기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

수직형 발광 소자 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015047024
담당센터 :
전화번호 :

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이 발광 소자는 지지층; 상기 지지층 상에 위치하는 제1전극; 상기 제1전극 상에 위치하는 제1반도체층; 상기 제1반도체층 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 제2반도체층; 상기 제2반도체층 상에 위치하며, 다수의 홈이 구비된 투명기판; 상기 투명기판의 홈에 위치하는 색변환 물질; 및 상기 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극을 포함하여 구성될 수 있다.발광 소자 패키지, 형광체, 수직형 발광 소자, 광추출부
Int. CL	H01L 33/20 (2014.01)
CPC	H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자	1020070008506 (2007.01.26)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-1259122-0000 (2013.04.22)
공개번호/일자	10-2008-0070414 (2008.07.30) 문서열기
공고번호/일자	(20130426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.08.30)
심사청구항수	13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	장영일	대한민국	경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	심창섭	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 *, 현대빌딩 층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2007.01.26	수리 (Accepted)	1-1-2007-0082169-41
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2011.08.30	수리 (Accepted)	1-1-2011-0674891-90
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.09.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0561601-31
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.11.19	수리 (Accepted)	1-1-2012-0948870-70
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.11.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0948869-23
9	등록결정서 Decision to grant	2013.03.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0172638-30
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 지지층;상기 지지층 상에 위치하는 제1전극;상기 제1전극 상에 위치하는 제1반도체층;상기 제1반도체층 상에 위치하는 발광층;상기 발광층 상에 위치하는 제2반도체층;상기 제2반도체층 상에 위치하며, 다수의 홈이 구비된 투명기판; 상기 투명기판의 홈에 위치하는 색변환 물질; 및상기 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 제2반도체층과 상기 투명기판 사이에는 복수의 광추출부가 구비된 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
3	3 제 2항에 있어서, 상기 광추출부의 형상은 원뿔 형상인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
4	4 제 2항에 있어서, 상기 제2반도체층은 n-형 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
5	5 제 2항에 있어서, 상기 광추출부와 상기 투명기판 사이에는, 충진재가 구비된 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
6	6 제 5항에 있어서, 상기 충진재는 유리, 실리콘 및 에폭시 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
7	7 제 1항에 있어서, 상기 투명기판은 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
8	8 제 2항에 있어서, 상기 투명기판의 홈은 상기 복수의 광추출부에 대응하는 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
9	9 지지층, 상기 지지층 상에 위치하는 제1전극, 상기 제1전극 상에 위치하는 제1반도체층, 상기 제1반도체층 상에 위치하는 발광층, 및 상기 발광층 상에 위치하며, 복수의 광추출부가 형성된 제2반도체층을 포함하는 발광 다이오드 칩을 준비하는 단계;상기 제2반도체층 상에 투명기판을 위치시키는 단계;상기 투명기판에 복수의 홈을 형성하는 단계;상기 홈에 색변환 물질을 위치시키는 단계; 및상기 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩을 준비하는 단계 이후에는,상기 제2반도체층 상에 복수의 광추출부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
11	11 제 10항에 있어서, 상기 광추출부의 형상은 원뿔 형상인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
12	12 제 10항에 있어서, 상기 광추출부 상에, 충진재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
13	13 제 10항에 있어서, 상기 투명기판의 홈은 상기 복수의 광추출부에 대응하는 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
14	14 삭제

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1259122-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070126 출원 번호 : 1020070008506 공고 연월일 : 20130426 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130314 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 33/20 발명의 명칭 : 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	552,000 원	2013년 04월 23일	납입
제 4 년분	금 액	326,000 원	2016년 03월 24일	납입
제 5 년분	금 액	326,000 원	2017년 03월 24일	납입
제 6 년분	금 액	326,000 원	2018년 03월 23일	납입
제 7 년분	금 액	594,000 원	2019년 03월 22일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2007.01.26	수리 (Accepted)	1-1-2007-0082169-41
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
3	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
4	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2011.08.30	수리 (Accepted)	1-1-2011-0674891-90
6	의견제출통지서	2012.09.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0561601-31
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.11.19	수리 (Accepted)	1-1-2012-0948870-70
8	[명세서등 보정]보정서	2012.11.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0948869-23
9	등록결정서	2013.03.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0172638-30
10	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015047024
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	수직형 발광 소자 및 그 제조 방법
기술개요	본 발명은 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이 발광 소자는 지지층; 상기 지지층 상에 위치하는 제1전극; 상기 제1전극 상에 위치하는 제1반도체층; 상기 제1반도체층 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 제2반도체층; 상기 제2반도체층 상에 위치하며, 다수의 홈이 구비된 투명기판; 상기 투명기판의 홈에 위치하는 색변환 물질; 및 상기 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극을 포함하여 구성될 수 있다.발광 소자 패키지, 형광체, 수직형 발광 소자, 광추출부
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015042309][LG그룹]	질화물계 발광 소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015068801][LG그룹]	무분극 이종 기판 및 그 제조방법, 이를 이용한 질화물계 발광 소자	새창보기
[KST2015031203][LG그룹]	발광 소자 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2015035373][LG그룹]	수직 구조의 발광 다이오드 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015039545][LG그룹]	발광 소자 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2015031226][LG그룹]	질화물계 화합물 발광소자	새창보기
[KST2015050954][LG그룹]	거침처리된 사파이어 기재 기판을 이용한 화합물 반도체기판 및 그 제조방법과, 이를 이용한 고휘도 발광 소자 및그 제조방법	새창보기
[KST2015031188][LG그룹]	질화물 반도체 발광 다이오드의 제조 방법	새창보기
[KST2015039395][LG그룹]	고출력 발광소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015040056][LG그룹]	발광다이오드용 메탈 코어 인쇄회로기판	새창보기
[KST2015030813][LG그룹]	반도체 발광소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015046994][LG그룹]	질화물 반도체 발광소자	새창보기
[KST2015060917][LG그룹]	반도체 발광소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015064162][LG그룹]	발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법	새창보기
[KST2015059720][LG그룹]	반도체 발광소자 및 그 제조방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택