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유기발광다이오드소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015046485
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광다이오드 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 유기발광다이오드 소자는 제 1 전하수송층 및 유기발광층사이에 보조발광층을 더 구비하여, 보조발광층과 유기발광층의 계면으로 주된 발광영역을 이동시킴으로써, 유기발광다이오드 소자의 발광효율 및 수명을 향상시킬뿐만 아니라 색좌표를 향상시킬 수 있었다.발광 효율, 수명, 색좌표, 보조 발광층, 호스트
Int. CL C09K 11/06 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060133542 (2006.12.26)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1373370-0000 (2014.03.05)
공개번호/일자 10-2008-0059807 (2008.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20140313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.20)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영미 대한민국 인천광역시 남동구
2 김호진 대한민국 대구광역시 달서구
3 박종현 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0960182-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-1011094-24
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0711398-39
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.29 수리 (Accepted) 9-1-2013-0020990-28
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0418191-26
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0728034-68
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0728031-21
13 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0899538-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극;상기 제 1 전극상에 배치된 제 1 전하 주입층;상기 제 1 전하 주입층상에 배치된 제 1 전하 수송층;상기 제 1 전하 수송층상에 배치된 보조 발광층;상기 보조발광층상에 배치되며 상기 보조발광층보다 발광 효율이 큰 유기발광층; 및상기 유기발광층상에 배치된 제 2 전극을 포함하며, 상기 보조 발광층은 상기 유기발광층을 이루는 호스트 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 유기발광층은 도판트 및 호스트의 혼합물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 보조 발광층은 상기 유기발광층과 동일한 색상으로 발광하는 발광물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 보조 발광층은 4,4'-비스(2,2-다이페닐-에텐-1-일)-다이 페닐(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-diphenyl;DPVBi), 스피로-DPVBi, DPVBi 유도체, 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴롤린)(Aluminum tris(8-hydroxyquinoline;Alq3) 및 (N,N-비스(나프탈렌-1-일)페닐-N,N'-비스(페닐)벤지디인(N,N'-bis(naphthanlen-1-yl-phenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine;NPB)중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 보조 발광층의 두께는 상기 유기발광층 두께의 1/2 이하로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
7 7
제 6 항에 있어서,상기 보조 발광층의 두께는 50 내지 250Å인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극 및 상기 유기발광층사이에 개재되는 제 2 전하 수송층 및 제 2 전하 주입층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자
9 9
제 1 전극을 기판상에 형성하는 단계;상기 제 1 전극상에 제 1 전하주입층을 형성하는 단계;상기 제 1 전하주입층상에 제 1 전하수송층을 형성하는 단계;상기 제 1 전하수송층상에 보조 발광층을 형성하는 단계;상기 보조발광층상에 상기 보조발광층보다 발광 효율이 큰 유기발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기발광층상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 보조 발광층은 상기 유기발광층을 형성하기 위한 호스트 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 유기발광층은 도판트 및 호스트를 공증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자의 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 보조 발광층은 상기 유기발광층과 동일한 색상으로 발광하는 발광물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제 9 항에 있어서,상기 유기발광층을 형성하는 단계 및 상기 제 2 전극을 형성하는 단계사이에는 상기 유기발광층상에 제 2 전하 수송층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 전하 수송층상에 제 2 전하 주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.