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나노와이어 트랜지스터와 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015047462
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노와이어 트랜지스터와 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 나노와이어 트랜지스터 제조방법은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판 상에 게이트전극과 어레이전극을 형성하는 단계와, 상기 어레이전극이 형성된 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 나노와이어패턴을 형성하는 단계, 및 상기 나노와이어패턴이 형성된 기판 상에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계를 포함한다. 나노와이어(nanowire), 전기장, 용매, 흐름
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020070013983 (2007.02.09)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1311301-0000 (2013.09.16)
공개번호/일자 10-2008-0074621 (2008.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.06)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문태형 대한민국 서울 서대문구
2 김재현 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 이보현 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0123942-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0096554-51
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080345-50
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0272779-82
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0430899-78
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0430896-31
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0443341-65
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0665784-71
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0665788-53
15 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0616056-60
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 게이트전극과 어레이전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극이 형성된 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 나노와이어패턴을 형성하는 단계; 및상기 나노와이어패턴이 형성된 기판 상에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 나노와이어패턴을 형성하는 단계는상기 어레이전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계;상기 기판에 나노와이어를 극성용매에 분산시킨 용액을 적하하여 상기 전기장에 의해 상기 나노와이어를 배열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 나노와이어패턴을 형성하는 단계는상기 기판에 나노와이어를 극성용매에 분산시킨 용액을 적하하는 단계;상기 어레이전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하여 상기 나노와이어를 배열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
4 4
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 나노와이어패턴을 형성하는 단계는상기 나노와이어를 분산시킨 용액의 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
5 5
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 어레이전극은 이격된 제1전극과 제2전극으로 형성하며,상기 나노와이어를 분산시킨 용액은 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에 적하하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 나노와이어패턴을 형성하는 단계는 상기 제1전극과 상기 제2전극에 다른 부호의 전압을 인가하여 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
7 7
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 극성용매는 아세톤(acetone), 물, 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 게이트전극과 상기 어레이전극은 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터 제조방법
9 9
서로 대향하는 제1기판과 제2기판을 준비하는 단계;상기 제1기판 상에 게이트전극과 어레이전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극이 형성된 제1기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 나노와이어패턴을 형성하는 단계;상기 나노와이어패턴이 형성된 제1기판 상에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;상기 드레인전극과 전기적으로 접속하는 화소전극을 형성하는 단계; 및상기 제1기판과 상기 제2기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 나노와이어패턴을 형성하는 단계는상기 어레이전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 단계;상기 제1기판에 나노와이어를 극성용매에 분산시킨 용액을 적하하여 상기 전기장에 의해 상기 나노와이어를 배열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
11 11
제9항에 있어서,상기 나노와이어패턴을 형성하는 단계는상기 제1기판에 나노와이어를 극성용매에 분산시킨 용액을 적하하는 단계;상기 어레이전극에 전압을 인가하여 전기장을 형성하여 상기 나노와이어를 배열시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
12 12
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 나노와이어패턴을 형성하는 단계는상기 나노와이어를 분산시킨 용액의 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
13 13
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 어레이전극은 이격된 제1전극과 제2전극으로 형성하며,상기 나노와이어를 분산시킨 용액은 상기 제1전극과 상기 제2전극의 사이에 적하하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 나노와이어패턴을 형성하는 단계는 상기 제1전극과 상기 제2전극에 다른 부호의 전압을 인가하여 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
15 15
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 극성용매는 아세톤(acetone), 물, 이소프로필알콜(isopropyl alcohol) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
16 16
제9항에 있어서,상기 게이트전극과 상기 어레이전극은 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법
17 17
기판;상기 기판 상에 형성된 게이트전극;상기 기판 상에 형성된 절연막;상기 절연막 상에 형성된 소스전극과 드레인전극; 상기 소스전극과 드레인전극 사이에 상기 소스전극과 드레인전극에 접촉하여 형성된 나노와이어패턴; 및상기 나노와이어패턴의 양측에 형성된 어레이전극을 포함하는 나노와이어 트랜지스터
18 18
제17항에 있어서, 상기 어레이전극은 상기 게이트전극과 동일한 층에 형성된 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
19 19
제17항에 있어서,상기 어레이전극은 상기 게이트전극을 중심으로 양측에 이격되게 형성된 제1전극과 제2전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
20 20
제17항에 있어서,상기 어레이전극의 위치에 대응하는 상부에 상기 소스전극과 드레인전극이 형성된 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
21 21
제17항 또는 제20항에 있어서,상기 소스전극과 드레인전극 사이의 간격은 상기 나노와이어패턴의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
22 22
제17항에 있어서,상기 나노와이어패턴은 일축성 방향으로 성장한 막대형상인 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
23 23
제17항에 있어서,상기 게이트전극과 상기 어레이전극은 같은 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 나노와이어 트랜지스터
24 24
제1기판과;상기 제1기판에 대향하는 제2기판; 및 두 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성되며,상기 제1기판은, 상기 제1기판 상에 이격되어 형성된 게이트전극과 어레이전극;상기 게이트전극과 어레이전극 상에 형성된 절연막;상기 절연막 상에 상기 게이트전극을 중심으로 이격되어 형성된 소스전극과 드레인전극;상기 소스전극과 드레인전극 사이에 상기 소스전극과 드레인전극에 접촉하여 형성된 나노와이어패턴; 및상기 드레인전극과 전기적으로 접촉하는 화소전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.