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박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015047812
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구동 집적회로가 안정적으로 접착될 수 있도록 함과 아울러 갈바닉(Galvanic) 부식을 예방하도록 한 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.이 박막 트랜지스터 어레이 기판은 기판 상에 교차되는 게이트 라인 및 데이터 라인, 상기 게이트 라인들과 게이트 구동회로를 접속시키기 위한 게이트 패드부, 및 상기 데이터 라인들과 데이터 구동회로를 접속시키기 위한 데이터 패드부를 가진다. 상기 게이트 패드부와 상기 데이터 패드부 중 어느 하나는 상기 기판 상에 형성된 패드 하부 전극; 상기 패드 하부 전극을 노출시키는 제1 접촉홀을 포함하고 상기 기판 상에 형성된 층간 절연막; 알루미늄계 금속층과, 알루미늄 이외의 금속을 포함하여 상기 알루미늄계 금속층 위에 적층된 상부 금속층을 포함하고 상기 제1 접촉홀을 통해 상기 패드 하부 전극에 접속된 패드 중간 전극; 상기 패드 중간 전극의 상면을 노출시키는 제2 접촉홀을 포함하고 상기 패드 중간 전극의 측면을 덮는 유기 패턴; 및 상기 제2 접촉홀을 통해 상기 패드 중간 전극에 접속되고 상기 유기 패턴의 노출면을 덮으며, 투명 산화 금속을 포함한 패드 상부 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC G02F 1/13458(2013.01) G02F 1/13458(2013.01)
출원번호/일자 1020070026078 (2007.03.16)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1385457-0000 (2014.04.09)
공개번호/일자 10-2008-0084393 (2008.09.19) 문서열기
공고번호/일자 (20140415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.29)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 엄민석 대한민국 경상북도 칠곡군
2 이명식 대한민국 충청남도 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0213977-55
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0610726-69
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0166663-05
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0017946-58
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0252784-42
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520570-07
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0629830-40
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0629817-56
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0645031-09
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0918917-14
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0918919-16
17 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0201737-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 교차되는 게이트 라인 및 데이터 라인, 상기 게이트 라인들과 게이트 구동회로를 접속시키기 위한 게이트 패드부, 및 상기 데이터 라인들과 데이터 구동회로를 접속시키기 위한 데이터 패드부를 가지는 박막 트랜지스터 어레이 기판에 있어서,상기 게이트 패드부와 상기 데이터 패드부 중 어느 하나는,상기 기판 상에 형성된 패드 하부 전극;상기 패드 하부 전극을 노출시키는 제1 접촉홀을 포함하고 상기 기판 상에 형성된 층간 절연막;알루미늄계 금속층과, 알루미늄 이외의 금속을 포함하여 상기 알루미늄계 금속층 위에 적층된 상부 금속층을 포함하고 상기 제1 접촉홀을 통해 상기 패드 하부 전극에 접속된 패드 중간 전극;상기 패드 중간 전극들 각각의 상면을 덮도록 서로 분리된 형태로 형성되고, 상기 패드 중간 전극의 상부 금속층을 노출시키는 제2 접촉홀을 포함하고, 상기 패드 중간 전극의 측면 테두리를 따라 형성되어 상기 패드 중간 전극의 알루미늄계 금속층 및 상부 금속층의 측면을 덮는 유기 패턴; 및 상기 제2 접촉홀을 통해 상기 패드 중간 전극에 접속되고 상기 유기 패턴의 노출면을 덮으며, 투명 산화 금속을 포함한 패드 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
2 2
제 1 항에 있어서,상기 알루미늄 이외의 금속을 포함하여 상기 알루미늄계 금속층 위에 적층된 상부 금속층은 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유기 패턴은 포토 아크릴을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
4 4
제 1 항에 있어서,상기 투명 산화 금속은 인듐 틴 옥사이드, 틴 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 인듐 틴 징크 옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
5 5
제 1 항에 있어서,상기 패드 하부 전극은 상기 게이트 라인에 연결된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
6 6
제 1 항에 있어서,상기 패드 중간 전극은 상기 데이터 라인에 연결된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
7 7
제 1 항에 있어서,상기 게이트 라인으로부터의 스캔신호에 응답하여 상기 데이터 라인으로부터의 데이터 전압을 액정 셀에 공급하는 박막 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
