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(S1) 제 1 도전형 실리콘 기판을 황산, 과산, 불산, 질산 및 물을 포함하는 전처리 용액으로 처리하여 상기 실리콘 기판에 묻어 있는 유기물 및 상기 실리콘 기판에 형성되어 있는 크랙을 동시에 제거하는 단계;(S2) 상기 실리콘 기판 상에 상기 실리콘 기판과 반대 도전형의 제2 도전형 도전층을 형성하는 단계;(S3) 상기 제2 도전형 도전층 상에 반사방지막을 형성하는 단계;(S4) 상기 반사방지막을 관통하며 상기 제2 도전형 도전층에 연결되도록 전면전극을 형성하는 단계; (S5) 상기 실리콘 기판의 반사방지막이 형성된 면과 반대 면에 후면전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전처리 용액에서의 각 성분의 함량은, 물 100 중량부에 대하여 황산 5 내지 7 중량부, 과산 9 내지 15 중량부, 불산 15 내지 30 중량부, 질산 15 내지 40 중량부인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 p-형 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반사방지막은 실리콘나이트라이드를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (S3) 단계는 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (S4) 단계는 전면전극 형성용 페이스트를 소정 패턴에 따라 반사방지막 위에 도포한 후, 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (S5) 단계는 후면전극 형성용 페이스트를 상기 실리콘 기판의 반사방지막이 형성된 면과 반대 면에 도포한 후, 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (S4) 및 (S5) 단계는 각각, 전면전극 형성용 페이스트를 소정 패턴에 따라 반사방지막 위에 도포하고, 후면전극 형성용 페이스트를 상기 실리콘 기판의 반사방지막이 형성된 면과 반대 면에 도포한 후, 동시에 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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