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실리콘 웨이퍼 세정 방법

  • 기술번호 : KST2015046480
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명은, (S1) 실리콘 웨이퍼 표면을 표준세정1에 따른 SC-1 세정액으로 세정하는 제1단계; (S2) 상기 제1단계 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을, 표준세정2에 따른 SC-2 세정액으로 세정하는 제2단계; (S3) 상기 제2단계 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을, 불산(HF) 용액으로 세정하는 제3단계; 및 (S4) 상기 제3단계 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을, 오존수를 이용하여 세정하는 제4단계;를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 웨이퍼 표면의 금속 불순물을 유효하게 제거함과 동시에 실리콘 웨이퍼의 표면 거칠기를 향상시키면서, 종래의 세정 방법에서 문제점으로 지적되고 있는 반복적인 공정 진행이나 과도한 세정액 사용에 따른 부작용을 해소 및 제거된 금속 불순물의 재부착에 의한 재오염의 문제를 해결할 수 있어서, 전기 소자를 형성함에 있어서, 물리적 특성이 현저하게 개선된 실리콘 웨이퍼를 제공할 수 있는 장점이 있다.표준세정, 웨이퍼, 불순물, 표면거칠기, RCA, 표준세정
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060138057 (2006.12.29)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-0846271-0000 (2008.07.08)
공개번호/일자 10-2008-0062358 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20080716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인정 대한민국 대전 중구
2 배소익 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0982830-44
2 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2007.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0050310-00
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0656961-95
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0061051-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0061054-08
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0295186-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2011-5005193-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼 세정 방법에 있어서,(S1) 실리콘 웨이퍼 표면을 표준세정1에 따른 SC-1 세정액으로 세정하는 제1단계;(S2) 상기 제1단계 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을, 표준세정2에 따른 SC-2 세정액으로 세정하는 제2단계;(S3) 상기 제2단계 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을, 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 (S4)단계는, 상기 제3단계 세정이 완료된 실리콘 웨이퍼를 오존수에 1 내지 10 분 동안 침지시켜 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
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제4항에 있어서,상기 오존수는, 오존 농도가 1 내지 20 ppm이고, 온도는 10 내지 30℃인 것이 사용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP20166795 JP 일본 FAMILY
2 US20080156349 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101211774 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2008166795 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2008156349 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.