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웨이퍼의 열처리시 웨이퍼를 밑면에서 지지하는 웨이퍼 지지 핀에 있어서,상기 웨이퍼와 접촉하는 선단부가 편평하거나 라운드 처리되어 있고,상기 선단부가 테이퍼진(tapered) 형상을 가지며, 상기 테이퍼진 부분의 길이가 2mm ~ 17mm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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제1항에 있어서,적어도 상기 선단부가 석영 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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제1항에 있어서,적어도 상기 선단부가 단결정 또는 다결정 실리콘 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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웨이퍼의 열처리시 웨이퍼를 밑면에서 지지하는 웨이퍼 지지 핀에 있어서,상기 웨이퍼와 접촉하는 선단부가 편평하거나 라운드 처리되어 있고,적어도 상기 선단부가 단결정 또는 다결정 실리콘 재질로 이루어지며,상기 단결정 또는 다결정 실리콘에는 N 또는 C가 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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제3항에 있어서,적어도 상기 선단부가 SiC 또는 Si3N4로 표면 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 지지 핀
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제1항에 있어서,상기 선단부가 편평하고, 상기 선단부의 편평한 부분의 직경이 0
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제1항에 있어서,상기 선단부가 라운드 처리되어 있고, 상기 라운드 처리된 부분의 곡률반경이 0
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제8항에 있어서,상기 선단부의 라운드 처리된 부분의 직경이 0
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웨이퍼의 열처리시 웨이퍼를 밑면에서 3점 지지하는 웨이퍼 지지 핀에 있어서,상기 열처리후, 상기 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 부분에 대하여 5분간 라이트 에칭(Wright Etching)한 후 핀 마크의 단면적을 측정하였을 때, 핀 마크의 단면적이 1
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웨이퍼 지지 핀으로 웨이퍼를 밑면에서 3점 지지하면서 웨이퍼에 대하여 열처리를 행하는 방법에 있어서,상기 열처리 후, 상기 웨이퍼와 지지 핀의 접촉 부분에 대하여 5분간 라이트 에칭(Wright Etching)한 후 핀 마크의 단면적을 측정하였을 때, 단면적이 1
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