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표시장치 제조방법

기술번호 : KST2015046675
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명을 이루기 위한 수단으로 표시장치 제조방법은 기판 상에 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극을 커버하는 게이트절연막을 기판 전면에 형성하는 단계; 상기 게이트전연막 상에 나노파우더를 용해시키며 약산을 포함하는 분산용액을 분산시키는 단계; 상기 분산용액을 기화시켜 나노파우더로 형성되는 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명의 표시장치 제조방법은 약산을 포함하는 분산용액를 사용하여 나노파우더의 표면에 산화막을 억제함으로써 산화막을 제저하기 위한 공정을 실시할 필요가 없게되어 공정의 단순화를 도모할 수 있고, 상기 산화막 제거를 위한 공정 장비 및 재료비를 절감할 수 있는 효과가 있다. 또한 산화막 억제로 인해 나노파우더는 그래인바운더리에서 발생되는 스캐터링을 최소화할 수 있게 된다.
Int. CL	B82Y 30/00 (2011.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC	G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01)
출원번호/일자	1020060137521 (2006.12.29)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1375047-0000 (2014.03.10)
공개번호/일자	10-2008-0062125 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자	(20140326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.12.28)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박미경	대한민국	경기 안양시 동안구
2	채기성	대한민국	인천광역시 연수구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서교준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.12.29	수리 (Accepted)	1-1-2006-0980580-88
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2011.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2011-1044422-70
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2012.08.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0698579-45
8	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.05.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.06.05	수리 (Accepted)	9-1-2013-0043308-04
10	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.07.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0488293-59
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.09.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0826524-05
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2013-0826522-14
13	등록결정서 Decision to grant	2014.01.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0036070-96

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극을 커버하는 게이트절연막을 기판 전면에 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 에틸렌 글리콜, 에탄올 및 약산을 구비하는 분산용매와 상기 분산용매에 분산되는 나노파우더를 포함하는 분산용액을 분산시키는 단계; 상기 분산용액을 기화시켜 나노파우더로 형성되는 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 상에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 나노파우더는 와이어형상의 나노와이어, 구형상의 나노파티클인 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 나노파우더는 ZnO, InSe, Cdsd, GaN, Si을 포함하는 반도체물질로 마련되는 것을 특징으로 표시장치 제조방법
4	4 제 1항에 있어서, 그리고 상기 나노파우더는 Ag, Cu를 포함하는 금속물질로 마련되는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법
5	5 삭제
6	6 제 1항에 있어서, 상기 에탄올, 상기 에틸렌 글리콜은 상기 분산용매에서 소정의 분산도를 갖도록 상기 나노파우더를 분산시키는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 에틸렌 글리콜은 15-40wt%(질량 퍼센트)로 마련되는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법
8	8 제 1항에 있어서, 상기 에탄올은 15-40wt%(질량 퍼센트)로 마련되는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법
9	9 제 1항에 있어서, 상기 약산은 PH1 내지 PH4에 있는 물질로 마련되는 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법
10	10 제 1항에 있어서, 상기 약산은 CH3COOH, H3BO3, HCOOH를 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 표시장치 제조방법
11	11 제 1항에 있어서, 상기 약산은 상기 나노파우더의 표면에 형성되어 상기 나노파우더의 산화막형성을 억제하는 H+이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 표시장치 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1375047-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20061229 출원 번호 : 1020060137521 공고 연월일 : 20140326 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140116 청구범위의 항수 : 10 유별 : G02F 1/136 발명의 명칭 : 표시장치 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	435,000 원	2014년 03월 10일	납입
제 4 년분	금 액	260,000 원	2017년 02월 15일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2018년 02월 13일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2019년 02월 15일	납입
제 7 년분	금 액	480,000 원	2020년 02월 19일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.12.29	수리 (Accepted)	1-1-2006-0980580-88
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2011.12.28	수리 (Accepted)	1-1-2011-1044422-70
6	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2012.08.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0698579-45
8	선행기술조사의뢰서	2013.05.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서	2013.06.05	수리 (Accepted)	9-1-2013-0043308-04
10	의견제출통지서	2013.07.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0488293-59
11	[명세서등 보정]보정서	2013.09.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0826524-05
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2013-0826522-14
13	등록결정서	2014.01.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0036070-96


기술번호	KST2015046675
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	표시장치 제조방법
기술개요	본 발명을 이루기 위한 수단으로 표시장치 제조방법은 기판 상에 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극을 커버하는 게이트절연막을 기판 전면에 형성하는 단계; 상기 게이트전연막 상에 나노파우더를 용해시키며 약산을 포함하는 분산용액을 분산시키는 단계; 상기 분산용액을 기화시켜 나노파우더로 형성되는 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층 상에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 본 발명의 표시장치 제조방법은 약산을 포함하는 분산용액를 사용하여 나노파우더의 표면에 산화막을 억제함으로써 산화막을 제저하기 위한 공정을 실시할 필요가 없게되어 공정의 단순화를 도모할 수 있고, 상기 산화막 제거를 위한 공정 장비 및 재료비를 절감할 수 있는 효과가 있다. 또한 산화막 억제로 인해 나노파우더는 그래인바운더리에서 발생되는 스캐터링을 최소화할 수 있게 된다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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