| 1 |
1
a) 인듐(In), b) 주석(Sn), c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 및 바륨(Ba)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M) 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성된 투명 도전 산화막으로서,상기 a) 인듐(In) 및 상기 b) 주석(Sn)을 총 금속 원소에 대해 80 ~ 99 at
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 금속산화물은 상기 a) 인듐(In)의 산화물로 In2O3, 상기 b) 주석(Sn)의 산화물로 SnO2, 및 상기 c) 금속(M)의 산화물로 MO을 포함하는 것인 투명 도전 산화막
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 플라스틱 기판 또는 유리 기판 상에 형성되는 것인 투명 도전 산화막
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서, 상기 플라스틱 기판은 폴리카보네이트 (polycarbonate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드 (polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트 (polyethylene naphthalate), 폴리아릴레이트 (polyallylate), 폴리에테르 술폰 (polyether sulfone), 비정질 폴리올레핀 (amorphous polyolefin), 폴리스티렌 (polystyrene), 및 아크릴 수지 중 선택된 1종 이상으로 형성된 것인 투명 도전 산화막
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 스퍼터링(sputtering)법, 화학기상증착(CVD)법, 졸-겔(sol-gel)법, 스핀 코팅(spin coating)법, 전자 빔 증착(E-Beam evaporation)법, 펄스레이저증착(PLD)법, 및 이온플레이팅(Ion plating)법 중에서 선택되는 방법으로 형성되는 것인 투명 도전 산화막
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 아르곤-수소 혼합가스를 스퍼터링 가스로 하여 스퍼터링(sputtering)법에 의해 형성되는 것인 투명 도전 산화막
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서, 상기 투명 도전 산화막은 수소 농도가 0 초과 1% 이하인 아르곤-수소 혼합가스를 스퍼터링 가스로 하여 스퍼터링(sputtering)법에 의해 형성되는 것인 투명 도전 산화막
|
| 8 |
8
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 따른 투명 도전 산화막은 비저항(resistivity)이 5 × 10-3 Ωcm 이하인 것인 투명 도전 산화막
|
| 9 |
9
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 따른 투명 도전 산화막으로 형성된 것인 투명 전극
|
| 10 |
10
청구항 9에 따른 투명 전극을 포함하는 전자장치
|
| 11 |
11
청구항 10에 따른 전자장치는 디스플레이장치 또는 태양 전지인 것인 전자장치
|
| 12 |
12
a) 인듐(In), b) 주석(Sn), c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 및 바륨(Ba)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M), 및 d) 산소(O)를 함유하는 인듐-주석 복합 산화물로서,상기 a) 인듐(In) 및 상기 b) 주석(Sn)을 총 금속 원소에 대해 80 ~ 99 at
|
| 13 |
13
청구항 12에 있어서, 상기 인듐-주석 복합 산화물은 상기 a) 인듐(In)의 산화물로 In2O3, 상기 b) 주석(Sn)의 산화물로 SnO2, 및 상기 c) 금속(M)의 산화물로 MO을 포함하는 것인 인듐-주석 복합 산화물
|
| 14 |
14
a) 인듐(In), b) 주석(Sn), c) 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 및 바륨(Ba)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속(M), 및 d) 산소(O)를 함유하는 금속산화물로 형성된 소결체로서,상기 a) 인듐(In) 및 상기 b) 주석(Sn)을 총 금속 원소에 대해 80 ~ 99 at
|
| 15 |
15
청구항 14에 있어서, 상기 금속산화물은 상기 a) 인듐(In)의 산화물로 In2O3, 상기 b) 주석(Sn)의 산화물로 SnO2, 및 상기 c) 금속(M)의 산화물로 MO을 포함하는 것인 소결체
|
| 16 |
16
청구항 14 또는 청구항 15에 따른 소결체를 사용하여 박막증착용 타겟을 준비하는 단계; 및아르곤-수소 혼합가스를 분위기 가스로 사용하여, 아르곤-수소 분위기 하에서 상기 박막증착용 타켓을 기판 위에 투명 도전 산화막으로 성장시키는 단계를 포함하는 투명 도전 산화막의 제조방법
|
| 17 |
17
청구항 16에 따른 투명 도전 산화막의 제조방법은 스퍼터링(sputtering)법, 전자 빔 증착(E-Beam evaporation)법, 및 이온플레이팅(Ion plating)법 중에서 선택되는 방법을 이용하는 것인 투명 도전 산화막의 제조방법
|
| 18 |
18
청구항 16에 있어서, 상기 아르곤-수소 혼합가스에서 상기 수소 농도가 0 초과 1% 이하인 것인 투명 도전 산화막의 제조방법
|
| 19 |
19
청구항 14 또는 청구항 15에 따른 소결체를 이용한 증착재료
|
| 20 |
20
청구항 14 또는 청구항 15에 따른 소결체를 이용한 스퍼터링 타겟
|
| 21 |
21
청구항 20에 따른 스퍼터링 타겟을 준비하는 단계;아르곤-수소 혼합가스를 스퍼터링 가스로 하여, 아르곤-수소 분위기 하에서 상기 스퍼터링 타겟에 전력을 인가하는 단계; 및스퍼터에 의해 상기 스퍼터링 타겟을 기판 위에 투명 도전 산화막으로 성장시키는 단계를 포함하는 투명 도전 산화막의 제조방법
|
| 22 |
22
청구항 21에 따른 투명 도전 산화막의 제조방법은 RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하는 것인 투명 도전 산화막의 제조방법
|
| 23 |
23
청구항 21에 있어서, 상기 아르곤-수소 혼합가스에서 상기 수소 농도가 0 초과 1% 이하인 것인 투명 도전 산화막의 제조방법
|
