리막의 표면에 발생하도록 하는 단계인 것을 특징으로 하는 구리막 형성방법
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제 1 항 내지 제 5 항 중 선택된 어느 하나의 항에 있어서,상기 열처리 공정과 플라즈마 질화이온 처리를 동시에 진행하면, 하부의 버퍼층을 이루는 금속 이온이 구리막을 이루는 결정립 계로 확산되어, 결정립의 성장을 억제하여, 상기 결정립의 크기가 작고 조밀하게 구성되는 것을 특징으로 하는 구리막 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 구리막의 어닐링 온도는 300℃인 것을 특징으로 하는 구리막 형성방법
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기판을 준비하는 단계와;상기 기판 상에 버퍼층과 구리막을 적층하는 단계와;상기 구리막이 형성되는 기판을 열처리(어닐링)하는 동시에, 상기 구리막의 표면을 플라즈마 질화이온 처리하여, 결정립이 작고 조밀하게 결정화된 구리막을 형성하는 단계와;상기 버퍼층과 결정화된 구리막을 패턴하여, 게이트 전극과 이에 연결된 게이트 배선을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극 및 게이트 배선이 형성된 기판의 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극에 대응하는 게이트 절연막의 상부에 적층된 액티브층과 오믹 콘택층을 형성하는 단계와;상기 오믹 콘택층의 상부에 이와 접촉하며 이격된 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결되고 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;상기 화소 영역에 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극과 데이터 배선을 형성하는 단계는상기 액티브층과 오믹 콘택층이 형성된 기판의 전면에, 버퍼층과 구리막을 적층하는 단계와;상기 구리막이 형성되는 기판을 열처리(어닐링)하는 동시에, 상기 구리막의 표면을 플라즈마 질화이온 처리하여, 결정립이 작고 조밀하게 결정화된 구리막을 형성하는 단계와;상기 버퍼층과 결정화된 구리막을 패턴하여, 상기 오믹 콘택층과 접촉하여 이격된 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 연결된 데이터 배선을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 버퍼층은 티타늄, 지르코늄을 포함하는 4족 원소 그룹 중 선택된 하나 이거나, 상기 4족 원소그룹 중 선택된 하나의 합금으로 형성하는 것을 특징으로 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 4족 원소 그룹 중 선택된 하나와 합금되는 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 바나듐(V), 탄탈륨(Ta)등을 포함하는 5족과 6족 원소그룹 중 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 어레이기판 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 합금에 있어서, 4족 원소 그룹은 5%~30%의 비율로 합금되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 플라즈마 질화이온 처리단계는, 암모니아 가스(NH3) 또는 질소가스(N2)와 암모니아 가스(NH3)의 혼합기체를 플라즈마화 하여 활성화된 N3-이 구리막의 표면에 발생하도록 하는 단계인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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제 8 항 내지 제 13 항 중 선택된 어느 하나의 항에 있어서,상기 열처리 공정과 플라즈마 질화이온 처리를 동시에 진행하면, 하부의 버퍼층을 이루는 금속 이온이 구리막을 이루는 결정립 계로 확산되어, 결정립의 성장을 억제하여, 상기 결정립의 크기가 작고 조밀하게 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
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