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태양전지의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된 태양전지

  • 기술번호 : KST2015046406
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 태양전지 제조방법은, (S1) 제1 도전형 반도체 기판 상에 상기 기판과 반대 도전형의 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계; (S2) 대기압 플라즈마를 이용하여 상기 반도체 기판 측단의 가장자리에 형성된 제2 도전형 반도체층을 식각하는 단계; (S3) 상기 반도체 기판의 양면에 형성된 상기 제2 도전형 반도체층 중 어느 하나의 제2 도전형 반도체층 상에 반사방지막을 형성하는 단계; (S4) 상기 반사방지막을 관통하며 상기 제2 도전형 반도체층에 연결되도록 전면전극을 형성하는 단계; (S5) 상기 반사방지막이 형성되지 않은 제2 도전형 반도체층 상에 후면전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지 제조방법에 따르면, 종래 진공 플라즈마 또는 레이저를 이용하여 수행되던 에지 아이솔레이션 공정을 대기압 플라즈마를 이용하는 방식으로 개선함으로써, 장비 비용 및 유지 비용을 절감하고 공정을 단순화할 수 있다.태양전지, 광기전력효과, p-n 접합, 반사방지막, 대기압 플라즈마
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020060126624 (2006.12.12)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1284271-0000 (2013.07.01)
공개번호/일자 10-2008-0054280 (2008.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20130708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정주화 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0920682-41
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0159686-52
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0451707-99
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0042218-80
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0378308-19
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0643930-02
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0643931-47
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0784458-16
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0156838-43
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0156837-08
16 등록결정서
Decision to grant
2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0420693-37
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) 제1 도전형 반도체 기판의 전후면 및 측면을 포함하는 표면 전체에 상기 기판과 반대 도전형의 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;(S2) 대기압 플라즈마를 이용하여 상기 반도체 기판 측면에 형성된 제2 도전형 반도체층을 식각하는 단계;(S3) 상기 반도체 기판의 전면 및 후면에 형성된 상기 제2 도전형 반도체층 중 어느 하나의 제2 도전형 반도체층 상에 반사방지막을 형성하는 단계;(S4) 상기 반사방지막을 관통하며 상기 제2 도전형 반도체층에 연결되도록 전면전극을 형성하는 단계; (S5) 상기 반사방지막이 형성되지 않은 제2 도전형 반도체층 상에 후면전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 (S4) 및 (S5) 단계는 각각, 전면전극 형성용 페이스트를 소정 패턴에 따라 반사방지막 위에 도포하고, 후면전극 형성용 페이스트를 상기 반사방지막이 형성되지 않은 제2 도전형 반도체층 상에 도포한 후, 동시에 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은 p-형 실리콘 기판이고, 제2 도전형 반도체층은 n-형 이미터층인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (S1) 단계는 반도체 기판을 확산로에 넣고, 제2 도전형 반도체층을 형성할 수 있는 도펀트를 함유하는 가스를 주입한 후, 확산로를 가열함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 (S1) 단계는 p-형 실리콘 기판을 확산로에 넣고, POCl3 가스를 확산로에 주입한 후, 가열함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 반사방지막은 실리콘나이트라이드를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (S3) 단계는 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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국가 R&D 정보가 없습니다.