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실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 태양전지의 제조방법 및태양전지

  • 기술번호 : KST2015046848
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 이를 포함하는 태양전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법은, (S1) 두 장의 실리콘 웨이퍼 사이에 물을 주입한 후 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계; (S2) 상기 (S1) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 요철 형성용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 일면에 요철을 형성하는 단계; (S3) 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼의 식각액으로 처리된 면 사이에 물을 주입한 후 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계; (S4) 상기 (S3) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼를 평탄화용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 일면을 평탄화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법에 따르면, 물을 매개로 두 장의 실리콘 웨이퍼를 결합시킨 후 이들 실리콘 웨이퍼를 식각 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼 일면만이 식각되도록 함으로써, 간단한 공정 및 저렴한 비용으로 실리콘 웨이퍼의 표면을 평탄화하고 요철을 형성할 수 있으며, 궁극적으로 태양전지의 생산성을 향상시키고 제조 단가를 낮출 수 있다. 태양전지, 광기전력효과, p-n 접합, 실리콘 웨이퍼, 텍스쳐링, 식각액
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020060138278 (2006.12.29)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1244791-0000 (2013.03.12)
공개번호/일자 10-2008-0062446 (2008.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안준용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0983561-35
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0163400-62
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0520313-11
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0020801-84
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0464193-06
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0811438-91
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0811437-45
13 등록결정서
Decision to grant
2013.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0116962-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) 두 장의 실리콘 웨이퍼를 각각의 제1 면이 서로 마주하도록 배치한 상태에서 상기 제1 면들의 사이에 물을 주입한 후 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계;(S2) 상기 (S1) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼 각각의 제2 면들을 요철 형성용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 제2 면들에 요철을 형성하는 단계;(S3) 상기 요철이 형성된 상기 제2 면들이 서로 마주하도록 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼를 배치한 상태에서 상기 제2 면들의 사이에 물을 주입한 후 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계;(S4) 상기 (S3) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 면들을 평탄화용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 면들을 평탄화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 요철 형성용 식각액은 불산 및 질산의 혼합액으로, 상기 식각액 중 불산의 체적비는 70% 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 평탄화용 식각액은 불산 및 질산의 혼합액으로, 상기 식각액 중 질산의 체적비는 70% 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 p-형 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
5 5
(S1) 두 장의 실리콘 웨이퍼를 각각의 제1 면이 서로 마주하도록 배치한 상태에서 상기 제1 면들의 사이에 물을 주입한 후 이들을 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계;(S2) 상기 (S1) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼 각각의 제2 면들을 평탄화용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 제2 면들을 평탄화하는 단계;(S3) 상기 제2 면들이 서로 마주하도록 상기 두 장의 실리콘 웨이퍼를 배치한 상태에서 상기 제2 면들의 사이에 물을 주입한 후 이들이 마주하도록 밀착시켜 이들을 결합시키는 단계;(S4) 상기 (S3) 단계에서 결합된 두 장의 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 면들을 요철 형성용 식각액으로 처리하여 각각의 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 면들에 요철을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 요철 형성용 식각액은 불산을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 평탄화용 식각액은 질산을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 p-형 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법을 포함하는 태양전지의 제조방법
10 10
제9항에 따른 태양전지의 제조방법을 이용하여 제조된 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.