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유전체를 이용한 태양전지의 후면 반사막 및 패시베이션층형성

  • 기술번호 : KST2015047970
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유전체를 이용한 태양전지의 후면 반사막 및 패시베이션층 형성에 관한 것으로, 본 발명은 유전체를 이용하여 형성된 후면 반사막 및 패시베이션층을 포함하는 태양전지를 제공한다. 본 발명의 태양전지는 HfO2 또는 ZrO2를 포함하여 이루어지는 반사막과 HfSixOy, ZrSixOy 또는 SiO2를 포함하여 이루어지는 후면패시베이션층을 구비함으로써 태양광에 대한 우수한 광포획율을 나타내고, 캐리어의 후면 재결합율이 낮다. 또한, 반사막 및 후면패시베이션층의 열적 안정성이 우수하여, 열처리 등의 다양한 공정을 적용한 전극 형성이 가능하다. 태양전지, 후면 반사막, 후면패시베이션층
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/054 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020070028845 (2007.03.23)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0974226-0000 (2010.07.30)
공개번호/일자 10-2008-0086753 (2008.09.26) 문서열기
공고번호/일자 (20100806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.03)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박현정 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0232964-52
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0283986-23
7 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 취하 (Withdrawal) 1-1-2010-0284363-78
8 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0290651-19
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0300406-19
10 [우선심사신청 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Request for Accelerated Examination] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0301047-00
11 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
12 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0028399-26
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0215212-33
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0386413-22
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0386412-87
16 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0312182-59
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 실리콘층, 상기 제1 도전형 실리콘층에 형성되고 상기 제1 도전형 실리콘층과 반대 도전형을 가지며, 상기 제1 도전형 실리콘층과의 계면에서 p-n 접합을 형성하는 제2 도전형 실리콘층; 태양광의 반사를 방지하기 위해 상기 제2 도전형의 실리콘층 상에 위치하는 반사방지막; 상기 제1 도전형 실리콘층 상에 위치하며, HfSixOy, ZrSixOy 또는 SiO2를 포함하여 이루어지는 후면패시베이션층 및 HfO2 또는 ZrO2를 포함하여 이루어지는 반사막으로 이루어진 후면반사막; 상기 반사방지막을 관통하여 제2 도전형 실리콘층과 연결되는 전면전극; 및 상기 반사막 및 상기 후면패시베이션층을 관통하여 제1 도전형 실리콘층과 연결되는 후면전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 후면반사막은 HfO2-x 또는 ZrO2-x를 제1 도전형 실리콘층 상에 증착시킨 후, 산소분위기에서 열처리하는 공정을 추가로 실시하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 HfO2-x 또는 ZrO2-x는 화학기상증착 또는 플라즈마 강화 화학기상증착에 의해 제1 도전형 실리콘층 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제2항에 있어서, 상기 열처리공정은 습식 산화(wet oxidation)에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제2항에 있어서, 상기 열처리공정은 급속 열적 산화(rapid thermal oxidation)에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 실리콘층은 p형 실리콘층이고, 상기 제2 도전형 실리콘층은 n형 이미터층인 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 반사방지막은 실리콘나이트라이드를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제7항에 있어서, 상기 반사방지막은 플라즈마 화학기상증착법, 화학기상즉착법 또는 스퍼터링으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제1항에 있어서, 상기 태양전지는 상기 반사방지막과 제2 도전형 실리콘층 사이에 전면패시베이션층을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
제1항에 있어서, 상기 전면전극은 은을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지
11 11
제1항에 있어서, 상기 후면전극은 알루미늄을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지
12 12
제9항에 있어서, 상기 전면패시베이션층은 SiO2를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지
13 13
제1항에 있어서, 상기 후면전극과 접촉하는 상기 제1 도전형 실리콘층에 BSF(Back surface field)층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101641797 CN 중국 FAMILY
2 EP02130230 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02130230 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 US08658884 US 미국 FAMILY
5 US20100096013 US 미국 FAMILY
6 WO2008117951 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101641797 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101641797 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2130230 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2130230 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2130230 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 US2010096013 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8658884 US 미국 DOCDBFAMILY
8 WO2008117951 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.