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지지층;상기 지지층 상에 위치하는 제1전극;상기 제1전극 상에 위치하는 제1반도체층;상기 제1반도체층 상에 위치하는 발광층;상기 발광층 상에 위치하는 제2반도체층;상기 제2반도체층 상에 위치하며, 다수의 홈이 구비된 투명기판; 상기 투명기판의 홈에 위치하는 색변환 물질; 및상기 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 제2반도체층과 상기 투명기판 사이에는 복수의 광추출부가 구비된 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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제 2항에 있어서, 상기 광추출부의 형상은 원뿔 형상인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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제 2항에 있어서, 상기 제2반도체층은 n-형 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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제 2항에 있어서, 상기 광추출부와 상기 투명기판 사이에는, 충진재가 구비된 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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제 5항에 있어서, 상기 충진재는 유리, 실리콘 및 에폭시 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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제 1항에 있어서, 상기 투명기판은 유리로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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제 2항에 있어서, 상기 투명기판의 홈은 상기 복수의 광추출부에 대응하는 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자
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지지층, 상기 지지층 상에 위치하는 제1전극, 상기 제1전극 상에 위치하는 제1반도체층, 상기 제1반도체층 상에 위치하는 발광층, 및 상기 발광층 상에 위치하며, 복수의 광추출부가 형성된 제2반도체층을 포함하는 발광 다이오드 칩을 준비하는 단계;상기 제2반도체층 상에 투명기판을 위치시키는 단계;상기 투명기판에 복수의 홈을 형성하는 단계;상기 홈에 색변환 물질을 위치시키는 단계; 및상기 제2반도체층과 전기적으로 연결되는 제2전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
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제 9항에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩을 준비하는 단계 이후에는,상기 제2반도체층 상에 복수의 광추출부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
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제 10항에 있어서, 상기 광추출부의 형상은 원뿔 형상인 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
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제 10항에 있어서, 상기 광추출부 상에, 충진재를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
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제 10항에 있어서, 상기 투명기판의 홈은 상기 복수의 광추출부에 대응하는 위치에 위치하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광 소자의 제조 방법
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