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화소 구조와 이를 이용한 전계발광표시장치 및 그 구동방법

  • 기술번호 : KST2015047503
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판; 기판 상에 위치하는 스캔 배선에 게이트가 연결되고, 기판 상에 위치하는 데이터 배선에 제1전극이 연결된 제1트랜지스터; 제1트랜지스터의 제2전극에 게이트가 연결된 제2트랜지스터; 기판 상에 위치하는 전원 배선 또는 접지 배선 중 어느 하나와 제2트랜지스터의 게이트 사이에 연결된 커패시터; 기판 상에 위치하는 제어 배선에 게이트가 연결되고, 제2트랜지스터의 제1전극 또는 제2전극 중 어느 하나에 제1전극 또는 제2전극이 연결된 제3트랜지스터; 및 전원 배선과 제3트랜지스터의 제1전극 사이 또는 제3트랜지스터의 제2전극과 접지 배선 사이 중 어느 하나에 선택적으로 연결된 발광다이오드를 포함하는 화소 구조를 제공한다.전계발광표시장치, 화소 구조, 제어 신호
Int. CL G09G 3/30 (2006.01) G09G 3/32 (2006.01) G09G 3/20 (2006.01) H05B 33/12 (2006.01)
CPC G09G 3/3225(2013.01) G09G 3/3225(2013.01) G09G 3/3225(2013.01) G09G 3/3225(2013.01) G09G 3/3225(2013.01) G09G 3/3225(2013.01)
출원번호/일자 1020070017195 (2007.02.20)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1362491-0000 (2014.02.06)
공개번호/일자 10-2008-0077528 (2008.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성중 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0151562-89
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2007.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0641628-19
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0116013-32
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0011835-59
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0419129-84
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0602889-56
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0602890-03
12 등록결정서
Decision to grant
2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0830514-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
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2 2
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3 3
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기판;상기 기판 상에 위치하는 전원 배선, 접지 배선, 데이터 배선, 스캔 배선 및 제어 배선을 포함하는 신호 배선들;상기 스캔 배선에 게이트가 연결되고, 상기 데이터 배선에 제1전극이 연결된 제1트랜지스터와, 상기 제1트랜지스터의 제2전극에 게이트가 연결된 제2트랜지스터와, 상기 전원 배선 또는 상기 접지 배선 중 어느 하나와 상기 제2트랜지스터의 게이트 사이에 연결된 커패시터와, 상기 제어 배선에 게이트가 연결되고, 상기 제2트랜지스터의 제1전극 또는 제2전극 중 어느 하나에 제1전극 또는 제2전극이 선택적으로 연결된 제3트랜지스터와, 상기 전원 배선과 상기 제3트랜지스터의 제1전극 사이 또는 상기 제3트랜지스터의 제2전극과 상기 접지 배선 사이 중 어느 하나에 선택적으로 연결된 발광다이오드를 포함하는 화소 회로가 상기 기판 상에 매트릭스 형태로 배치된 표시부; 및상기 표시부에 연결된 상기 신호 배선들에 구동신호를 공급하는 구동부를 포함하되,상기 접지 배선은 상기 기판 상에 매트릭스 형태로 배치된 상기 화소 회로의 주사선마다 구분되도록 배선되고,상기 스캔 배선에 공급되는 스캔 신호와 상기 제어 배선에 공급되는 제어 신호가 반전 대칭하게 됨에 따라 상기 제1트랜지스터와 상기 제3트랜지스터의 턴온 구간과 턴 오프 구간은 서로 반대되는 것을 특징으로 하는 전계발광표시장치
5 5
제4항에 있어서, 상기 구동부는,상기 표시부에 연결된 상기 스캔 배선에 스캔 신호를 공급하는 제1구동부와, 상기 표시부에 연결된 상기 제어 배선에 제어 신호를 공급하는 제2구동부로 구분되어 상기 기판 상에 상호 대향 하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 전계발광표시장치
6 6
삭제
7 7
제4항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3트랜지스터는,N-mos 또는 P-mos 타입인 것을 특징으로 하는 전계발광표시장치
8 8
제4항에 있어서, 상기 발광다이오드는,발광층이 유기물로 형성된 유기 발광다이오드인 것을 특징으로 하는 전계발광표시장치
9 9
기판 상에 위치하는 데이터 배선, 스캔 배선 및 제어 배선을 포함하는 신호 배선들에 각기 전기적으로 연결된 화소 회로를 다수 포함하는 표시부의 상기 제어 배선에 제1제어 신호를 공급하는 단계;상기 표시부의 상기 스캔 배선에 스캔 신호를 공급하는 단계;상기 표시부의 상기 데이터 배선에 데이터 신호를 공급하는 단계; 및상기 표시부의 상기 제어 배선에 제2제어 신호를 공급하는 단계를 포함하고,상기 화소 회로는,기판 상에 위치하는 스캔 배선에 게이트가 연결되고, 상기 기판 상에 위치하는 데이터 배선에 제1전극이 연결된 제1트랜지스터와, 제1트랜지스터의 제2전극에 게이트가 연결된 제2트랜지스터와, 상기 기판 상에 위치하는 전원 배선 또는 접지 배선 중 어느 하나와 상기 제2트랜지스터의 게이트 사이에 연결된 커패시터와, 상기 기판 상에 위치하는 제어 배선에 게이트가 연결되고, 상기 제2트랜지스터의 제1전극 또는 제2전극 중 어느 하나에 제1전극 또는 제2전극이 선택적으로 연결된 제3트랜지스터와, 상기 전원 배선과 상기 제3트랜지스터의 제1전극 사이 또는 상기 제3트랜지스터의 제2전극과 상기 접지 배선 사이 중 어느 하나에 선택적으로 연결된 발광다이오드를 포함하고,상기 접지 배선은 상기 기판 상에 매트릭스 형태로 배치된 상기 화소 회로의 주사선마다 구분되도록 배선되고,상기 스캔 배선에 공급되는 스캔 신호와 상기 제어 배선에 공급되는 제어 신호가 반전 대칭하게 됨에 따라 상기 제1트랜지스터와 상기 제3트랜지스터의 턴온 구간과 턴 오프 구간은 서로 반대되는 것을 특징으로 하는 전계발광표시장치의 구동방법
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삭제
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제9항에 있어서,상기 제1제어 신호가 공급되면, 상기 제3트랜지스터는 턴 오프되고 상기 제2제어 신호가 공급되면, 상기 제3트랜지스터는 턴 온되는 것을 특징으로 하는 전계발광표시장치의 구동방법
13 13
제9항에 있어서,상기 데이터 신호가 공급되는 기간 동안에는 상기 제1제어 신호에 의해 상기 제3트랜지스터가 턴 오프되고 상기 전원 배선과 상기 접지 배선 사이에는 전압 또는 전류가 흐르지 않도록 차단되어 상기 커패시터는 상기 화소 회로의 위치와 상기 접지 배선의 길이에 따른 저항 성분의 영향을 받지않고 데이터 전압이 저장되는 것을 특징으로 하는 전계발광표시장치의 구동방법
14 14
제9항에 있어서,상기 제2제어 신호가 공급되면, 상기 데이터 배선을 통해 상기 커패시터에 저장된 데이터 전압에 의해 상기 제2트랜지스터가 구동하게 되어 상기 발광다이오드가 발광하는 것을 특징으로 하는 전계발광표시장치의 구동방법
15 15
제9항에 있어서, 상기 발광다이오드는,발광층이 유기물로 형성된 유기 발광다이오드인 것을 특징으로 하는 전계발광표시장치의 구동방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.