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서로 이격되어 대향 합착되는 제 1, 제 2 기판과,상기 제 1 기판 상에 배열된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선으로부터 이격되며, 상기 게이트 배선과 평행하게 배열되는 제 1 전원배선과, 상기 게이트 배선에 수직교차하여 4개의 서브픽셀로 분할되는 다수의 픽셀을 정의하는 데이터 배선과, 상기 게이트 배선과 평행하도록 인접한 상기 게이트 배선 사이에 형성되는 제 2 수평 전원배선 및 상기 데이터 배선과 평행하도록 인접한 상기 데이터 배선 사이에 형성되는 제 2 수직 전원배선을 포함하는 제 2 전원배선과,상기 서브픽셀마다 구비되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 콘택전극과, 상기 제 2 기판 상에 차례로 적층되는 제 1 전극 및 유기발광층과, 상기 유기발광층 상에 형성되고 상기 콘택전극에 연결되는 제 2 전극을 포함하며,상기 4개의 서브픽셀 중 인접한 2개의 상기 서브픽셀이 상기 제 2 수직 전원배선을 공유하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 수직 전원배선을 사이에 두고 인접한 2개의 서브픽셀은 미러형태로 형성되며, 상기 제 2 수평 전원배선을 사이에 두고 인접한 2개의 서브픽셀 역시 미러형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 배선에 평행하는 상기 제 2 수평 전원배선과 상기 데이터 배선에 평행하는 상기 제 2 수직 전원배선은 서로 교차하는 지점에서 콘택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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7
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 배선에 평행하는 상기 제 2 수평 전원배선은 상기 게이트 배선과 동일층에 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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8
제 1 항에 있어서, 상기 데이터 배선에 평행하는 제 2 수직 전원배선은 상기 데이터 배선과 동일층에 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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9
제 1 항에 있어서, 상기 콘택전극에 인접하는 제 2 전원배선은 상기 콘택전극의 모서리에 오버랩되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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10
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전원배선 상부에 상기 제 1 전원배선으로부터 절연된 커패시터 전극이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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11
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전원배선은 상기 게이트 배선과 동일층에 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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12
제 11 항에 있어서, 상기 커패시터 전극은 상기 데이터 배선과 동일층에 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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13
제 1 항에 있어서, 상기 스위칭 박막트랜지스터는,상기 게이트 배선으로부터 분기되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극으로부터 절연되는 액티브층과, 상기 액티브층 양끝단에 각각 형성되는 소스전극 및 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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14
제 13 항에 있어서, 상기 구동 박막트랜지스터는,상기 스위칭 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극으로부터 절연되는 액티브층과, 상기 게이트 전극의 네 모서리 부분에 오버랩되고 상기 제 2 수직 전원배선에 연결되는 소스전극과, 상기 소스전극으로부터 이격되는 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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제 14 항에 있어서, 상기 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극은 서브-픽셀의 대부분 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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제 14 항에 있어서, 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극은 상기 구동 박막트랜지스터의 소스전극 내부에 섬(island) 모양으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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17
제 14 항에 있어서, 상기 구동 박막트랜지스터의 소스전극은 상기 제 2 수직 전원배선과 일체형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
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