8 8
제 7 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는,버퍼막을 사이에 두고 상기 기판 상에 형성되며, 채널영역과 상기 채널영역을 사이에 두고 마주하는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 폴리 실리콘 액티브층;상기 버퍼막 위에 형성된 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 액티브층의 채널영역에 중첩되고 상기 게이트 라인에 연결된 게이트 전극;상기 층간 절연막 및 상기 게이트 절연막을 관통하여 상기 액티브층의 소스 영역을 노출시키는 제3 접촉홀;상기 층간 절연막 및 상기 게이트 절연막을 관통하여 상기 액티브층의 드레인 영역을 노출시키는 제4 접촉홀;상기 층간 절연막 위에 형성되어 상기 제3 접촉홀을 통해 상기 액티브층의 소스 영역에 접속되고 상기 데이터 라인에 연결된 소스 전극; 및상기 층간 절연막 위에 형성되어 상기 제4 접촉홀을 통해 상기 액티브층의 드레인 영역에 접속된 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
9 9
제 8 항에 있어서,상기 유기 패턴과 분리되고, 상기 드레인 전극을 노출시키는 제5 접촉홀을 포함하며 상기 층간 절연막 위에 형성된 화소 유기 패턴; 및상기 제5 접촉홀을 통해 상기 드레인 전극에 접속된 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
10 10
제 9 항에 있어서,상기 화소 유기 패턴은 엠보싱 형상의 표면을 가지고 형성되고,상기 엠보싱 형상의 표면을 유지하며 상기 화소 유기 패턴 위에 형성된 화소 절연막; 및상기 화소 절연막을 사이에 두고 상기 엠보싱 형상의 표면을 유지하며 상기 화소 유기 패턴에 중첩된 반사 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판
11 11
기판 상에 교차되는 게이트 라인 및 데이터 라인, 상기 게이트 라인들과 게이트 구동회로를 접속시키기 위한 게이트 패드부, 및 상기 데이터 라인들과 데이터 구동회로를 접속시키기 위한 데이터 패드부를 가지는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법에 있어서,상기 게이트 패드부와 상기 데이터 패드부 중 적어도 어느 하나를 형성하는 공정은,상기 기판 상에 패드 하부 전극을 형성하는 단계;상기 기판 상에 패드 하부 전극을 노출시키는 제1 접촉홀을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계;알루미늄계 금속층 및 상기 알루미늄 이외의 금속을 포함하여 상기 알루미늄계 금속층 위에 적층된 상부 금속층을 포함하고, 상기 패드 하부 전극에 접속된 패드 중간 전극을 상기 층간 절연막 상에 형성하는 단계;상기 패드 중간 전극들 각각의 상면을 덮도록 서로 분리된 형태로 형성되고, 상기 패드 중간 전극의 상부 금속층 노출시키는 제2 접촉홀을 포함하고, 상기 패드 중간 전극의 측면 테두리를 따라 형성되어 상기 패드 중간 전극의 알루미늄계 금속층 및 상부 금속층의 측면을 덮는 유기 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제2 접촉홀을 통해 상기 패드 중간 전극의 상면과 접속되고, 상기 유기 패턴의 노출면을 덮도록 투명 산화 금속을 포함한 패드 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 알루미늄 이외의 금속을 포함하여 상기 알루미늄계 금속층 위에 적층된 상부 금속층은 몰리브덴을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 유기 패턴은 포토 아크릴을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 투명 산화 금속은 인듐 틴 옥사이드, 틴 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 인듐 틴 징크 옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 패드 하부 전극은 상기 게이트 라인에 연결되어 상기 게이트 라인과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
16 16
제 11 항에 있어서,상기 패드 중간 전극은 상기 데이터 라인에 연결되어 상기 데이터 라인과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
17 17
제 11 항에 있어서,상기 게이트 라인으로부터의 스캔신호에 응답하여 상기 데이터 라인으로부터의 데이터 전압을 액정 셀에 공급하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
18 18
제 17 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는,상기 기판 위에 버퍼막을 형성하는 단계;상기 버퍼막 위에 폴리 실리콘 액티브층을 형성하는 단계;상기 폴리 실리콘 액티브층을 덮도록 상기 버퍼막 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 위에 상기 액티브층의 채널영역과 중첩된 게이트 전극을 상기 패드 하부 전극과 동시에 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 이용하여 상기 액티브층의 채널영역을 사이에 두고 마주하는 상기 액티브층의 소스 영역 및 드레인 영역에 반도체 불순물을 주입하는 단계;상기 소스 영역을 노출시키는 제3 접촉홀 및 상기 드레인 영역을 노출시키는 제4 접촉홀을 상기 제1 접촉홀을 포함하는 층간 절연막과 동시에 형성하는 단계; 및상기 층간 절연막 위에 상기 데이터 라인에 연결된 소스 전극 및 상기 액티브층의 드레인 영역에 접속된 드레인 전극을 상기 패드 중간 전극과 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 층간 절연막 위에 상기 유기 패턴과 분리되고, 상기 드레인 전극을 노출시키는 제5 접촉홀을 포함한 화소 유기 패턴을 상기 패드 유기 패턴과 동시에 형성하는 단계; 및상기 제5 접촉홀을 통해 상기 드레인 전극에 접속된 화소 전극을 상기 패드 상부 전극과 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 화소 유기 패턴 위에 화소 절연막을 형성하는 단계; 및상기 화소 절연막 위에 반사 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.