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액정표시장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015046721
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요약 본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 화소 개구율을 개선한 액정표시장치 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 액정표시장치 제조방법은, 기판 상에 금속막을 형성한 다음 마스크를 포함한 포토리쏘그래피 방법으로 노광 및 식각 공정을 진행하여 게이트 전극, 게이트 배선, 공통전극 및 제 1 스토리지 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 비정질실리콘막 및 도핑된 비정질실리콘막을 순차적으로 형성한 다음, 유기절연막을 형성하는 단계; 상기 유기절연막이 형성된 기판 상에 회절마스크 또는 하프톤 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 노광 및 식각하여 제 1 유기절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 1 유기절연막 패턴을 마스크로 하여 식각하여 채널영역을 형성하고, 제 2 유기절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 2 유기절연막 패턴이 형성된 기판 상에 금속막을 형성한 다음, 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피방법으로 노광 및 식각하여 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극 및 데이터 배선이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고 상기 드레인 전극의 일부와 패드영역을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 보호막이 형성된 기판 상에 투명성 도전막을 형성한 다음 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피방법으로 노광 및 식각하여 제 2 스토리지 전극 및 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.본 발명은 데이터 배선과 인접한 공통 전극을 데이터 배선 영역으로 이동시킴으로써, 화소 영역의 개구율을 개선한 효과가 있다.액정표시장치, 개구율, 유기절연막, 화소전극, 공통전극
Int. CL G03F 1/32 (2012.01) G02F 1/136 (2006.01) G03F 1/68 (2012.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01) G02F 1/136(2013.01)
출원번호/일자 1020060136197 (2006.12.28)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1374997-0000 (2014.03.10)
공개번호/일자 10-2008-0061183 (2008.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20140317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.22)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오금미 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0975324-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-1021135-98
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-0722816-81
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0033864-88
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0457118-62
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0799027-91
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0799030-28
13 등록결정서
Decision to grant
2014.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0003807-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 금속막을 형성한 다음 마스크를 포함한 포토리쏘그래피 방법으로 노광 및 식각 공정을 진행하여 게이트 전극, 게이트 배선, 공통전극 및 제 1 스토리지 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 비정질실리콘막 및 도핑된 비정질실리콘막을 순차적으로 형성한 다음, 유기절연막을 형성하는 단계;상기 유기절연막이 형성된 기판 상에 회절마스크 또는 하프톤 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 노광 및 식각하여 제 1 유기절연막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 유기절연막 패턴을 마스크로 하여 식각하여 채널영역을 형성하고, 제 2 유기절연막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 2 유기절연막 패턴이 형성된 기판 상에 금속막을 형성한 다음, 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피방법으로 노광 및 식각하여 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극 및 데이터 배선이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고 상기 드레인 전극의 일부와 패드영역을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 보호막이 형성된 기판 상에 투명성 도전막을 형성한 다음 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피방법으로 노광 및 식각하여 제 2 스토리지 전극 및 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 유기절연막 패턴은 상기 데이터 배선 하부에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 데이터 배선 하부의 기판 상에는 상기 공통 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 유기절연막은 아크릴계(acryl)유기화합물, 테프론(Teflon), BCB(benzocyclobutene), 사이토프 (cytop) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane)중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 투명성 도전막은 ITO, IZO 또는 ITZO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
6 6
기판 상에 금속막을 형성한 다음 노광 및 식각 공정을 진행하여 게이트 전극, 게이트 배선, 공통전극 및 제 1 스토리지 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 비정질실리콘막 및 도핑된 비정질실리콘막을 순차적으로 형성한 다음, 유기절연막을 형성하는 단계;상기 유기절연막이 형성된 기판 상에 회절마스크 또는 하프톤 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 노광 및 식각하여 제 1 유기절연막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 유기절연막 패턴을 마스크로 하여 식각하여 채널영역을 형성하고, 제 2 유기절연막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 2 유기절연막 패턴이 형성된 기판 상에 금속막을 형성한 다음, 노광 및 식각하여 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계;상기 소스/드레인 전극 및 데이터 배선이 형성된 기판 상에 보호막을 형성하고 포토레지스트를 형성한 다음 노광하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 마스크로 상기 드레인 전극의 일부와 패드영역을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 투명성 도전막을 형성한 다음, 스트립 용액으로 포토레지스트 패턴을 제거하는 리프트 오프 공정으로 제 2 스토리지 전극 및 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 2 유기절연막 패턴은 상기 데이터 배선 하부에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 데이터 배선 하부의 기판 상에는 상기 공통 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 유기절연막은 아크릴계(acryl)유기화합물, 테프론(Teflon), BCB(benzocyclobutene), 사이토프 (cytop) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane)중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 투명성 도전막은 ITO, IZO 또는 ITZO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
11 11
기판;상기 기판 상에 배치된 게이트 전극, 게이트 배선 및 공통 전극;상기 게이트 배선과 게이트 절연막을 사이에 두고 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선;상기 데이터 배선과 게이트 배선의 교차 영역에 배치된 박막 트랜지스터;상기 화소 영역에서 상기 공통 전극과 교대로 배치된 화소 전극; 및상기 데이터 배선은 상기 화소 영역에 형성된 공통 전극들 중 상기 데이터 배선과 인접한 공통 전극과 서로 중첩되고, 상기 데이터 배선과 상기 공통 전극 사이와 상기 데이터 배선과 박막 트랜지스터의 채널층 사이에 각각 배치된 유기절연막을 포함하고,상기 박막 트랜지스터의 채널층 상에 형성된 유기절연막은 상기 데이터 배선과 교차하는 상기 게이트 배선과 대응되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 유기절연막은 아크릴계(acryl)유기화합물, 테프론(Teflon), BCB(benzocyclobutene), 사이토프 (cytop) 또는 PFCB(perfluorocyclobutane)중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 화소 전극은 ITO, IZO 또는 ITZO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 데이터 배선 하부에는 유기절연막이 개재된 것을 특징으로 하는 액정표시장치
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 데이터 배선과 중첩되는 공통전극과 유기절연막 사이에는 비정질 실리콘막 및 도핑된 비정질 실리콘막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.