| 1 |
1
기판상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮도록 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 채널 영역을 사이에 두고 대향되게 형성된 어레이 전극;상기 어레이 전극 사이의 채널 영역에 충진되며, 상기 어레이 전극과 동일한 두께를 갖는 평탄화층; 양 끝단이 상기 어레이 전극의 상부면과 중첩되도록 상기 평탄화층 상에 형성되며, 상기 어레이 전극 사이에 형성되는 전계에 따라 상기 평탄화층에 정렬되어 채널을 형성하는 나노 와이어;상기 나노 와이어를 사이에 두고 대행되게 형성된 소스전극 및 드레인 전극;상기 기판을 덮는 동시에 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀이 형성된 보호막; 및상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 나노 와이어가 상기 평탄화층에 집적 되도록 하기 위해, 상기 어레이 전극은 소수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 어레이 전극은 상기 소스전극 및 드레인 전극과 동일물질로 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막의 채널 영역은 상기 나노 와이어가 집적 되도록 친수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 상기 게이트 절연막과 동일 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 평탄화층은 상기 나노 와이어가 집적되도록 하기 위해 친수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 소스전극 및 상기 드레인 전극은 상기 어레이 전극과 동일 패턴으로 중첩되게 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 8 |
8
기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 채널 영역을 사이에 두고 상호 대향되도록 어레이 전극을 형성하는 단계;상기 어레이 전극 사이의 채널 영역에 상기 어레이 전극과 동일한 두께를 갖도록 평탄화층을 충진시키는 단계; 양 끝단이 상기 어레이 전극의 상부면과 중첩되도록 상기 평탄화층 상에 나노 와이어를 형성하여, 상기 어레이 전극 사이에 형성되는 전계에 따라 상기 나노 와이어를 정렬하여 채널을 형성하는 단계;상기 나노 와이어를 사이에 두고 상호 대향되게 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 기판을 덮는 동시에 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 및상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 나노 와이어가 상기 평탄화층에 집적 되도록 하기 위해, 상기 어레이 전극은 소수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,상기 어레이 전극은 상기 소스전극 및 드레인 전극과 동일물질로 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 게이트 절연막의 채널 영역은 상기 나노 와이어가 집적 되도록 친수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 12 |
12
제 8 항에 있어서, 상기 평탄화층은 상기 게이트 절연막과 동일 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 평탄화층은 상기 나노 와이어가 집적되도록 하기 위해 친수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 14 |
14
제 8 항에 있어서,상기 소스전극 및 상기 드레인 전극은 상기 어레이 전극과 동일 패턴으로 중첩되게 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 15 |
15
기판상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮도록 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 전극에 의해 형성되는 상기 게이트 절연막의 단차부와 동일 높이로 채널영역을 사이에 두고 대향되게 형성된 어레이 전극;상기 어레이 전극과 상기 단차부 사이의 공간에 충진되며, 상기 어레이 전극과 동일한 두께를 갖는 평탄화층; 양 끝단이 상기 어레이 전극의 상부면과 중첩되도록 상기 평탄화층 상에 형성되며, 상기 어레이 전극에 형성되는 전계에 따라 상기 채널 영역에 정렬되는 나노 와이어;상기 나노 와이어를 사이에 두고 대행되게 형성된 소스전극 및 드레인 전극;상기 기판을 덮는 동시에 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀이 형성된 보호막; 및상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속되는 화소전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 16 |
16
제 15 항에 있어서,상기 나노 와이어가 상기 평탄화층에 집적 되도록 하기 위해, 상기 어레이 전극은 소수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 17 |
17
제 16 항에 있어서,상기 어레이 전극은 상기 소스전극 및 드레인 전극과 동일물질로 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 18 |
18
제 15 항에 있어서,상기 게이트 절연막의 채널 영역은 상기 나노 와이어가 집적 되도록 친수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 19 |
19
제 15 항에 있어서, 상기 평탄화층은 상기 게이트 절연막과 동일 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 20 |
20
제 19 항에 있어서,상기 평탄화층은 상기 나노 와이어가 집적되도록 하기 위해 친수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 21 |
21
제 15 항에 있어서,상기 소스전극 및 상기 드레인 전극은 상기 어레이 전극과 동일 패턴으로 중첩되게 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널
|
| 22 |
22
기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극에 의해 형성되는 상기 게이트 절연막의 단차부와 동일 높이로 채널영역을 사이에 두고 대향 되도록 어레이 전극을 형성하는 단계;상기 어레이 전극과 상기 단차부 사이의 공간에 상기 어레이 전극과 동일한 두께를 갖도록 평탄화층을 형성하는 단계; 양 끝단이 상기 어레이 전극의 상부면과 중첩되도록 상기 평탄화층 상에 나노 와이어를 형성하여, 상기 어레이 전극에 형성되는 전계에 따라 상기 나노 와이어를 정렬하여 채널을 형성하는 단계;상기 나노 와이어를 사이에 두고 대행되게 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 기판을 덮는 동시에 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 및상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 23 |
23
제 22 항에 있어서,상기 나노 와이어가 상기 채널 영역에 집적 되도록 하기 위해, 상기 어레이 전극은 소수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 24 |
24
제 23 항에 있어서,상기 어레이 전극은 상기 소스전극 및 드레인 전극과 동일물질로 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 25 |
25
제 22 항에 있어서,상기 게이트 절연막의 채널 영역은 상기 나노 와이어가 집적 되도록 친수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 26 |
26
제 22 항에 있어서, 상기 평탄화층은 상기 게이트 절연막과 동일 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 27 |
27
제 22 항에 있어서,상기 평탄화층은 상기 나노 와이어가 집적되도록 하기 위해 친수성의 자가배열물질(SAM : Self-Assembled Monolayer)을 통해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
| 28 |
28
제 22 항에 있어서,상기 소스전극 및 상기 드레인 전극은 상기 어레이 전극과 동일 패턴으로 중첩되게 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시패널의 제조방법
|
