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기판;상기 기판 상에 형성된 다수개의 LED;상기 기판 상에 형성된 리플 제거 커패시터; 및상기 다수개의 LED에 전원을 공급하는 DC-DC 컨버터를 포함하고,상기 기판은 도전성 물질로 형성된 도전 기판과, 상기 도전 기판 상에 형성된 유전층과, 상기 유전층 상에 형성되며 상기 다수개의 LED들을 전기적으로 연결하는 신호패턴, 리플 제거 커패시터 패턴 및 상기 신호패턴과 리플 제거 커패시터 패턴 사이에 배치된 솔더 레지스터 패턴을 포함하며,상기 신호패턴, 리플 제거 커패시터 패턴 및 솔더 레지스터 패턴은 상기 유전층 상에서 동일평면을 이루는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 도전 기판은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 텅스텐(W) 또는 이들의 합금중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 리플 제거 커패시터는 리플 제거 커패시터 패턴과 도전 기판 사이에서 형성되는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 유전층은 SiNx, SiO2, 에폭시 세라믹 또는 유기절연막중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛
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제 1 항에 있어서, 상기 LED는 R(적), G(녹), B(청), W(백) LED들로 구성된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛
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기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 유전층을 형성하는 단계;상기 유전층이 형성된 기판 상에 도전성 물질을 형성하고, 마스크를 포함하는 포토리쏘그래피방법으로 노광 및 식각하여 신호패턴들과 리플 제거를 위한 커패시터 패턴을 형성하는 단계;상기 신호패턴들과 커패시터 패턴이 형성된 유전층 상에 솔더 레지스터 패턴을 형성하는 단계; 및상기 신호패턴들이 형성된 기판 상에 LED들을 형성하는 단계를 포함하고,상기 솔더 레지스터 패턴은 상기 신호패턴과 커패시터 패턴 사이에 형성되고, 상기 신호패턴, 커패시터 패턴 및 솔더 레지스터 패턴은 상기 유전층 상에서 동일평면을 이루는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 기판은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 텅스텐(W) 또는 이들의 합금중 어느 하나로 형성된 도전성 기판인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 유전층은 SiNx, SiO2, 에폭시 세라믹 또는 유기절연막중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 LED는 R(적), G(녹), B(청), W(백) LED들인 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛 제조방법
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액정표시패널;상기 액정표시패널에 표시신호를 공급하는 게이트 구동부와 데이터 구동부;상기 액정표시패널에 광원을 공급하는 백라이트 유닛; 및상기 게이트 구동부와 데이터 구동부 및 백라이트 유닛에 표시신호와 제어 신호를 공급하는 신호 제어부를 포함하고,상기 백라이트 유닛은, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 다수개의 LED와, 상기 기판 상에 형성된 리플 제거 커패시터와, 상기 다수개의 LED에 전원을 공급하는 DC-DC 컨버터를 포함하고,상기 기판은 도전성 물질로 형성된 도전 기판과, 상기 도전 기판 상에 형성된 유전층과, 상기 유전층 상에 형성되며 상기 다수개의 LED들을 전기적으로 연결하는 신호패턴, 리플 제거 커패시터 패턴 및 상기 신호패턴과 리플 제거 커패시터 패턴 사이에 배치된 솔더 레지스터 패턴을 포함하며,상기 신호패턴, 리플 제거 커패시터 패턴 및 솔더 레지스터 패턴은 상기 유전층 상에서 동일평면을 이루는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 12 항에 있어서, 상기 리플 제거 커패시터는 리플 제거 커패시터 패턴과 도전 기판 사이에서 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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