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화소회로 및 이를 구비한 표시패널
- 기술번호 : KST2015047748
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 구성이 간소화되는 화소회로가 개시된다.본 발명에 따른 화소회로는 제 1 노드 및 제 1 전원 라인 사이에 접속된 다이오드와, 제 2 노드 상의 제어 전압에 응답하여 제 2 전원 라인 및 상기 제 1 노드 사이에 흐르는 전류량을 제어하는 제 1 스위치 소자와, 데이터 전압에 기초하여 상기 제어 전압을 충전하는 캐패시터와, 대응하는 게이트 라인 상의 신호에 응답하여, 대응하는 데이터 라인으로부터 상기 제 2 노드에 공급될 상기 데이터 전압을 절환하는 제 2 스위치 소자 및 이전 게이트 라인 상의 신호에 응답하여, 상기 제 2 노드 상의 상기 제어 전압을 상기 제 1 노드 쪽으로 방전시키는 제 3 스위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다. 박막트랜지스터, 유기발광 다이오드, 캐패시터, 초기화 |
|---|---|
| Int. CL | G09G 3/30 (2006.01) G09G 3/32 (2006.01) G09G 3/20 (2006.01) H05B 33/12 (2006.01) |
| CPC | G09G 3/3233(2013.01) G09G 3/3233(2013.01) G09G 3/3233(2013.01) G09G 3/3233(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070027877 (2007.03.22) |
| 출원인 | 엘지디스플레이 주식회사 |
| 등록번호/일자 | 10-1375040-0000 (2014.03.10) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0086134 (2008.09.25) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20140314) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.03.19) |
| 심사청구항수 | 32 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 엘지디스플레이 주식회사 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김중철 | 대한민국 | 경상북도 칠곡군 |
| 2 | 이호영 | 대한민국 | 충청남도 천안시 서북구 |
| 3 | 전창훈 | 대한민국 | 경상북도 칠곡군 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서교준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 엘지디스플레이 주식회사 | 서울특별시 영등포구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.03.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0225710-19 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.04.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5061241-15 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.12.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5241074-12 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5199065-15 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5262372-95 |
| 6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2012.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0218461-32 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2012.09.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0729033-56 |
| 8 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.04.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 9 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.05.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0031584-52 |
| 10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0440457-37 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0771641-60 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.09.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0872923-21 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0872920-95 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.12.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0907685-16 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제 1 노드 및 제 1 전원 라인 사이에 접속된 다이오드;제 2 노드 상의 제어 전압에 응답하여 제 2 전원 라인 및 상기 제 1 노드 사이에 흐르는 전류량을 제어하는 제 1 스위치 소자;데이터 전압에 기초하여 상기 제어 전압을 충전하는 캐패시터;대응하는 게이트 라인 상의 신호에 응답하여, 대응하는 데이터 라인으로부터 상기 제 2 노드에 공급될 상기 데이터 전압을 절환하는 제 2 스위치 소자; 이전 게이트 라인 상의 신호에 응답하여, 상기 제 2 노드 상의 상기 제어 전압을 상기 제 1 노드 쪽으로 방전시키는 제 3 스위치 소자; 및상기 제 2 노드 상의 제어 전압이 상기 제 2 스위치 소자에 영향을 미치지 않도록 완충기능을 하는 제 4 스위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 스위치 소자가 PNP 타입의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전원 라인에는 저전위 전압이 공급되고, 상기 제 2 전원 라인에는 고전위 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 4 |
