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액정표시장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015046339
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 발명으로, 특히 액정표시장치는 매트릭스 형태로 화소 영역이 정의된 기판, 상기 기판 상의 상기 화소 영역들 사이에 일방향으로 형성되는 투명전극 패턴, 상기 기판 상의 상기 화소 영역에 형성되는 화소 전극, 상기 투명전극 패턴의 상부에 형성되는, 데이터 라인 및 이로부터 돌출되는 소스 전극, 상기 소스 전극과 이격되고 상기 화소 전극과 접촉하여 그 상부에 형성되는 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에 형성되는 불순물층 패턴, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 상부의 불순물층 패턴과 양측이 접하며 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상부를 지나도록 형성되는 비정질 실리콘층 패턴, 상기 화소 영역을 제외한 기판 상에 형성되는 보호막, 및 상기 데이터 라인과 교차하는 방향으로, 상기 화소 영역들 사이에 형성되는 게이트 라인 및 이로부터 돌출되어 상기 비정질 실리콘층 패턴 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.4마스크, 탑게이트, 게이트 절연막
Int. CL G02F 1/13 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/136277(2013.01) G02F 1/136277(2013.01) G02F 1/136277(2013.01) G02F 1/136277(2013.01)
출원번호/일자 1020060127723 (2006.12.14)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1255273-0000 (2013.04.09)
공개번호/일자 10-2008-0054968 (2008.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20130416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병훈 대한민국 경북 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0926281-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0951040-38
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0190171-32
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번호 청구항
1 1
매트릭스 형태로 화소 영역이 정의된 기판;상기 기판 상의 상기 화소 영역들 사이에 일방향으로 형성되는 투명전극 패턴;상기 기판 상의 상기 화소 영역에 형성되는 화소 전극;상기 투명전극 패턴의 상부에 형성되는, 데이터 라인 및 이로부터 돌출되는 소스 전극;상기 소스 전극과 이격되고 상기 화소 전극과 접촉하여 상기 화소 전극 상부에 형성되는 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에 형성되는 불순물층 패턴;상기 소스 전극 및 드레인 전극 상부의 불순물층 패턴과 양측이 접하며 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 상부를 지나도록 형성되는 비정질 실리콘층 패턴;상기 화소 영역을 제외한 기판 상에 형성되는 보호막; 및상기 데이터 라인과 교차하는 방향으로, 상기 화소 영역들 사이에 형성되는 게이트 라인 및 이로부터 돌출되어 상기 비정질 실리콘층 패턴 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정표시장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 보호막은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 불순물층 패턴과 비정질 실리콘층 패턴은 반도체층으로 기능하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
4 4
매트릭스 형태로 화소 영역이 정의된 기판을 준비하는 단계;상기 기판 전면에 투명 금속층, 제 1 금속층, 불순물층을 적층한 후, 이들층을 동일 폭으로 제거하여, 상기 화소 영역들 사이에 일 방향의 투명 전극 패턴과 그 상부에 데이터 라인 및 소스 전극을 형성하고, 상기 화소 영역 상에 화소 전극 및 그 상부에 제 1 금속층 패턴을 형성하고, 상기 데이터 라인, 소스 전극 및 제 1 금속층 패턴 상에 불순물층 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 비정질 실리콘층을 증착하고 이를 선택적으로 제거하여 상기 소스 전극과 이와 인접한 상기 화소 전극의 일 코너부를 지나는 형상으로 비정질 실리콘층 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 보호막을 형성하고, 상기 화소 영역에 상기 보호막을 제거하여 보호막 홀을 형성하는 단계;상기 보호막 홀 하부에 상기 불순물층 패턴, 제 1 금속층 패턴을 제거하여, 상기 소스 전극과 이격되고, 상기 화소 전극과 접촉하는 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 기판 전면에 제 2 금속층을 증착하고 이를 선택적으로 제거하여, 상기 데이터 라인과 교차하는 방향으로 상기 화소 영역들 사이에 게이트 라인과, 상기 게이트 라인으로부터 상기 비정질 실리콘층 패턴을 지나도록 상기 보호막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
5 5
매트릭스 형태로 화소 영역이 정의된 기판을 준비하는 단계;상기 기판 전면에 투명 금속층, 제 1 금속층, 불순물층을 적층한 후, 이들층을 동일 폭으로 제거하여, 상기 화소 영역들 사이에 일 방향의 투명 전극 패턴과 그 상부에 데이터 라인 및 소스 전극을 형성하고, 상기 화소 영역 상에 화소 전극 및 그 상부에 제 1 금속층 패턴을 형성하고, 상기 데이터 라인, 소스 전극 및 제 1 금속층 패턴 상에 불순물층 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 전면에 비정질 실리콘층을 증착하고 이를 선택적으로 제거하여 상기 소스 전극과 이와 인접한 상기 화소 전극의 일 코너부를 지나는 형상으로 비정질 실리콘층 패턴을 형성하고, 비정질 실리콘층 패턴과 동일 폭으로 불순물층 패턴을 남기는 단계;상기 기판 전면에 보호막을 형성하고, 상기 화소 영역에 상기 보호막을 제거하여 보호막 홀을 형성하는 단계;상기 보호막 홀 하부에 상기 제 1 금속층 패턴을 제거하여, 상기 소스 전극과 이격되고, 상기 화소 전극과 접촉하는 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 기판 전면에 제 2 금속층을 증착하고 이를 선택적으로 제거하여, 상기 데이터 라인과 교차하는 방향으로 상기 화소 영역들 사이에 게이트 라인과, 상기 게이트 라인으로부터 상기 비정질 실리콘층 패턴을 지나도록 상기 보호막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
6 6
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 보호막은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
7 7
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 불순물층 패턴과 비정질 실리콘층 패턴은 반도체층으로 기능하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.