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ＣＭＰ 슬러리 및 이를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마 방법

  • 기술번호 : KST2015047058
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 연마입자; 및 물을 포함하며 제 1점도를 갖는 CMP 슬러리에, 중량평균분자량이 30 내지 500이고 하이드록시기(OH), 카르복실기 (COOH) 또는 둘 다를 포함하는 화합물을 첨가하여, 제 1점도에 비해 5 ~ 30% 감소된 제 2 점도를 갖도록 조절된 것이 특징인 CMP 슬러리, 상기 슬러리를 이용하는 반도체 웨이퍼의 연마 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 연마 입자의 응집입도를 감소시키고 연마슬러리의 점도를 낮추면서도 연마시 웨이퍼의 광역평탄화도를 높여 미세패턴을 요구하는 반도체 장치에 적극적으로 사용할 수 있고, 이로부터 반도체 장치의 제조에 따른 신뢰도 및 생산성을 향상시킬 수 있다.CMP 슬러리, 광역평탄화도, 점도, 하이드록시기, 카르복실기
Int. CL C09K 3/14 (2006.01) C11D 7/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070006040 (2007.01.19)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-0880107-0000 (2009.01.15)
공개번호/일자 10-2007-0078064 (2007.07.30) 문서열기
공고번호/일자 (20090121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060007995   |   2006.01.25
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조승범 대한민국 대전 유성구
2 김종필 대한민국 대전 서구
3 노준석 대한민국 대전 유성구
4 오명환 대한민국 대전 유성구
5 김장열 대한민국 대전 대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍원진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신성빌딩)(특허법인천문)
2 함현경 대한민국 서울시 송파구 법원로 *** 대명타워 *층(한얼국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0056938-91
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0057709-02
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0229834-99
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0311928-39
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0350019-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0350020-57
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0369723-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0515099-12
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0515128-59
10 등록결정서
Decision to grant		 2009.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0005998-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
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번호 청구항
1 1
연마입자; 및 물을 포함하며 제 1점도를 갖는 CMP 슬러리에, 중량평균분자량이 30 내지 500이고 하이드록시기(OH), 카르복실기 (COOH) 또는 둘 다를 포함하는 화합물을 첨가하여,제 1점도에 비해 5 ~ 30% 감소된, 1
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 중량평균분자량이 30 내지 500이고 하이드록시기(OH), 카르복실기 (COOH) 또는 둘 다를 포함하는 화합물은 시트레이트 (citrate)기 함유 화합물, 글루코네이트 (gluconate)기 함유 화합물, 말레이트(malate)기 함유 화합물, 타르타레이트(tartarate)기 함유 화합물, 2-하이드록시이소부티레이트 (2-hydroxyisobutyrate)기 함유 화합물, 아디페이트 (adipate)기 함유 화합물, 옥타노에이트(octanoate)기 함유 화합물, 숙시네이트(succinate)기 함유 화합물, 에틸렌디아민테트라아세테이트 (EDTA)기 함유 화합물, 글루타레이트(glutarate)기 함유 화합물, 메틸렌숙시네이트 (methylenesuccinate)기 함유 화합물, 만노즈(mannose), 글리세로-갈락토-헵토즈(glycero-galacto-heptose), 에리스로-만노-옥토즈(erythro-manno-octose), 아라비노-갈락토-논노즈(arabino-galacto-nonose), 및 글루타민(glutamine)으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 특징인 CMP 슬러리
5 5
제 1항에 있어서, 상기 중량평균분자량이 30 내지 500이고 하이드록시기(OH), 카르복실기 (COOH) 또는 둘 다를 포함하는 화합물이 CMP슬러리 중 연마입자 100중량부 대비 0
6 6
제 1항에 있어서, 첨가제로서 중량평균분자량이 2,000 내지 50,000인 선형의 중합체산, 중량평균분자량이 1,000 내지 20,000이고 주쇄 및 측쇄로 구성된 그라프트 형태의 중합체산, 또는 이 들의 혼합물을 더 포함하는 것이 특징인 CMP 슬러리
7 7
제 6항에 있어서, 상기 첨가제는 CMP 슬러리 100중량부 대비 0
8 8
제 6항에 있어서, 상기 선형의 중합체산은 아크릴산, 메타아크릴산, 이타코닉산, 및 말레익산으로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 그라프트 형태의 중합체산은 하기 화학식 1 로 표시되는 알콕시폴리알킬렌글리콜- 모노(메타)아크릴산 에스테르 단량체를 함유하는 것이 특징인 CMP 슬러리:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1은 수소원자 또는 메틸이고,R2O는 탄소수 2∼4의 옥시알킬렌의 1 종 또는 2 종 이상의 혼합물이되, 2 종 이상의 혼합물일 경우에는 블록상 또는 랜덤상으로 부가될 수 있으며, R3는 탄소수 1∼4의 알킬이고,m은 옥시알킬렌기의 평균 부가 몰수로서 1 내지 50의 정수이다
9 9
제 1항에 있어서, 상기 연마입자는 산화세륨인 것이 특징인 CMP 슬러리
10 10
제 1항에 있어서, 상기 연마입자는 CMP 슬러리 100 중량부 대비 0
11 11
제1항 및 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 CMP 슬러리를 사용하는 것이 특징인 반도체 웨이퍼의 연마 방법
12 12
제 11항에 있어서, WIWNU(Within Wafer Non-Uniformity)를 6
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101374922 CN 중국 FAMILY
2 EP01994112 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01994112 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05290769 JP 일본 FAMILY
5 JP21524236 JP 일본 FAMILY
6 TW200800486 TW 대만 FAMILY
7 TWI313209 TW 대만 FAMILY
8 US07736530 US 미국 FAMILY
9 US20070191244 US 미국 FAMILY
10 WO2007086665 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
11 WO2007086665 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101374922 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101374922 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1994112 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1994112 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1994112 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2009524236 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP2009524236 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 JP2009524236 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 JP5290769 JP 일본 DOCDBFAMILY
10 TW200800486 TW 대만 DOCDBFAMILY
11 TWI313209 TW 대만 DOCDBFAMILY
12 US2007191244 US 미국 DOCDBFAMILY
13 US7736530 US 미국 DOCDBFAMILY
14 WO2007086665 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
15 WO2007086665 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.