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1
a) 알칼리 가용성 수지 3 내지 30 중량부;
b) 감광제 1 내지 10 중량부;
c) 화학적 개질처리된 탄소 나노 튜브 0
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2
청구항 1에 있어서, 상기 a) 알칼리 가용성 수지 화합물이 중량 평균 분자량 2,500 내지 15,000 범위의 노볼락 수지인 것인 감광성 수지 조성물
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3
청구항 1에 있어서, 상기 b) 감광제는 퀴논디아지드류 화합물과 폴리페놀류 화합물의 에스테르화 반응 화합물인 것인 감광성 수지 조성물
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4
청구항 1에 있어서, 상기 c) 화학적 개질처리된 탄소 나노 튜브는 다중벽 탄소 나노 튜브(MWNT), 이중벽 탄소 나노 튜브(DWNT), 단일벽 탄소 나노 튜브(SWNT)의 구조, 암체어(arm-chair), 지그재그(zig-zag) 또는 카이럴(chiral)구조로 이루어진 군에서 선택된 한 종 또는 그 이상의 다발로 이루어진 것인 감광성 수지 조성물
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5
청구항 1에 있어서, 상기 화학적 개질처리된 탄소 나노 튜브는 산처리에 의해 개질된 탄소 나노 튜브인 것인 감광성 수지 조성물
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| 6 |
6
청구항 5에 있어서, 상기 화학적 개질처리된 탄소 나노 튜브는 황산, 질산 또는 황산과 질산의 혼합물에 의해 개질된 탄소 나노 튜브인 것인 감광성 수지 조성물
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7
청구항 6에 있어서, 상기 화학적 개질처리된 탄소 나노 튜브는 황산과 질산을 1:1 내지 3:1의 비율로 혼합한 혼합물에 의해 개질된 탄소 나노 튜브인 것인 감광성 수지 조성물
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8
청구항 1에 있어서, 상기 d) 유기 용매가 케톤류, 글리콜에테르류 및 아세테이트류로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인 감광성 수지 조성물
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9
청구항 1에 있어서
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10
기판 상에 알칼리 가용성 수지 3 내지 30 중량부, 감광제 1 내지 10 중량부, 화학적 개질처리된 탄소 나노 튜브 0
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11
청구항 10에 있어서, 상기 기판은 금속 기판, 반도체 막 또는 절연막인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 막의 제조방법
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12
청구항 10에 있어서, 상기 포토레지스트 막의 두께는 1 내지 3㎛인 것인 포토레지스트 막의 제조방법
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13
청구항 10에 있어서, 상기 경화는 80 내지 115℃에서 1 내지 5분간 실시하는 것인 포토레지스트 막의 제조방법
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14
청구항 10의 방법에 의하여 제조된 포토레지스트 막
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15
a) 기판 상에 알칼리 가용성 수지 3 내지 30 중량부, 감광제 1 내지 10 중량부, 화학적 개질처리된 탄소 나노 튜브 0
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16
청구항 15에 있어서, 상기 기판은 금속 기판, 반도체 막 또는 절연막인 것인 포토레지스트 패턴의 제조방법
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17
청구항 15에 있어서, 상기 포토레지스트 막의 두께는 1 내지 3㎛인 것인 포토레지스트 패턴의 제조방법
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18
청구항 15에 있어서, 상기 프리 베이크는 80 내지 115℃에서 1 내지 5분간 실시하는 것인 포토레지스트 패턴의 제조방법
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19
청구항 15에 있어서, 상기 노광 조건은 20 내지 200mJ/cm2인 것인 포토레지스트 패턴의 제조방법
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20
청구항 15에 있어서, 상기 포스트 베이크는 120 내지 150℃에서 2 내지 5분간 실시하는 것인 포토레지스트 패턴의 제조방법
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21
청구항 15의 방법에 의하여 제조된 포토레지스트 패턴
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22
청구항 14의 포토레지스트 막 또는 청구항 21의 포토레지스트 패턴을 포함하는 전자소자
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23
a) 기판 상에 알칼리 가용성 수지 3 내지 30 중량부, 감광제 1 내지 10 중량부, 화학적 개질처리된 탄소 나노 튜브 0
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24
청구항 23에 있어서, 상기 기판은 금속 기판, 반도체 막 또는 절연막인 것인 패턴화된 기판의 제조방법
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25
청구항 23에 있어서, 상기 포토레지스트 막의 두께는 1 내지 3㎛인 것인 패턴화된 기판의 제조방법
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26
청구항 23에 있어서, 상기 프리 베이크는 80 내지 115℃에서 1 내지 5분간 실시하는 것인 패턴화된 기판의 제조방법
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27
청구항 23에 있어서, 상기 노광 조건은 20 내지 200mJ/cm2인 것인 패턴화된 기판의 제조방법
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28
청구항 23에 있어서, 상기 포스트 베이크는 120 내지 150℃에서 2 내지 5분간 실시하는 것인 패턴화된 기판의 제조방법
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