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도전성 입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015046723
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요약 본 발명은 도전성 입자의 제조방법, 이로부터 형성된 도전성 입자 및 이를 구비한 이방 도전성 접착재료에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도전성 입자의 제조방법은 (S1) 고분자 분체를 준비하는 단계; (S2) 인계 환원제를 이용한 무전해 도금을 실시하여 상기 고분자 분체 표면에 니켈 박층이 형성된 니켈피복 분체를 제조하는 단계; 및 (S3) 상기 니켈피복 분체를 열처리하여 니켈 박층에 함유된 인의 함량을 니켈 박층 총 중량을 기준으로 2 중량% 이하로 감소시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 제조방법에 따르면, 무전해 도금된 고분자 분체 표면의 니켈 박층 내에 존재하는 인의 함량을 감소시킴으로서, 니켈 박층의 전기전도도와 니켈 박층/고분자 분체 사이의 계면 접착력이 증가하고, 이에 따라 도전성 입자의 내구성 및 전기전도도가 향상된다. 도전성 입자, 니켈 박층, 무전해 도금, 인계 환원제, 열처리, 금 도금층
Int. CL C09J 9/00 (2006.01) C09J 9/02 (2006.01) C09J 1/00 (2006.01)
CPC C09J 9/02(2013.01) C09J 9/02(2013.01) C09J 9/02(2013.01) C09J 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020060137060 (2006.12.28)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1175274-0000 (2012.08.13)
공개번호/일자 10-2008-0061888 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수경 대한민국 경남 창녕군
2 구종민 대한민국 대전광역시 유성구
3 한보령 대한민국 대전광역시 유성구
4 박도연 대한민국 대전광역시 유성구
5 전문석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0979226-16
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0159686-52
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0463450-41
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.11.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0095284-79
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0134667-39
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0358994-05
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0415505-74
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0415504-28
10 등록결정서
Decision to grant
2012.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0462748-99
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) 고분자 분체를 준비하는 단계;(S2) 인계 환원제를 이용한 무전해 도금을 실시하여 상기 고분자 분체 표면에 니켈 박층이 형성된 니켈피복 분체를 제조하는 단계; 및(S3) 상기 니켈피복 분체를 불활성 분위기에서 200 내지 250 ℃의 온도로 열처리하여 니켈 박층에 함유된 인의 함량을 니켈 박층 총 중량을 기준으로 2 중량% 이하로 감소시키는 단계를 포함하는 도전성 입자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 열처리된 니켈피복 분체 표면에 금을 치환도금하여 금 도금층을 형성하는 단계를 더 포함하는 도전성 입자의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 고분자 분체의 평균 입경은 1 내지 1,000 um인 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 인계 환원제는 NaH2PO2, KH2PO2 및 NH4H2PO2로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 니켈 박층의 평균 두께는 60 내지 1,000 nm인 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
6 6
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7 7
제1항에 있어서,상기 상기 열처리된 니켈피복 분체 표면에 수지 피복층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
8 8
제2항에 있어서,상기 금 도금층이 형성된 니켈피복 분체 표면에 수지 피복층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.