4 제 3 항에 있어서, 상기 캐패시터가 상기 제 2 노드 및 상기 제 2 전원 라인 사이에 접속된 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 스위치 소자가 NPN 타입의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 전원 라인에는 저전위 전압이 공급되고, 상기 제 2 전원 라인에는 고전위 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 캐패시터가 상기 제 2 노드 및 상기 제 1 전원 라인 사이에 접속된 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서,상기 제 4 스위치 소자는 다이오드 및 트랜지스터 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 10 |
10 제 1 노드 및 제 1 전원 라인 사이에 접속된 다이오드;제 2 노드 상의 제어 전압에 응답하게 제 2 전원 라인 및 상기 제 1 노드 사이에 접속된 제 1 스위치 소자;상기 제 1 및 제 2 전원 라인들 중 어느 하나와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 캐패시터;대응하는 게이트 라인 상의 신호에 응답하게 대응하는 데이터 라인 및 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스위치 소자; 이전 게이트 라인 상의 신호에 응답하게 상기 제 1 및 제 2 노드 사이에 접속된 제 3 스위치 소자; 및상기 제 2 노드와 상기 제 2 및 제 3 스위치 소자 사이에 접속된 제 4 스위치 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 스위치 소자가 PNP 타입의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전원 라인에는 저전위 전압이 공급되고, 상기 제 2 전원 라인에는 고전위 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 캐패시터가 상기 제 2 노드 및 상기 제 2 전원 라인 사이에 접속된 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 14 |
14 제 10 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 스위치 소자가 NPN 타입의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 전원 라인에는 저전위 전압이 공급되고, 상기 제 2 전원 라인에는 고전위 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 캐패시터가 상기 제 2 노드 및 상기 제 1 전원 라인 사이에 접속된 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 17 |
17 삭제 |
| 18 |
18 제 10항에 있어서,상기 제 4 스위치 소자는 다이오드 및 트랜지스터 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 화소회로 |
| 19 |
19 다수의 스캔라인들 및 다수의 데이터라인들;상기 다수의 게이트 라인들 및 상기 다수의 데이터 라인들에 의하여 구분된 화소영역들 각각에 형성된 화소회로를 포함하고,상기 화소회로는 제 1 노드 및 제 1 전원 라인 사이에 접속된 다이오드와, 제 2 노드 상의 제어 전압에 응답하여 제 2 전원 라인 및 상기 제 1 노드 사이에 흐르는 전류량을 제어하는 제 1 스위치 소자와, 데이터 전압에 기초하여 상기 제어 전압을 충전하는 캐패시터와, 대응하는 게이트 라인 상의 신호에 응답하여, 대응하는 데이터 라인으로부터 상기 제 2 노드에 공급될 상기 데이터 전압을 절환하는 제 2 스위치 소자 및 이전 게이트 라인 상의 신호에 응답하여, 상기 제 2 노드 상의 상기 제어 전압을 상기 제 1 노드 쪽으로 방전시키는 제 3 스위치 소자와 상기 제 2 노드 상의 제어 전압이 상기 제 2 스위치 소자에 영향을 미치지 않도록 완충기능을 하는 제 4 스위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 20 |
20 제 19항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 스위치 소자가 PNP 타입의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 21 |
21 제 20 항에 있어서, 상기 제 1 전원 라인에는 저전위 전압이 공급되고, 상기 제 2 전원 라인에는 고전위 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 22 |
22 제 21 항에 있어서, 상기 캐패시터가 상기 제 2 노드 및 상기 제 2 전원 라인 사이에 접속된 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 23 |
23 제 19 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 스위치 소자가 NPN 타입의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 24 |
24 제 23 항에 있어서, 상기 제 1 전원 라인에는 저전위 전압이 공급되고, 상기 제 2 전원 라인에는 고전위 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 캐패시터가 상기 제 2 노드 및 상기 제 1 전원 라인 사이에 접속된 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 26 |
26 삭제 |
| 27 |
27 제 19항에 있어서,상기 제 4 스위치 소자는 다이오드 및 트랜지스터 중 어느 하나를 포함하는 것을 특지으로 하는 표시패널 |
| 28 |
28 다수의 스캔라인들 및 다수의 데이터라인들;상기 다수의 게이트 라인들 및 상기 다수의 데이터 라인들에 의하여 구분된 화소영역들 각각에 형성된 화소회로를 포함하고,상기 화소회로는, 제 1 노드 및 제 1 전원 라인 사이에 접속된 다이오드와, 제 2 노드 상의 제어 전압에 응답하게 제 2 전원 라인 및 상기 제 1 노드 사이에 접속된 제 1 스위치 소자와, 상기 제 1 및 제 2 전원 라인들 중 어느 하나와 상기 제 2 노드 사이에 접속된 캐패시터와, 대응하는 게이트 라인 상의 신호에 응답하게 대응하는 데이터 라인 및 상기 제 2 노드 사이에 접속된 제 2 스위치 소자 및 이전 게이트 라인 상의 신호에 응답하게 상기 제 1 및 제 2 노드 사이에 접속된 제 3 스위치 소자,상기 제 2 노드와 상기 제 2 및 제 3 스위치 소자 사이에 접속된 제 4 스위치 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 29 |
29 제 28항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 스위치 소자가 PNP 타입의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 30 |
