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태양전지의 후면반사막 형성방법, 이를 포함하는후면전극부 형성방법 및 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015047772
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지의 후면반사막 형성방법, 이를 포함하는 후면전극부 형성방법 및 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 후면반사막 형성방법은, 소정의 전극 패턴이 형성된 마스크를 반도체 기판의 후면에 위치시키고 유전물질을 상기 반도체 기판의 후면에 증착하여, 상기 반도체 기판의 후면에 후면반사막을 형성함과 동시에 후면전극의 배치를 위한 공간을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지의 후면반사막 형성방법 등은 후면반사막과 함께 후면전극이 배치될 공간을 하나의 공정을 통해 형성함으로써 태양전지의 제조 공정을 단순하게 하고 제조 바용을 절감시켜 태양전지의 대량 생산에 크게 기여할 수 있다. 태양전지, 후면반사막, 후면전극부, 마스크, 화학기상증착
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/054 (2014.01)
CPC H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01) H01L 31/02327(2013.01)
출원번호/일자 1020070033099 (2007.04.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1322628-0000 (2013.10.22)
공개번호/일자 10-2008-0090074 (2008.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20131029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박현정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0260097-83
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0173721-92
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0258103-39
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0033929-57
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0454235-81
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0706779-48
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0706778-03
13 등록결정서
Decision to grant
2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0668569-22
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
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(a1) 소정의 전극 패턴이 형성된 마스크를 반도체 기판의 후면에 위치시키고 유전물질을 상기 반도체 기판의 후면에 증착하여, 상기 반도체 기판의 후면에 후면반사막을 형성함과 동시에 후면전극의 배치를 위한 공간을 형성하는 단계;(a2) 상기 (a1) 단계에서 형성된 상기 후면전극의 배치를 위한 공간 및 상기 후면반사막 위에 전극 형성용 페이스트를 인쇄하는 단계; 및(a3) 상기 페이스트를 열처리하여 상기 후면반사막을 덮는 상기 후면전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 후면전극은 상기 후면전극의 배치를 위한 공간 및 상기 후면반사막 위에 위치하는 태양전지의 제조 방법
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제4항에 있어서,상기 유전물질은 SiCx, SiO2, SiO2/SiNx, SiOxNy/SiOx 및 SiOxNy/SiNx로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 유전물질의 증착은 화학기상증착 또는 플라즈마 강화 화학기상증착에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
7 7
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.