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나노와이어의 배열 방법

  • 기술번호 : KST2015047220
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요약 본 발명은 나노와이어를 배열하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어의 배열방법은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계와, 상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계, 및 상기 제1전극과 제2전극이 형성된 기판 상에 나노와이어가 분산된 용액을 형성하는 단계를 포함한다.나노와이어(nanowire), 전기장, 용매, 흐름
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020070013984 (2007.02.09)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1408251-0000 (2014.06.10)
공개번호/일자 10-2008-0074622 (2008.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20140617) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.06)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문태형 대한민국 서울 서대문구
2 김재현 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 이보현 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0123945-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0096559-89
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.31 수리 (Accepted) 9-1-2013-0040233-53
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0430867-64
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0696788-79
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0696782-06
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0890694-28
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0179750-42
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0213929-16
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0213923-32
16 등록결정서
Decision to grant
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0345757-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 도전성 물질을 증착한 후 포토리소그래피 방법으로 패터닝하여 제1전극과 제2전극을 형성하는 단계;유기금속화학증착법을 이용하여 나노와이어를 형성하는 단계;상기 나노와이어를 세톤(acetone), 물, 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 중 적어도 하나를 포함하는 극성용매에 분산시키는 단계;상기 제1전극 및 제2전극이 형성된 기판 상에 상기 나노와이어가 분산된 용액을 적하하는 단계;상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하는 단계; 및상기 나노와이어가 분산된 용액의 용매를 제거하는 단계를 포함하는 나노와이어 배열방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하는 단계는,상기 제1전극과 제2전극에 프로브를 접촉시켜 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법
3 3
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4 4
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5 5
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6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 용매를 제거하는 단계는 상기 용매를 휘발시키는 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법
8 8
제1항에 있어서,상기 용매를 제거하는 단계는 상기 용액에 열을 가하여 용매를 제거하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법
9 9
제1항에 있어서,상기 제1전극 및 제2전극이 형성된 기판 상에 상기 나노와이어가 분산된 용액을 적하하는 단계와, 상기 제1전극과 제2전극에 전압을 인가하는 단계는 동시에 진행되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 배열방법
10 10
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11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.