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버퍼층을 포함하는 실리콘 박막형 광기전력 변환소자 및 그제조방법

기술번호 : KST2015047120
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 새로운 버퍼층의 성장을 통한 고효율의 실리콘 박막형 광기전력 변환소자에 관한 것으로서, 농도구배에 따라 고농도에서 저농도로 조성이 달라지는 주석(Sn)을 포함하는 버퍼층을 투명전도막과 반도체층 사이에 형성한다.본 발명에 따르면, 수소 플라즈마로 인해 발생하는 투명전도막의 결함과 투명전도막과 반도체층의 접촉저항으로 인한 결함의 발생을 제거하여 고효율과 고신뢰도의 광기전력 변환소자를 얻을 수 있다.광기전력 변환소자, 버퍼층, 실리콘, 투명전도막, 반도체층, 수소플라즈마
Int. CL	H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC	H01L 31/075(2013.01) H01L 31/075(2013.01)
출원번호/일자	1020070006736 (2007.01.22)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-1233206-0000 (2013.02.07)
공개번호/일자	10-2008-0069089 (2008.07.25) 문서열기
공고번호/일자	(20130215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.07.27)
심사청구항수	15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	윤정흠	대한민국	경기도 남양주시 호평로 **
2	이해석	대한민국	경기 용인시 기흥구
3	이헌민	대한민국	경기도 광주시
4	김범성	대한민국	경기도 안양시 동안구
5	김화년	대한민국	경기 용인시 기흥구
6	어영주	대한민국	서울특별시 광진구
7	지광선	대한민국	서울특별시 동작구
8	안세원	대한민국	서울특별시 송파구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	박병창	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2007.01.22	수리 (Accepted)	1-1-2007-0065332-44
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
5	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2010.04.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0219335-97
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2011.07.27	수리 (Accepted)	1-1-2011-0581931-70
7	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.05.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.06.25	수리 (Accepted)	9-1-2012-0050762-38
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.07.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0413030-99
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.08.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0647883-36
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.08.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0647882-91
12	등록결정서 Decision to grant	2013.01.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0060045-27
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 농도구배에 따라 고농도에서 저농도로 조성이 달라지는 주석(Sn)을 포함하는 버퍼층이 투명전도막과 반도체층 사이에 적어도 하나 이상의 층으로 구비되는 광기전력 변환소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은 수소화된 SiSn, 수소화된 SiSnO, 수소화된 SiSnC, 수소화된 SiSnCO로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자
3	3 제 1항에 있어서, 상기 버퍼층이 다층의 버퍼층을 포함하고, 상기 다층의 버퍼층은 수소화된 SiSn, 수소화된 SiSnO, 수소화된 SiSnC, 수소화된 SiSnCO로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는 초기 버퍼층과, 수소화된 Si, 수소화된 SiC로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는 후기 버퍼층인 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자
4	4 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 버퍼층의 결정구조는 비정질, 미세 결정질, 및 다결정질 구조 중에서 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자
5	5 제 1항에 있어서, 상기 투명전도막은 불소(F)가 도핑된 산화주석(SnO2) 또는 도핑되지 않은 산화주석(SnO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자
6	6 제 1항에 있어서, 상기 반도체층은 수소화된 Si 또는 수소화된 SiC로 구성되는 p형 반도체층인 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자
7	7 투명전도막 위에 농도구배에 따라 고농도에서 저농도로 조성이 달라지는 주석(Sn)을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 위에 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 광기전력 변환소자의 제조방법
8	8 제 7항에 있어서, 상기 버퍼층은 단층으로 형성하고, 수소화된 SiSn, 수소화된 SiSnO, 수소화된 SiSnC, 수소화된 SiSnCO로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자의 제조방법
9	9 제 7항에 있어서, 상기 버퍼층은 초기 버퍼층으로부터 후기 형성 버퍼층으로 연속적으로 성장되는 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자의 제조방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 초기 버퍼층은,Sn층 또는 산소결함 SnO층을 형성하는 단계와, 및상기 Sn층 또는 산소결함 SnO층이 수소화된 Si, 수소화된 C, 수소화된 SiH4, 및 수소화된 CH4로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 가스분위기 하에서 수소화된 SiSn층, 수소화된 SiSnO층, 수소화된 SiSnC층, 수소화된 SiSnCO층으로 구성된 그룹에서 선택되는 하나 이상의 층으로 전환되는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자의 제조방법
11	11 제 10항에 있어서, 상기 초기 버퍼층의 두께는 Sn층 또는 산소결함 SnO층을 형성할 때 주입되는 수소(H2) 양에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자의 제조방법
12	12 제 11항에 있어서, 상기 초기 버퍼층의 두께는 1nm 내지 90nm인 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자의 제조방법
13	13 제 9항에 있어서, 상기 후기 버퍼층은 초기 버퍼층이 계속 성장하여 Sn이 존재하지 않는 수소화된 Si 또는 수소화된 SiC으로 조성된 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자의 제조방법
14	14 제 7항에 있어서, 상기 투명전도막은 불소(F)가 도핑된 산화주석(SnO2) 또는 도핑되지 않은 산화주석(SnO2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자의 제조방법
15	15 제 7항에 있어서, 상기 반도체층은 수소화된 Si 또는 수소화된 SiC로 구성되는 p형 반도체층인 것을 특징으로 하는 광기전력 변환소자의 제조방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1233206-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070122 출원 번호 : 1020070006736 공고 연월일 : 20130215 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130128 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 버퍼층을 포함하는 실리콘 박막형 광기전력 변환소자 및 그제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20190208

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	630,000 원	2013년 02월 08일	납입
제 4 년분	금 액	370,000 원	2016년 01월 22일	납입
제 5 년분	금 액	370,000 원	2017년 01월 24일	납입
제 6 년분	금 액	370,000 원	2018년 01월 24일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2007.01.22	수리 (Accepted)	1-1-2007-0065332-44
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
3	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
4	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
5	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2010.04.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0219335-97
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2011.07.27	수리 (Accepted)	1-1-2011-0581931-70
7	선행기술조사의뢰서	2012.05.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서	2012.06.25	수리 (Accepted)	9-1-2012-0050762-38
9	의견제출통지서	2012.07.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0413030-99
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.08.13	수리 (Accepted)	1-1-2012-0647883-36
11	[명세서등 보정]보정서	2012.08.13	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0647882-91
12	등록결정서	2013.01.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0060045-27
13	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
14	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015047120
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	버퍼층을 포함하는 실리콘 박막형 광기전력 변환소자 및 그제조방법
기술개요	본 발명은 새로운 버퍼층의 성장을 통한 고효율의 실리콘 박막형 광기전력 변환소자에 관한 것으로서, 농도구배에 따라 고농도에서 저농도로 조성이 달라지는 주석(Sn)을 포함하는 버퍼층을 투명전도막과 반도체층 사이에 형성한다.본 발명에 따르면, 수소 플라즈마로 인해 발생하는 투명전도막의 결함과 투명전도막과 반도체층의 접촉저항으로 인한 결함의 발생을 제거하여 고효율과 고신뢰도의 광기전력 변환소자를 얻을 수 있다.광기전력 변환소자, 버퍼층, 실리콘, 투명전도막, 반도체층, 수소플라즈마
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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