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기판과,상기 기판에 배치되는 전극을 포함하고,상기 기판과 상기 전극의 접촉각(Contact Angle)(θ)은 아래와 같은 수학식 1에 따르고,상기 기판과 전극의 접촉각(θ)은 3(°)도 이상 45(°)도 이하인 디스플레이 패널
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기판과,상기 기판에 배치되는 전극을 포함하고, 상기 전극은 버스전극이고,상기 기판과 상기 전극의 접촉각(Contact Angle)(θ)은 아래와 같은 수학식 1에 따르는 디스플레이 패널
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판과 상기 전극의 접촉각(θ)은 아래와 같은 수학식 2에 따르는 디스플레이 패널
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전극의 단면의 길이는 상기 전극 단면의 최대 높이의 6배 이상 48배 이하인 디스플레이 패널
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전극의 단면의 길이는 상기 전극 단면의 최대 높이의 11배 이상 22배 이하인 디스플레이 패널
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6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전극의 단면의 길이는 60㎛이상 90㎛이하인 디스플레이 패널
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7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전극의 단면의 최대 높이는 3㎛이상 10㎛이하인 디스플레이 패널
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8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전극의 단면의 형상은 상기 기판이 배치된 방향과 역방향으로 볼록한 형상인 디스플레이 패널
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9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전극은 직접 패터닝(Direct Patterning) 공법으로 형성되는 디스플레이 패널
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10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전극은 오프셋(Offset) 인쇄 공법으로 형성되는 디스플레이 패널
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11
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전극의 전기 저항값은 70Ω이하인 디스플레이 패널
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12
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전극을 제조하기 위한 전극 조성물에 있어서,금속 파우더(Powder)를 60중량부 이상 95중량부 이하,바인더(Binder)를 5중량부 이상 40중량부 이하,유기 용매를 1중량부 이상 30중량부 이하,글라스 프릿(Glass frit)을 1중량부 이상 20중량부 이하포함하는 디스플레이 패널의 전극 조성물
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13
제 12 항에 있어서,상기 금속 파우더는 은(Ag) 재질, 구리(Cu) 재질, 알루미늄(Al) 재질, 금(Au) 재질로 이루어진 군 중에서 선택된 적어도 하나인 디스플레이 패널의 전극 조성물
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제 12 항에 있어서,상기 바인더는 아크릴계 바인더 또는 메타아크릴계 바인더 중 하나 이거나 또는 아크릴계 바인더와 메타아크릴계 바인더가 혼합된 것인 디스플레이 패널의 전극 조성물
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15
제 12 항에 있어서,상기 글라스 프릿은글라스 프릿을 100중량부라 할 때, Bi2O3를 33중량부 이상 69중량부 이하, B2O3를 9중량부 이상 36중량부 이하, SiO2를 1중량부 이상 19중량부 이하, Al203를 1중량부 이상 18중량부 이하포함하는 디스플레이 패널의 전극 조성물
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제 15 항에 있어서,상기 글라스 프릿은BaO를 0
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제 15 항에 있어서,상기 글라스 프릿은CaO를 0
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제 15 항에 있어서,상기 글라스 프릿은ZnO를 0
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제 12 항에 있어서,첨가제로 분산 안정제를 0
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