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저온 경화형 고굴절막 형성용 조성물, 이로부터 제조되는고굴절막, 및 이를 포함하는 기재

  • 기술번호 : KST2015047186
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 경화로 고강도, 내마모성의 고굴절막을 형성할 수 있는 조성물, 이로부터 제조되는 고굴절막, 이를 포함하는 기재, 및 이를 포함하는 부품 또는 소자에 관한 것으로서, 상기 조성물은 a) 유기실록산·금속산화물 중합체, b) 광염기 발생제(photobase generator) 및 c) 유기용매를 포함한다. 유기실록산·금속산화물 중합체, 광염기 발생제, 고굴절막, 광학용 기재, 반사 방지막, 디스플레이 소자
Int. CL C08L 83/04 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01) C08K 3/22 (2006.01)
CPC C08K 5/0008(2013.01) C08K 5/0008(2013.01) C08K 5/0008(2013.01) C08K 5/0008(2013.01) C08K 5/0008(2013.01) C08K 5/0008(2013.01) C08K 5/0008(2013.01) C08K 5/0008(2013.01)
출원번호/일자 1020070005719 (2007.01.18)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1285060-0000 (2013.07.04)
공개번호/일자 10-2008-0068246 (2008.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20130710) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.17)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고민진 대한민국 대전광역시 유성구
2 손정만 대한민국 경상북도 경주시 원효로번길
3 문명선 대한민국 대전광역시 서구
4 정재호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0053496-97
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0583836-42
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0193696-99
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0089856-99
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0552348-73
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0949370-21
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-1057178-62
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0058666-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0058668-12
11 등록결정서
Decision to grant
2013.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0338550-60
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 유기실록산·금속산화물 중합체; b) 2-나이트로벤질카바메이트류, 술폰 아마이드류, o-아실옥심류 및 니페디핀류로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 광염기 발생제(photobase generator); 및c) 유기용매를 포함하고,상기 b) 광염기 발생제를 상기 a) 유기실록산·금속산화물 중합체의 고형분 총 중량에 대하여 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 유기실록산·금속산화물 중합체는 a) 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 모노머, b) 상기 모노머로부터 제조되는 다이머, 및 c) 상기 모노머, 다이머, 또는 이들의 혼합물로부터 제조되는 올리고머로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 실란 화합물로부터 중합되는 유기실록산과, d) 하기 화학식 3으로 표시되는 금속 알콕사이드 (alkoxide) 또는 그 가수분해물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 모노머, e) 상기 모노머로부터 제조되는 다이머, 및 f) 상기 모노머, 다이머, 또는 이들의 혼합물로부터 제조되는 올리고머로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속산화물의 혼합물로부터 얻어진 중합체인 것인 고굴절막 형성용 조성물:[화학식 1]SiR1pR24-p상기 화학식 1에서,R1은 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 20의 알킬, 불소로 치환되지 않은 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알킬, 수소, 아릴, 비닐 또는 알릴이고,R2는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시, 아세톡시, 또는 클로린으로 이루어진 가수분해성 관능기이며, p는 0 내지 2의 정수이다
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 유기용매는 지방족 탄화수소계 용매, 방향족 탄화수소계 용매, 알코올계 용매, 케톤계 용매, 에테르계 용매, 에스테르계 용매 및 아미드계 용매로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인 고굴절막 형성용 조성물
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서 상기 광염기 발생제는 나이트로벤질사이클로헥실카바메이트, 3,5-디메톡시벤질사이클로헥실카바메이트, 3-나이트로페닐사이클로헥실카바메이트, 벤질사이클로헥실카바메이트, [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]옥틸아민, [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]사이클로헥실아민, [[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]피페라진, 비스[[(2-나이트로벤질)옥시]카보닐]헥산-1,6-디아민, [[(2,6-디나이트로벤질)옥시]카보닐]사이클로헥실아민, 비스[[(2,6-디나이트로벤질)옥시]카보닐]헥산-1,6-디아민, N-[[(2-나이트로페닐)-1-메틸메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-[[(2-나이트로페닐)-1-메틸메톡시]카보닐]-옥타데실아민, bis[[(α-메틸-2-나이트로벤질)옥시]카보닐]헥산, 1,6-디아민, N-[[(2,6,-디나이트로페닐)-1-메틸메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-[[(2-나이트로페닐)-1-(2’-나이트로페닐)메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-[[(2,6-디나이트로페닐)-1-(2’6’-디나이트로페닐)메톡시]카보닐]사이클로헥실아민, N-사이클로헥실-4-메틸페닐술폰아마이드, N-사이클로헥실-2-나프틸술폰아마이드, o-페닐아세틸-2-아세토나프소노심 및 N-메틸니페디핀으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인 고굴절막 형성용 조성물
6 6
삭제
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 고굴절막 형성용 조성물의 고형분의 농도는 2 내지 60 중량%인 것인 고굴절막 형성용 조성물
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 고굴절막 형성용 조성물은 실리카 입자, 고굴절 입자, 대전 방지 부여제, 실란 커플링제, 착색제 또는 레벨링제 중 선택되는 1종 이상의 첨가제를 포함하는 고굴절막 형성용 조성물
9 9
a) 기재상에 청구항 1 내지 3, 5, 7 또는 8 중 어느 한 항에 따른 고굴절막 형성용 조성물을 코팅하는 단계; 및b) 상기 조성물을 건조, 노광 및 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고굴절막의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 기재는 플리스틱 기판 또는 유리 기판인 것인 고굴절막 제조방법
11 11
청구항 9에 있어서, 상기 건조는 0 내지 100 ℃의 온도에서 수행하는 것인 고굴절막의 제조방법
12 12
청구항 9에 있어서, 상기 열처리는 100 내지 250 ℃의 온도에서 수행하는 것인 고굴절막 제조방법
13 13
청구항 1 내지 3, 5, 7 또는 8 중 어느 한 항에 따른 고굴절막 형성용 조성물로부터 제조된 고굴절막
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 고굴절막의 두께는 0
15 15
청구항 13의 고굴절막을 포함하는 기재
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 기재는 플리스틱 기판 또는 유리 기판인 것인 기재
17 17
청구항 13의 고굴절막을 포함하는 부품
18 18
청구항 13의 고굴절막을 포함하는 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.