30 제 29항에 있어서,상기 제 1 전원 라인에는 저전위 전압이 공급되고, 상기 제 2 전원 라인에는 고전위 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 31 |
31 제 30항에 있어서,상기 캐패시터가 상기 제 2 노드 및 상기 제 1 전원 라인 사이에 접속된 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 32 |
32 제 28항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 스위치 소자가 NPN 타입의 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 33 |
33 제 32항에 있어서,상기 제 1 전원 라인에는 저전위 전압이 공급되고, 상기 제 2 전원 라인에는 고전위 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 34 |
34 제 33항에 있어서,상기 캐패시터가 상기 제 2 노드 및 상기 제 1 전원 라인 사이에 접속된 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 35 |
35 삭제 |
| 36 |
36 제 28에 있어서,상기 제 4 스위치 소자는 다이오드 및 트랜지스터 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1375040-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070322 출원 번호 : 1020070027877 공고 연월일 : 20140314 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131230 청구범위의 항수 : 32 유별 : G09G 3/30 발명의 명칭 : 화소회로 및 이를 구비한 표시패널 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,293,000 원 | 2014년 03월 10일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 744,000 원 | 2017년 02월 15일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 744,000 원 | 2018년 02월 13일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 744,000 원 | 2019년 02월 15일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,316,000 원 | 2020년 02월 19일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.03.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0225710-19 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.04.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5061241-15 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.12.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5241074-12 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.10.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5199065-15 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5262372-95 |
| 6 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2012.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0218461-32 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2012.09.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0729033-56 |
| 8 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.04.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 9 | 선행기술조사보고서 | 2013.05.06 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0031584-52 |
| 10 | 의견제출통지서 | 2013.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0440457-37 |
| 11 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.08.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0771641-60 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.09.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0872923-21 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0872920-95 |
| 14 | 등록결정서 | 2013.12.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0907685-16 |
| 기술번호 | KST2015047748 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | LG그룹 |
| 기술명 | 화소회로 및 이를 구비한 표시패널 |
| 기술개요 |
구성이 간소화되는 화소회로가 개시된다.본 발명에 따른 화소회로는 제 1 노드 및 제 1 전원 라인 사이에 접속된 다이오드와, 제 2 노드 상의 제어 전압에 응답하여 제 2 전원 라인 및 상기 제 1 노드 사이에 흐르는 전류량을 제어하는 제 1 스위치 소자와, 데이터 전압에 기초하여 상기 제어 전압을 충전하는 캐패시터와, 대응하는 게이트 라인 상의 신호에 응답하여, 대응하는 데이터 라인으로부터 상기 제 2 노드에 공급될 상기 데이터 전압을 절환하는 제 2 스위치 소자 및 이전 게이트 라인 상의 신호에 응답하여, 상기 제 2 노드 상의 상기 제어 전압을 상기 제 1 노드 쪽으로 방전시키는 제 3 스위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 한다. 박막트랜지스터, 유기발광 다이오드, 캐패시터, 초기화 |
| 개발상태 | |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
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