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질화물 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2015046994
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요약 본 발명은 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다.본 발명 실시 예에 의한 질화물 반도체 발광소자는 기판 및 상기 기판 위에 n형 질화물층, 활성층, p형 질화물층을 포함하는 발광 소자에 있어서, 상기 기판 표면에 형성된 다수개의 Y자형 패턴을 포함한다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020070007389 (2007.01.24)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1321356-0000 (2013.10.17)
공개번호/일자 10-2008-0069766 (2008.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (20131022) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진수 대한민국 전북 부안군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0071855-07
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.06 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2009-0207172-02
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2009.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0024150-09
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0260791-20
5 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2009.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0031727-07
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0553722-33
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0493068-76
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0851601-64
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0851603-55
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0091240-40
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0301287-54
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0301288-00
15 등록결정서
Decision to grant
2013.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0495529-04
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 및 상기 기판 위에 n형 질화물층, 활성층, p형 질화물층을 포함하는 발광 소자에 있어서,상기 기판 표면에 형성된 다수개의 Y자형 패턴을 포함하고,상기 다수개의 Y자형 패턴은 상기 기판 표면에 볼록부 형태로 형성되고, 상기 다수개의 Y자형 패턴 중에서 서로 인접한 Y자형 패턴 간에 상호 이격 되어 배치된 질화물 반도체 발광소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 Y자형 패턴은 지그 재그로 형성되는 질화물 반도체 발광소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 Y자형 패턴의 삼 변의 길이는 동일하게 형성되는 질화물 반도체 발광소자
4 4
제 1항에 있어서,상기 Y자형 패턴과 인접한 Y자형 패턴 간의 간격이 동일하게 형성되는 질화물 반도체 발광 소자
5 5
제 1항에 있어서,상기 Y자형 패턴은 각 변 사이의 각도가 동일하게 형성되는 질화물 반도체 발광 소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 Y자형 패턴 간의 간격은 0
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서,상기 Y자형 패턴은 서로 교대로 배열되는 질화물 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.