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유기발광표시장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015047849
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 화소 영역을 정의하는 복수의 게이트 라인과 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 교차하며 상기 데이터 라인과 평행하게 형성된 전원 라인과, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 스위칭 박막 트랜지스터와, 상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 전원 라인과 접속된 구동 박막 트랜지스터와, 상기 구동 박막 트랜지스터와 접속된 발광층과, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극의 중첩부에 형성된 반도체층과, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극, 반도체층, 게이트 절연막을 관통하여 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 노출시킨 하나의 콘택홀과, 상기 콘택홀을 통해 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극 및 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 접속시킨 연결 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.유기발광표시장치, 연결 전극, 발광층, 반도체층
Int. CL H05B 33/02 (2006.01)
CPC H01L 27/3209(2013.01) H01L 27/3209(2013.01) H01L 27/3209(2013.01) H01L 27/3209(2013.01) H01L 27/3209(2013.01)
출원번호/일자 1020070028223 (2007.03.22)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1352105-0000 (2014.01.08)
공개번호/일자 10-2008-0086251 (2008.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신동수 대한민국 경기 안양시 동안구
2 오재영 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0228471-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0187792-12
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0385159-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0677492-70
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0677504-30
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0874555-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 화소 영역을 정의하는 게이트 라인과 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 교차하며 상기 데이터 라인과 평행하게 형성된 전원 라인과,상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 스위칭 박막 트랜지스터와,상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 전원 라인과 접속된 구동 박막 트랜지스터와,상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 구동 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 전면에 형성된 보호막과,상기 구동 박막 트랜지스터와 접속되도록 상기 보호막 상에 형성되며, 화소 전극, 발광층 및 음극을 포함하는 유기발광 다이오드와, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극, 반도체층, 게이트 절연막 및 상기 보호막을 관통하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극 상부면을 노출시키는 콘택홀과,상기 콘택홀에 의해 노출된 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극 상부면을 덮도록 상기 화소 전극과 동일 물질로 상기 보호막 상에 형성되어, 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 서로 연결시키는 연결 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전원 라인과 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되어 형성된 스토리지 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 콘택홀은 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극 및 반도체층을 관통하여 형성된 개구부에 대응되는 상기 게이트 절연막 및 보호막을 더 제거하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치
5 5
기판 상에 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 스위칭 박막 트랜지스터와, 상기 스위칭 박막 트랜지스터 및 전원 라인과 접속된 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와,상기 스위칭 박막 트랜지스터와 상기 구동 박막 트랜지스터를 덮도록 상기 기판 상에 보호막을 형성하는 단계와,상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극, 반도체층, 게이트 절연막 및 상기 보호막을 관통하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극 상부면을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와,상기 구동 박막 트랜지스터와 접속되도록 상기 보호막 상에 화소 전극, 발광층 및 음극을 포함하는 유기발광 다이오드를 형성하는 단계와,상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 서로 연결하기 위해, 상기 콘택홀에 의해 노출된 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극 상부면을 덮도록 상기 보호막 상에 상기 화소 전극과 동일 물질로 연결 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 전원 라인과 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극이 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되도록 스토리지 캐패시터를 형성하는 단계를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 콘택홀은 상기 스위칭 박막 트랜지스터의 드레인 전극 및 반도체층을 관통하여 형성된 개구부에 대응되는 상기 게이트 절연막 및 보호막을 더 제거하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법
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기판 상에 게이트 라인 및 제 1 및 제 2 게이트 전극을 포함한 게이트 패턴을 형성하는 단계와,상기 게이트 패턴이 형성된 기판 상에 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 상기 게이트 패턴과 중첩되도록 제 1 및 제 2 반도체층과, 상기 제 2 게이트 전극과 중첩된 영역에 개구부를 갖는 제 3 반도체층을 포함한 반도체 패턴을 형성하는 단계와,상기 반도체 패턴이 형성된 상기 게이트 절연막 상에 데이터 라인과, 제 1 및 제 2 소스 전극과, 상기 제 3 반도체층의 개구부와 중첩된 영역에 개구부를 갖는 제 1 드레인 전극 및 제 2 드레인 전극을 포함하는 소스/드레인 패턴을 형성하는 단계와,상기 소스/드레인 패턴 상에 상기 제 3 반도체층의 개구부 및 상기 제 1 드레인 전극의 개구부를 경유하고, 상기 2 게이트 전극을 노출하는 제 1 콘택홀 및 제 2 드레인 전극을 노출하는 제 2 콘택홀을 포함하는 보호막을 형성하는 단계와,상기 보호막 상에 제 2 게이트 전극 및 제 1 드레인 전극을 상기 제 1 콘택홀을 통해 연결하는 연결 전극 및 상기 제 2 콘택홀을 통해 제 2 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 포함하는 투명 도전 패턴을 형성하는 단계와, 상기 투명 도전 패턴을 포함하는 상기 보호막 전면에 화소홀을 갖는 뱅크 절연막을 형성하는 단계와,상기 뱅크 절연막의 화소홀을 경유하도록 발광층을 형성하는 단계와,상기 발광층 및 상기 뱅크 절연막 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제 3 반도체층은 상기 제 2 게이트 전극과 제 1 드레인 전극의 중첩부에 형성되고, 상기 제 1 콘택홀은 상기 중첩부에 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광표시장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.