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ＩＢＣ형 태양전지의 제조방법 및 ＩＢＣ형 태양전지

  • 기술번호 : KST2015047751
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 IBC형 태양전지의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 IBC형 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 IBC형 태양전지의 제조방법은 도전층 형성에 스크린 프린팅 방식을 도입함으로써 종래 IBC형 태양전지의 제조 공정을 개선하여 제조 공정을 단순화하고 제조 비용을 감소시켜 IBC형 태양전지의 상용화에 크게 기여할 수 있다. 태양전지, IBC형, 실리콘 기판, 부동층, 반사방지막, 도전층
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/068 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020070029415 (2007.03.26)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1346896-0000 (2013.12.24)
공개번호/일자 10-2008-0087337 (2008.10.01) 문서열기
공고번호/일자 (20131231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.08)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진호 대한민국 대전광역시 서구
2 정지원 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0237418-17
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0163430-21
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0189335-17
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0028023-90
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0298432-53
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0585095-77
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0830318-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(S1) p형 실리콘 기판의 양면에 n+ 도전층을 형성하는 단계; (S2) n+ 도전층이 형성된 상기 실리콘 기판의 일면에 p형 도펀트를 함유하는 조성물을 스크린 프린팅을 이용하여 도포하고 그와 반대 면에 소정 패턴에 따라 p형 도펀트를 함유하는 조성물을 스크린 프린팅을 이용하여 도포한 후 확산로에서 열처리하여, 상기 실리콘 기판의 일면에 p+ 도전층을 형성하고 그와 반대 면에 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 교호로 배치시키는 단계;(S3) n+ 도전층 또는 p+ 도전층이 형성된 상기 실리콘 기판의 양면에 부동층을 형성하는 단계; (S4) 상기 실리콘 기판의 p+ 도전층만이 형성된 면 위에 형성된 부동층 위에 반사방지막을 형성하는 단계;(S5) 상기 실리콘 기판의 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 함께 형성된 면 위에 형성된 부동층을 관통하며, 각각 n+ 도전층 및 p+ 도전층에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및(S6) 상기 제1 전극에 연결되는 그리드 및 상기 제2 전극에 연결되는 그리드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 (S1) 단계는 상기 실리콘 기판을 확산로에 넣고 n형 도펀트를 함유하는 가스를 주입한 후 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (S3) 단계는 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 형성된 상기 실리콘 기판의 표면을 산화시켜 산화막을 형성함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 (S4) 단계는 상기 실리콘 기판의 p+ 도전층만이 형성된 면 위에 형성된 부동층 위에 실리콘나이트라이드막을 형성함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 (S4) 단계는 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (S5) 단계는 상기 실리콘 기판의 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 함께 형성된 면 위에 형성된 부동층 위에 제1 전극 및 제2 전극 형성용 페이스트를 도포한 후 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
7 7
(S1) p형 실리콘 기판의 일면에 n+ 도전층을 형성하는 단계; (S2) 상기 실리콘 기판의 n+ 도전층이 형성되지 않은 면에 p형 도펀트를 함유하는 조성물을 스크린 프린팅을 이용하여 도포하고 n+ 도전층이 형성된 면에 소정 패턴에 따라 p형 도펀트를 함유하는 조성물을 스크린 프린팅을 이용하여 도포한 후 확산로에서 열처리하여, 상기 실리콘 기판의 일면에 p+ 도전층을 형성하고 그와 반대 면에 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 교호로 배치시키는 단계;(S3) n+ 도전층 또는 p+ 도전층이 형성된 상기 실리콘 기판의 양면에 부동층을 형성하는 단계; (S4) 상기 실리콘 기판의 p+ 도전층만이 형성된 면 위에 형성된 부동층 위에 반사방지막을 형성하는 단계;(S5) 상기 실리콘 기판의 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 함께 형성된 면 위에 형성된 부동층을 관통하며, 각각 n+ 도전층 및 p+ 도전층에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및(S6) 상기 제1 전극에 연결되는 그리드 및 상기 제2 전극에 연결되는 그리드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 (S1) 단계는 상기 실리콘 기판의 일면에 n형 도펀트를 함유하는 조성물을 도포하고, 실리콘 기판을 확산로에서 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 (S3) 단계는 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 형성된 상기 실리콘 기판의 표면을 산화시켜 산화막을 형성함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 (S4) 단계는 상기 실리콘 기판의 p+ 도전층만이 형성된 면 위에 형성된 부동층 위에 실리콘나이트라이드막을 형성함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 (S4) 단계는 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
12 12
제7항에 있어서, 상기 (S5) 단계는 상기 실리콘 기판의 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 함께 형성된 면 위에 형성된 부동층 위에 제1 전극 및 제2 전극 형성용 페이스트를 도포한 후 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
13 13
(a1) p형 실리콘 기판의 양면에 n+ 도전층을 형성하는 단계; (a2) n+ 도전층이 형성된 상기 실리콘 기판의 일면에 p형 도펀트를 함유하는 조성물을 스크린 프린팅을 이용하여 도포하고 그와 반대 면에 소정 패턴에 따라 p형 도펀트를 함유하는 조성물을 스크린 프린팅을 이용하여 도포한 후 확산로에서 열처리하여, 상기 실리콘 기판의 일면에 p+ 도전층을 형성하고 그와 반대 면에 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 교호로 배치시키는 단계;(a3) n+ 도전층 또는 p+ 도전층이 형성된 상기 실리콘 기판의 양면에 실리콘 나이트라이드막을 형성하는 단계;(a4) 상기 실리콘 기판의 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 함께 형성된 면 위에 형성된 실리콘나이트라이드막을 관통하며, 각각 n+ 도전층 및 p+ 도전층에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및(a5) 상기 제1 전극에 연결되는 그리드 및 상기 제2 전극에 연결되는 그리드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
14 14
(a1) p형 실리콘 기판의 일면에 n+ 도전층을 형성하는 단계; (a2) 상기 실리콘 기판의 n+ 도전층이 형성되지 않은 면에 p형 도펀트를 함유하는 조성물을 스크린 프린팅을 이용하여 도포하고 n+ 도전층이 형성된 면에 소정 패턴에 따라 p형 도펀트를 함유하는 조성물을 스크린 프린팅을 이용하여 도포한 후 확산로에서 열처리하여, 상기 실리콘 기판의 일면에 p+ 도전층을 형성하고 그와 반대 면에 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 교호로 배치시키는 단계;(a3) n+ 도전층 또는 p+ 도전층이 형성된 상기 실리콘 기판의 양면에 실리콘 나이트라이드막을 형성하는 단계;(a4) 상기 실리콘 기판의 n+ 도전층 및 p+ 도전층이 함께 형성된 면 위에 형성된 실리콘나이트라이드막을 관통하며, 각각 n+ 도전층 및 p+ 도전층에 연결되는 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및(a5) 상기 제1 전극에 연결되는 그리드 및 상기 제2 전극에 연결되는 그리드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 IBC형 태양전지의 제조방법
15 15
제1항 내지 제14항 중에서 선택되는 어느 한 항에 따른 제조방법을 이용하여 제조되는 IBC형 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.