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어레이기판 제조방법

  • 기술번호 : KST2015046607
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명을 이루기 위한 수단으로 어레이기판 제조방법은 기판 상에 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극을 커버하는 게이트절연막을 기판 전면에 형성하는 단계; 상기 게이트전연막 상에 나노파우더를 용해시킨 분산용액을 분산시키는 단계; 상기 분산용액을 기화시켜 나노파우더로 형성되는 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층이 형성된 기판 상에 감광제를 도포하고 마스크를 사용하여 소스/드레인이 형성되는 영역을 노출시키는 감광패턴을 형성하는 단계; 상기 노출영역에 형성된 산화막을 제거하는 표면처리 단계;를 포함한다 따라서 본 발명의 어레이기판 제조방법은 소스/드레인전극을 형성하기 위한 감광패턴을 반도체층에 형성될 수 있는 산화막을 제거하는 보호패턴으로 사용하여 반도체층과 소스/드레인전극을 오믹콘택시킬 수 있을 것이다. 따라서 하나의 마스크로 반도체층에 형성되는 산화막을 제거하는 공정과 소스/드레인전극을 형성하는 공정을 실시할 수 있게 되어 공정의 단순화와 제조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01) G02F 1/1368(2013.01)
출원번호/일자 1020060137813 (2006.12.29)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1318083-0000 (2013.10.07)
공개번호/일자 10-2008-0062256 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20131014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미경 대한민국 경기 안양시 동안구
2 이보현 대한민국 서울 성북구
3 채기성 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0981907-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-1039957-66
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0698579-45
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0052629-55
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0488292-14
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번호 청구항
1 1
기판 상에 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극을 커버하는 게이트절연막을 기판 전면에 형성하는 단계; 상기 게이트전연막 상에 나노파우더를 용해시킨 분산용액을 분산시키는 단계; 상기 분산용액을 기화시켜 나노파우더로 형성되는 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층이 형성된 기판 상에 감광제를 도포하고 마스크를 사용하여 소스/드레인전극이 형성되는 영역을 노출시키는 감광패턴을 형성하는 단계; 상기 노출영역에 형성된 산화막을 제거하는 표면처리 단계;를 포함하는 어레이기판 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 감광패턴이 형성된 기판을 표면처리하는 단계 이후에, 상기 표면처리된 기판에 금속물질을 증착시키는 단계; 상기 감광패턴을 스트립용액으로 스트립하여 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 어레이기판 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 분산용액을 분산시키는 단계에 있어서, 상기 분산용액은 상기 나노파우더와;상기 나노파우더를 분산시키는 분산용매를 구비한 것을 특징으로 하는 어레이기판 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 감광패턴은 상기 소스/드레인전극이 형상에 대응되는 영역 이외에 형성되는 것을 특징으로 에레이기판 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 기판을 표면처리하는 단계에 있어서,상기 표면처리는 수소, 플로린계 가스를 사용하여 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 에레이기판 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 나노파우더는 ZnO, InSe, Cdsd, GaN, Si을 포함하는 반도체물질로 마련되는 것을 특징으로 하는 에레이기판 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 나노파우더는 와이어형상의 나노와이어, 구형상의 나노파티클을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.