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산화아연계 다층 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015047548
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요약 본 발명은 기판; 산화칼슘(CaO)을 포함하는 중간층(interlayer) 박막; 및 산화아연(ZnO)계 박막을 포함하는 다층 박막으로서, 상기 산화아연계 박막은 2이상의 서로 다른 결정 배향(Crystal Orientation)을 동시에 갖는 것이 특징인 다층 박막, 그 제조방법 및 상기 다층 박막을 구비한 자외선 광 검출기를 제공한다. 본 발명은 기판과 산화아연계 박막 사이에 산화칼슘 중간층 박막을 개재시킴으로써, 산화아연이 단일 배향으로 결정 성장하지 않고, 2 이상의 결정 성장 배향을 가지며 성장하도록 할 수 있으며, 이러한 다배향성 박막을 증착장치의 구조 변경 없이도 용이하게 제작할 수 있다. 이러한 다배향성 산화아연계 박막은 빠른 광 응답속도를 가질 수 있기 때문에 자외선 광 검출기 용도로 적용이 가능하다. 산화아연, 산화칼슘, 중간층, 박막, 결정배향, 광 검출기
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020070019071 (2007.02.26)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1009532-0000 (2011.01.12)
공개번호/일자 10-2008-0079044 (2008.08.29) 문서열기
공고번호/일자 (20110118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.28)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장현우 대한민국 대전 서구
2 방정식 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍원진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신성빌딩)(특허법인천문)
2 함현경 대한민국 서울시 송파구 법원로 *** 대명타워 *층(한얼국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0165412-11
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0301807-34
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.05.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0034600-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0521837-89
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0106688-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0106653-84
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0244105-25
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0460593-46
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.07.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0460610-35
11 등록결정서
Decision to grant
2010.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0603055-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 산화칼슘(CaO)을 포함하는 중간층(interlayer) 박막; 및 산화아연계 박막을 포함하는 다층박막으로서, 기판과 산화아연계 박막 사이에 산화칼슘(CaO)을 포함하는 중간층(interlayer) 박막을 개재시킴으로써, 상기 산화아연계 박막은 우선배향인 ZnO(002)면 이외에 다른 결정배향도 더 포함하는 다배향성을 갖는 것이 특징인 다층 박막
2 2
제 1항에 있어서, 상기 다층 박막은 자외선 광 검출기(UV Photo Detector)에 사용되는 것이 특징인 다층 박막
3 3
제 1항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 ZnO(002)면과 ZnO(100)면의 결정배향을 갖거나, ZnO(002)면과 ZnO(101)면의 결정배향을 갖거나, 또는 ZnO(002)면, ZnO(100)면 및 ZnO(101)면의 결정배향을 갖는 것이 특징인 다층 박막
4 4
제 1항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 Al, Ga, In, B, Tl, Sc, V, Cr, Mn, Fe, Co, 및 Ni으로 구성된 군에서 선택된 도판트를 0
5 5
제 1항에 있어서, 상기 산화칼슘(CaO)을 포함하는 중간층 박막의 두께는 5 ~ 100 nm 범위인 것이 특징인 다층 박막
6 6
제 1항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것이 특징인 다층 박막
7 7
제 1항에 있어서, 상기 중간층 박막 및 산화아연계 박막은 스퍼터링에 의하여 증착된 것이 특징인 다층 박막
8 8
제 7항에 있어서, 25℃ ~ 300℃의 증착 온도에서 증착된 것이 특징인 다층 박막
9 9
a) 기판 위에 산화칼슘(CaO)을 포함하는 중간층(interlayer) 박막을 증착시키는 단계; 및 b) 상기 중간층 박막 위에 산화아연(ZnO)계 박막을 증착시키는 단계를 포함하는, 우선배향인 ZnO(002)면 이외에 다른 결정배향도 더 포함하는 다배향성을 갖는 산화아연계 박막을 구비한 다층 박막의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 중간층 박막 및 산화아연계 박막은 스퍼터링에 의하여 증착하는 것이 특징인 다층 박막의 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 a)와 b) 단계는 하나의 시스템 내에서 연속적으로 수행되는 것이 특징인 다층 박막의 제조방법
12 12
제 9항에 있어서, 상기 a)와 b) 단계는 각각 독립적으로 25℃ ~ 300℃의 온도에서 수행되는 것이 특징인 다층 박막의 제조방법
13 13
제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 기재된 다층 박막을 구비한 자외선 광 검출기(UV Photo Detector)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.