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초친수성 Ti-O-C 계 나노 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015046841
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Ti 전구체에 비점이 낮고 휘발성이 좋은 액체를 일정 비율로 혼합함으로써 증착 두께가 향상되고 증착 균일도도 우수한 초친수성 Ti-O-C 계 나노 박막을 제조하였다. 상기 촉매는 Ti 전구체의 기화를 촉진시키고 Ti 전구체가 반응챔버로 분사되는 것을 용이하게 하여 플라즈마 중합처리 효율이 향상시킨다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) C23C 16/18 (2011.01) C23C 16/00 (2011.01)
CPC C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01) C23C 16/18(2013.01)
출원번호/일자 1020067023151 (2006.11.03)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0836055-0000 (2008.06.02)
공개번호/일자 10-2007-0026496 (2007.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20080609) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2004/003532 (2004.12.30)
국제공개번호/일자 WO2006070956 (2006.07.06)
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정영만 대한민국 경상남도 김해시
2 전현우 대한민국 경상남도 창원 가
3 정창일 대한민국 부산 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Article 203 of Patent Act
2006.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0807661-19
2 보정요구서
Request for Amendment
2007.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0006328-37
3 서지사항보정서(납부자번호)
Amendment to Bibliographic items(Payer Number)
2007.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0044182-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0446824-23
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0750938-81
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0835098-59
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0835099-05
8 등록결정서
Decision to grant
2008.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0141893-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
하나 이상의 전극이 설치된 진공 상태의 반응 챔버에 피도물을 위치시키고, 상기 반응 챔버 내로 Ti 전구체 가스, 공기 또는 산소 중에서 선택되는 반응성 가스, 및 Ti의 증착 촉진제로서 휘발성 촉매를 도입하고, 상기 전극에 고전압을 인가하여 상기 가스들을 플라즈마 상태로 변화시키고,상기 피도물의 적어도 일면에 Ti-O-C 계 박막을 형성하는 것을 포함하는초친수성 Ti-O-C 계 박막 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 휘발성 촉매는 DMB (di-methyl butadiene), THF (tetra hydro furan) 및 Hexane 중에서 선택되는 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 초친수성 Ti-O-C 계 박막 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 Ti 전구체는 티타늄 테트라이소프로폭사이드(titanium tetraisopropoxide)[Ti(OC3H7)4]인 것을 특징으로 하는 초친수성 Ti-O-C 계 박막 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 Ti 전구체는 액상의 전구체를 기화시켜 상기 반응챔버 내로 도입되는 것을 특징으로 하는 초친수성 Ti-O-C 계 박막 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 피도물은 금속인 것을 특징으로 하는 초친수성 Ti-O-C 계 박막 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 피도물에는 직류 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 초친수성 Ti-O-C 계 박막 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 Ti 전구체는 별도의 캐리어 가스에 의하여 상기 반응챔버로 운반되는 것을 특징으로 하는 초친수성 Ti-O-C 계 박막 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 He, N2, 또는 Ar 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 초친수성 Ti-O-C 계 박막 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 Ti 전구체와 상기 휘발성 촉매의 비율은 70 : 30 ~ 50 : 50 인 것을 특징으로 하는 초친수성 Ti-O-C 계 박막 제조방법
10 10
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01831424 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01831424 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 US07790246 US 미국 FAMILY
4 US20080063895 US 미국 FAMILY
5 WO2006070956 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008063895 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7790246 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.